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高次駐波諧振定量檢測(cè)彈性板厚度的方法

2010-12-04 08:56王禹然張淑儀
無損檢測(cè) 2010年8期
關(guān)鍵詞:駐波壓電并聯(lián)

王禹然,張 輝,張淑儀

(南京大學(xué) 聲學(xué)研究所 近代聲學(xué)實(shí)驗(yàn)室,南京 210093)

提出一種基于高次駐波諧振的測(cè)量方法,研究彈性板厚度對(duì)具有最大有效機(jī)電耦合系數(shù)的諧振模式頻率偏移的影響,并定量檢測(cè)彈性板厚度的變化。此方法可以對(duì)金屬、非金屬和復(fù)合材料等進(jìn)行無損檢測(cè),且設(shè)備簡(jiǎn)單、易于操作。

首先介紹高次駐波諧振的理論;其次對(duì)具有最大有效機(jī)電耦合系數(shù)的模式進(jìn)行分析,給出該模式數(shù)的修正公式;最后建立該模式諧振頻率偏移與檢測(cè)彈性板厚度之間的關(guān)系。以ZnO 為壓電片,針對(duì)不同聲阻抗的彈性板厚度變化進(jìn)行數(shù)值計(jì)算與研究。

1 高次駐波諧振理論

將厚度膨脹振動(dòng)的壓電片置于被檢測(cè)彈性板之上,如果兩者之間耦合緊密,則構(gòu)成高次駐波諧振結(jié)構(gòu),如圖1所示。其中壓電片和其上下表面的兩個(gè)電極構(gòu)成的換能器在彈性板中激發(fā)厚度膨脹振動(dòng)聲波,當(dāng)激發(fā)的聲波半波長(zhǎng)的整數(shù)倍與彈性板厚度相等時(shí),將在彈性板中形成駐波諧振。一般情況下,彈性板的厚度較壓電片厚很多,所以聲波能量主要集中于板中。這樣,檢測(cè)系統(tǒng)的諧振特性將受到彈性板材料、表面狀況和厚度等的影響。

圖1 片狀換能器測(cè)彈性板厚度變化的系統(tǒng)

上述高次駐波諧振結(jié)構(gòu)可以利用Mason等效電路理論[1]進(jìn)行分析。此檢測(cè)系統(tǒng)的壓電換能器輸入阻抗Zin表示為[2]:

根據(jù)式(1),針對(duì)厚度為0.05mm 的PZT 壓電片和厚度為2.4mm 的不銹鋼彈性板,計(jì)算其輸入電阻抗曲線,如圖2 所示。可以看出,隨著頻率增加,激發(fā)出許多高次諧振模式。每一個(gè)諧振模式包括并聯(lián)諧振頻率fp和串聯(lián)諧振頻率fs。為簡(jiǎn)化分析,引入并聯(lián)諧振頻率間隔Δfp作為分析參量,具體定義為:

圖2 輸入電阻抗曲線

式中fp(m+1)和fp(m)分別是高次駐波諧振系統(tǒng)在第m+1和第m階模式的并聯(lián)諧振頻率。

式中ΔfN指并聯(lián)諧振頻率間隔分布中的第一個(gè)穩(wěn)態(tài)區(qū)域中間模式(mN)所對(duì)應(yīng)的并聯(lián)諧振頻率間隔,γ≈π;ΔfT指并聯(lián)諧振頻率間隔分布中的第一個(gè)瞬態(tài)區(qū)域中間的模式(mT)所對(duì)應(yīng)的并聯(lián)諧振頻率間隔,γ≈0.5π;而Δf0=Vsb/2lsb,指彈性板厚度膨脹振動(dòng)時(shí)的并聯(lián)諧振頻率間隔。

以下電極的二分之一處為分界線,將高次駐波諧振系統(tǒng)分為兩層,引入上下兩層的半波長(zhǎng)諧振頻率比例因子R。當(dāng)R足夠大時(shí),穩(wěn)態(tài)區(qū)域和瞬態(tài)區(qū)域中間的模式可近似表示為:mN=round(R),mT=round[(R-1)/2],其中R為[2]:

實(shí)際測(cè)量中,為避免壓電片激發(fā)帶寬的影響,通常采用壓電片基模諧振頻率附近區(qū)域的駐波諧振模式。在文獻(xiàn)[4]的研究中,已經(jīng)指出最大有效機(jī)電耦合系數(shù)對(duì)應(yīng)的高次駐波諧振模式在第一穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)區(qū)域附近,且在測(cè)量中該模式具有較大的阻抗幅值,因此該模式最適宜用以研究彈性板厚度的變化。

2 彈性板聲阻抗對(duì)(max)對(duì)應(yīng)諧振模式的影響

最大有效機(jī)電耦合系數(shù)所對(duì)應(yīng)的諧振模式具有較高的阻抗幅值,且容易激發(fā)而獲得較高的檢測(cè)靈敏度,所以利用其作為檢測(cè)模式[5]。Wang[6]等人分析了具有最大有效機(jī)電耦合系數(shù)的諧振模式,重點(diǎn)研究其模式數(shù)的變化規(guī)律。

