2016年4期
刊物介紹
《電源學(xué)報(bào)》(原《電源技術(shù)學(xué)報(bào)》)，國(guó)內(nèi)統(tǒng)一連續(xù)出版物號(hào)(刊號(hào))為：CN12-1420/TM，第一主辦單位是：中國(guó)電源學(xué)會(huì)?！峨娫磳W(xué)報(bào)》代表中國(guó)電源科技界的最高學(xué)術(shù)水平，是科技人員職稱晉級(jí)和學(xué)位評(píng)定的重要參考。
電源學(xué)報(bào)
寬禁帶功率電子器件及其應(yīng)用專輯 （2016年04期）
- 選擇區(qū)域外延槽柵結(jié)構(gòu)GaN常關(guān)型MOSFET的研究
- 適用于電動(dòng)汽車的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究
- 改進(jìn)型碳化硅MOSFETs Spice電路模型
- 1 200 V碳化硅MOSFET與硅IGBT器件特性對(duì)比性研究
- SiC MOSFET特性及其應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)分析
- 基于碳化硅功率器件的寬輸入電壓雙管正激式直流電源研究
- SiC MOSFET在航空靜止變流器中的應(yīng)用研究
- 基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因數(shù)校正器
- 基于GaN FETs的高頻半橋諧振變換器分析與設(shè)計(jì)
- 基于GaN器件Buck電路死區(qū)功耗分析與優(yōu)化
- 基于GaN器件LLC諧振變換器的平面變壓器優(yōu)化設(shè)計(jì)
- 基于封裝集成技術(shù)的高功率密度碳化硅單相逆變器
- 共源極電感對(duì)SiC MOSFET開關(guān)損耗影響的研究
- 寬禁帶器件在電動(dòng)汽車中的研究和應(yīng)用
- 耐高溫變換器研究進(jìn)展及綜述
- 高壓SiC器件在FREEDM系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 雙饋風(fēng)電機(jī)組并網(wǎng)次同步振蕩研究
- 寬禁帶功率電子器件及其應(yīng)用專輯特邀主編述評(píng)