滕 云,董嘉豐,羅 恒
沈陽市鴻軒機(jī)械廠,遼寧 沈陽 110011
絕緣中某處的電場強(qiáng)度如果超過了該處絕緣介質(zhì)所承受的極限值,就會發(fā)生電擊穿或這放電現(xiàn)象,這是導(dǎo)致電力設(shè)備絕緣故障的主要原因。在場強(qiáng)集中的地方,絕緣介質(zhì)有局部的放電與損傷,伴隨著最高場強(qiáng)向鄰近損傷部位移動,這就最終導(dǎo)致了整個絕緣結(jié)構(gòu)的擊穿或者放電。所以,在不同的運(yùn)行條件下,計(jì)算分析絕緣結(jié)構(gòu)中可能出現(xiàn)的最高電場強(qiáng)度,對高壓電氣設(shè)備的設(shè)計(jì)研究和事故分析是尤其重要的。改善斷路器介質(zhì)恢復(fù)特性以及優(yōu)化SF6斷路器滅弧室內(nèi)部結(jié)構(gòu)參數(shù)都離不開電場計(jì)算與分析這一重要工作。由于SF6氣體對電場均勻性非常敏感, 不均勻的電場分布會直接導(dǎo)致SF6的耐受壓程度的下降,因此,有效改善滅弧室內(nèi)電場分布,對高壓SF6斷路器進(jìn)行觸頭結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)有重要的作用。
通過ANSYS軟件的計(jì)算與分析,調(diào)整觸頭的幾何形狀改變滅弧室的內(nèi)部結(jié)構(gòu),優(yōu)化其電場分布。這為高壓SF6斷路器電場優(yōu)化提供了一種十分有效的方法。
有限元的解題方法比較復(fù)雜,但其一般步驟可歸納為:1)建立積分方程;2)區(qū)域單元剖分;3)確定單元基函數(shù);4)單元分析;5)總體合成;6)邊界條件的處理;7)解有限元方程。
由于SF6氣體的負(fù)電性是空氣負(fù)電性的幾十倍,這使得SF6氣體的絕緣性能十分優(yōu)良,電極間在一定的場強(qiáng)下發(fā)射電子,SF6能很快地吸附極間的自由電子,大大阻礙了碰撞電離過程的發(fā)展,使極間電離度下降剛耐受電用能力增強(qiáng)。這一負(fù)電性十分有利于開斷電弧電流過零后觸頭間的絕緣恢復(fù)。因此,SF6氣體被用在高壓開關(guān)設(shè)備中作為絕緣和熄弧介質(zhì),大大提高了開關(guān)性能。
根據(jù)工程上計(jì)算電場強(qiáng)度的經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算0.5 MPa下SF6氣體擊穿場強(qiáng)和沿絕緣件表面時的閃絡(luò)場強(qiáng)過程如下:
1)在50Hz工頻交流電壓下,SF6氣體的工程擊穿場強(qiáng)Edt計(jì)算公式如下
上式中,p-SF6氣體壓力,單位MPa。計(jì)算得出氣壓在0.5 MPa下,SF6擊穿場強(qiáng)為Edt=21.05 kV/mm。
2)當(dāng)SF6沿面絕緣結(jié)構(gòu)中最大場強(qiáng)達(dá)到某一數(shù)值Eft時發(fā)生沿面閃絡(luò),工頻電壓下閃絡(luò)場強(qiáng)計(jì)算公式如下。根據(jù)上式估算出0.5 MPa下,SF6氣體沿絕緣件表面時的閃絡(luò)場強(qiáng)為Eft=12.61 kV/mm。
3) 由雷電沖擊電壓下SF6氣體擊穿場強(qiáng)公式:Edt=7.5(10p)0.75,得SF6擊穿場強(qiáng)Edt=25.08 kV/ m。