如果根據(jù)彈性板和壓電片聲阻抗比zb=(ρsbVsb)/(ρV)來確定對(duì)應(yīng)模式的次數(shù),可有以下三種情形:①zb?1,為硬基片條件落在瞬態(tài)區(qū)域中間,即mT附近,對(duì)應(yīng)頻率約為f=V/4l。②zb?1,為軟基片條件落在穩(wěn)態(tài)區(qū)域中間,即mN附近,對(duì)應(yīng)頻率約為f=V/2l。③zb在1 附 近 時(shí)(max)對(duì)應(yīng)的模式數(shù)則落在mT和mN的之間。所以,只有“很硬”或“很軟”的壓電片和彈性板組合對(duì)應(yīng)的模式次數(shù)可以用mT或mN近似表示外,其它情形下,將難以估算對(duì)應(yīng)的模式次數(shù)。

利用式(7),針對(duì)壓電片材料為ZnO 和PZT 的片狀換能器在不同聲阻抗的彈性板上的情形進(jìn)行數(shù)值計(jì)算。計(jì)算中片狀換能器厚度取1 mm,上下電極厚度取為1μm 的Al電極,彈性板厚度的選取滿足R≈50,相關(guān)材料的參數(shù)如表1 所示,其中PZT材料的制備方法為sol-gel[6]。相關(guān)計(jì)算結(jié)果如圖3,圖中圓圈點(diǎn)表示W(wǎng)ang等人推薦的估算方法得到的對(duì)應(yīng)的模式次數(shù),而方塊點(diǎn)表示采用修正公式(7)得到的對(duì)應(yīng)的模式次數(shù)。根據(jù)計(jì)算結(jié)果可知,加入zb參量后的修正公式估算得到的模式次數(shù),更接近或等于大量數(shù)值計(jì)算得到的(max)對(duì)應(yīng)的模式次數(shù)。修正前后的估算公式所得到的模式次數(shù)與k2eff(max)對(duì)應(yīng)的模式次數(shù)的相對(duì)誤差如表2所示。可以看到修正后的相對(duì)誤差明顯小于修正前的相對(duì)誤差,這說明修正公式是有效的。

表1 壓電片、彈性板和電極的材料參數(shù)

表2 修正前后的估算得到的模式次數(shù)與k2eff(max)對(duì)應(yīng)的模式次數(shù)的相對(duì)誤差

3 彈性板厚度變化與(max)對(duì)應(yīng)諧振模式Δfp 間的關(guān)系

由于彈性板厚度的變化會(huì)導(dǎo)致并聯(lián)諧振頻率發(fā)生偏移,通過建立它們之間的解析關(guān)系可以定量表征彈性板的厚度變化。根據(jù)并聯(lián)諧振頻率間隔分布理論,在穩(wěn)態(tài)區(qū)域,已知[2]:

在片狀換能器中,若電極的厚度相對(duì)壓電片而言很薄,則忽略電極的影響。在模式數(shù)尚未發(fā)生跳變的情況下,推導(dǎo)彈性板厚度變化Δl時(shí),并聯(lián)諧振頻率的偏移為:

類似的,在瞬態(tài)區(qū)域,已知[2]:

忽略電極的影響,并聯(lián)諧振頻率的偏移為:

式(9)和(11)說明,彈性板厚度變化Δl所引起的并聯(lián)諧振頻率偏移Δfp與Δl成線性關(guān)系。因此,若選擇待測(cè)彈性板作為基片層,選定已知厚度的彈性板作為參照基準(zhǔn),測(cè)量待測(cè)彈性板與基準(zhǔn)彈性板在對(duì)應(yīng)頻率的差值,就可以間接得到待測(cè)板與基準(zhǔn)板的相對(duì)厚度變化。

針對(duì)具有最大有效機(jī)電耦合系數(shù)的諧振模式,采用1mm 厚ZnO 作為壓電片,熔融石英、釔鋁石榴石、不銹鋼作為彈性板,研究彈性板厚度增加時(shí)厚度變化與之引起的并聯(lián)諧振頻率偏移的關(guān)系,相關(guān)計(jì)算結(jié)果如圖4所示。數(shù)值計(jì)算表明,基準(zhǔn)彈性板厚度滿足R≈50時(shí)對(duì)應(yīng)的并聯(lián)諧振頻率fp每偏移數(shù)十赫茲可定量檢測(cè)出1μm 厚的彈性板厚度變化。

4 結(jié)論

[1] Lakin K M,Kline G R,McCarron K T.High-Q microwave acoustic resonators and filters[J].Microwave Theory and Techniques,IEEE Transactions,1993,41(12):2139-2146.

[2] Zhang Y X,Wang Z Q,Cheeke J D N.Resonant spectrum method to characterize piezoelectric films in composite resonators[J].Ultrasonics,F(xiàn)erroelectrics and Frequency Control,IEEE Transactions,2003,50(3):321-333.

[3] IEEE Standard on Piezoelectricity ANSI/IEEE Std 176-1987,1988[S].

[4] Zhang H,Zhang S Y,Zheng K.Electrode effects on general modes in high-overtone bulk acoustic resonators[J].Ultrasonics,2006,44(S1):e737-e740.

[5] Zhang H,Zhang S Y,F(xiàn)an L.Effects of thickness deviation of elastic plates in multi-layered resonance systems on frequency spectra[J].Chinese Physics Letters,2009,26(8):4301

[6] Pao Shih-Yung,Chao Min-Chiang,Wang Zuoqing,et al.Analysis and experiment of HBAR frequency spectra and applications to characterize the piezoelectric thin film and to HBAR design[C].Frequency Control Symposium and PDA Exhibition,2002.IEEE International:2002:27-35.

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