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·專利技術(shù)·

2010-04-05 00:11
低溫與特氣 2010年4期
關(guān)鍵詞:氯硅烷氯化氫多晶硅

·專利技術(shù)·

等離子體協(xié)同低溫催化氧化NO脫除氮氧化物的方法

申請(qǐng)(專利)號(hào):201010130186.4

公開(公告)日:2010-07-14

申請(qǐng)(專利權(quán))人:昆明理工大學(xué)

本發(fā)明是一種等離子體協(xié)同低溫催化氧化NO脫除氮氧化物的方法,其特征在于將含NO、O2的待處理混合氣體,空速控制在10 000~60 000 h-1之間,通過等離子體反應(yīng)器活化,活化后的混合氣通過裝有錳基氧化物催化劑的固定床反應(yīng)器,使混合氣中的NOx在50~150℃條件下定量的氧化為NO2。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,其工藝簡(jiǎn)潔,氣體中CO、CO2、SO2雜質(zhì)組分的不利影響小,處理NOX的濃度范圍寬。較低溫度下將NO定量的轉(zhuǎn)化為NO2,進(jìn)一步吸收利用,做到了資源化處理,且本發(fā)明具有能耗低、工藝簡(jiǎn)潔、占地面積小、無二次污染等特點(diǎn)。

生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣的回收利用方法

公開(公告)號(hào):101774544A

公開(公告)日:2010-07-14

申請(qǐng)(專利權(quán))人:樂山樂電天威硅業(yè)科技有限責(zé)任公司

摘要:本發(fā)明涉及生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣的回收利用方法,屬于氣體分離領(lǐng)域。本發(fā)明所解決的技術(shù)問題是提供了一種生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣的回收利用方法,該方法可以分離得到純度較高的氯化氫。本發(fā)明生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣的回收利用方法,包括如下步驟:a.一次氣體淋洗:生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣用氯硅烷液體吸收,得到富液,富液與氯硅烷氣體進(jìn)行熱交換,得到氣相1;b.二次氣體淋洗:氣相1與氯硅烷液體進(jìn)行熱交換,得到氣相2;c.一次冷凝:氣相2于-20~-10℃冷凝,得到氯硅烷液體和氣相3;d.三次氣體淋洗:氣相3與氯化氫液體進(jìn)行熱交換,得到氯硅烷液體和氣相4;e.二次冷凝:氣相4于-40~-45℃冷凝,分離得到液體氯化氫和氫氣。

一種太陽能光解水制氫催化劑及其制備方法

公開(公告)號(hào):101767023A

公開(公告)日:2010-07-07

申請(qǐng)(專利權(quán))人:中國科學(xué)院山西煤炭化學(xué)研究所

摘要:一種太陽能光解水制氫催化劑的質(zhì)量百分比組成為:二氧化鈦75%~98%,碳1%~20%,氮0~10%。其制備方法是將介孔碳分子篩與1~10 mol/L的酸混合0.5~24 h后,向其加入鈦源,攪拌狀態(tài)下反應(yīng)2~120 h后,真空過濾、洗滌并于60~100℃干燥2~10 h,制備樣品;將干燥后的樣品于空氣中氧化5~120 min,轉(zhuǎn)入惰性氣體中于400~1000℃焙燒2~10 h,再于空氣氣氛下450~850℃焙燒3~9 h,即得光催化劑。本發(fā)明具有催化劑可見光活性高,在400~620 nm的可見光照射下制氫效率均在100μmol/ (g·h)以上的優(yōu)點(diǎn)。

一種制備無水氯化氫氣體的方法及系統(tǒng)

公開(公告)號(hào):101774543A

公開(公告)日:2010-07-14

申請(qǐng)(專利權(quán))人:北京華宇同方化工科技開發(fā)有限公司

摘要:本發(fā)明公開了一種制備無水氯化氫氣體的方法及系統(tǒng),本發(fā)明所述方法包括:含水氯化氫氣體由脫水塔(C-101)的底部進(jìn)入脫水塔(C-101)向上流動(dòng);冷的氯化氫液體由脫水塔(C-101)的頂部進(jìn)入脫水塔(C-101)向下流動(dòng),并在脫水塔(C-101)中與向上流動(dòng)的含水氯化氫氣體進(jìn)行熱量、質(zhì)量交換;其中向下流動(dòng)的冷的氯化氫液體使向上流動(dòng)的含水氯化氫氣體的溫度降低到在脫水塔(C-101)內(nèi)系統(tǒng)壓力下含水量為10×10-6的氯化氫氣體的露點(diǎn)以下;然后收集從脫水塔(C-101)塔頂排出的氯化氫氣體即得。本發(fā)明方法不引入額外雜質(zhì),脫水深度深;且材料省,成本低,操作簡(jiǎn)便。

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