4) 由雷電沖擊電壓下SF6氣體沿絕緣件表面時的閃絡(luò)場強(qiáng)公式:,計(jì)算得出氣壓在0.5 MPa下,SF6擊穿場強(qiáng)Edt=21.05 kV/mm。
由于在SF6斷路器滅弧室內(nèi)部有多種不同的材料,這使得觸頭邊界處的電場強(qiáng)度要大于周圍的電場強(qiáng)度,這就導(dǎo)致此處的電介質(zhì)比較容易擊穿,從而使得整個場域被擊穿,斷路器開斷的失敗。所以,在進(jìn)行電場優(yōu)化時,要盡可能的使觸頭表面的電場均勻分布并且使得電場強(qiáng)度盡量小。由于滅弧室內(nèi)的電場強(qiáng)度和分布情況與電極的結(jié)構(gòu)形狀及其表面粗糙程度有關(guān),因而我們進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)時,就是要通過調(diào)整滅弧室內(nèi)觸頭的幾何形狀,使得周圍的電場強(qiáng)度盡可能的小并且均勻分布,以達(dá)到提高絕緣介質(zhì)的絕緣能力和滅弧性能的目的。
對觸頭的幾何形狀進(jìn)行設(shè)計(jì),首先要計(jì)算和分析SF6斷路器的電場的大小和分布情況,我們采用ANSYS軟件進(jìn)行計(jì)算和分析。ANSYS有限元軟件能方便的求解結(jié)構(gòu)、電力以及電磁場等問題,利用其對SF6斷路器的電場進(jìn)行計(jì)算和分析能得到比較好的效果,其內(nèi)嵌的APDL參數(shù)化語言編程提高了分析、優(yōu)化效率。
圖1 斷路器觸頭開距為40mm時電勢云圖
圖2 斷路器觸頭開距為40mm時電場云圖
通過計(jì)算分析得結(jié)果如圖1和圖2,分析可得:靜弧觸頭和動主觸頭處等位線較為密集即此處電場強(qiáng)度較大,分析其原因主要有3點(diǎn):1)觸頭形狀設(shè)計(jì)沒有達(dá)到最優(yōu)化,使得此處場強(qiáng)較大;2)靜弧觸頭較靜主觸頭長,靜主觸頭對其屏蔽作用比較小,造成靜弧觸頭處場強(qiáng)較大;3)由于輔助噴口的存在,動主觸頭比動弧觸頭伸出長,距離高電位部分(靜觸頭)近,并且動主觸頭對動弧觸頭電場屏蔽作用較強(qiáng),使得動主觸頭對電力線有拉聚的作用,造成此處等位線有較大的彎曲。動弧觸頭盡管距高電位端(靜弧觸頭)也較近,但是由于較長的動主觸頭的屏蔽作用,此處等位線彎曲較小,相對比較稀疏,所以動弧觸頭表面的電場強(qiáng)度不會很大,因而對動弧觸頭的幾何形狀做改動時,由于屏蔽效應(yīng)影響較大,所以對其進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化不會產(chǎn)生十分明顯的效果。
根據(jù)分析結(jié)果,設(shè)計(jì)時可以加大動靜觸頭邊緣的曲率半徑,這樣可以改善電場分布,使等位線變得較為緩和,分布相對均勻。
通過分析并計(jì)算了斷路器滅弧室內(nèi)的電場分布,對滅弧室內(nèi)觸頭形狀提出了優(yōu)化設(shè)計(jì)的建議:加大動靜觸頭邊緣的曲率半徑。
[1]徐國政.高壓斷路器原理和應(yīng)用[M].北京:清華大學(xué)出版社,2000.
[2]盛劍霓.電磁場數(shù)值分析[M].北京:科學(xué)出版社,1984.
[3]王昆,朱狄,楊建明.基于ANYSYS分析的電鑄陽極設(shè)計(jì)[J].航空精密制造技術(shù),2004,40(6):17-19.
[4]博弈創(chuàng)作室.APDL參數(shù)化有限元分析技術(shù)及其應(yīng)用實(shí)例[M].北京:中國水利出版社,2004.