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摘要與光子和電子不同，原子的激發(fā)亞穩(wěn)態(tài)具有方便操作的內(nèi)能態(tài)結(jié)構(gòu)，這使利用內(nèi)能態(tài)的光學(xué)淬滅原理實現(xiàn)光刻技術(shù)成為現(xiàn)實，基于原子光學(xué)的中性原子束光刻技術(shù)是下一代光刻技術(shù)(the next generation lithography，NGL)的一種，它可分兩種途徑實現(xiàn)：激光駐波原子直沉積技術(shù)和亞穩(wěn)態(tài)中性原子光刻技術(shù)，前者可以實現(xiàn)圖案的納米尺度特征、大面積平行沉積和高分辨率；后者結(jié)合有效的抗蝕劑，同樣可以實現(xiàn)納米圖形制造，在基板上獲得的尖銳邊緣分辨率目前可達(dá)40nm，兩種途徑的原理相差甚遠(yuǎn)，但最終獲得的結(jié)果相似。

關(guān)鍵詞原子光刻，原子光學(xué)，微納米制造