孟慶元　王慶盛

在Si、Ge等半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)和制備過程中，不可避免地引入了位錯(cuò)等缺陷，由于位錯(cuò)的存在，嚴(yán)重影響了半導(dǎo)體器件的光學(xué)和電學(xué)性能，為了獲得低位錯(cuò)密度、高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件，人們以Si中的位錯(cuò)為研究對象，進(jìn)行了長期不懈的研究。