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鋁帶鍵合:小型功率器件互連新技術(shù)*

2011-01-26 08:09:16劉培生成明建王金蘭仝良玉
電子與封裝 2011年1期
關(guān)鍵詞:鋁線金線焊點(diǎn)

劉培生,成明建,王金蘭,仝良玉

(1.南通大學(xué)杏林學(xué)院,江蘇省專用集成電路設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,江蘇 南通 226019;2.南通富士通微電子股份有限公司,江蘇 南通 226006)

1 引言

TO系列是標(biāo)準(zhǔn)的功率分立器件,在過去十幾年中一直處于緩慢的發(fā)展態(tài)勢(shì),0.13mm~0.5mm線徑的粗鋁線鍵合是TO系列封裝的主要互連技術(shù)。SOL8等低功耗小型器件,主要采用的互連技術(shù)是0.03mm~0.08mm線徑金線鍵合。近年來,便攜式的應(yīng)用使得發(fā)展尺寸更小的功率器件顯得越來越重要,電信和計(jì)算機(jī)中的高端應(yīng)用也在尋求性能更高且引腳短小的器件,所有這些需求對(duì)開發(fā)新的封裝外形及新的互連技術(shù)都起到了重大的推動(dòng)作用。

從經(jīng)濟(jì)角度講,功率器件的價(jià)格是隨芯片尺寸減小而降低的,小尺寸高功率芯片能夠?qū)崿F(xiàn)更小型的封裝,小型器件在電路板上占用更小的面積,可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)的成本降低?,F(xiàn)有的金線鍵合技術(shù)為滿足更高的電流要求而增加互連截面直接導(dǎo)致了金線材料成本的增加。為使主流功率器件應(yīng)用能夠受益于新近的功率芯片技術(shù)的發(fā)展,有必要開發(fā)全面有效、能實(shí)現(xiàn)高性能和低成本的互連新技術(shù)。

2 鋁帶鍵合

鋁帶鍵合是粗鋁線鍵合技術(shù)的延伸和發(fā)展,是將尺寸范圍在0.5mm×0.1mm到2mm×0.25mm內(nèi)的鋁帶進(jìn)行超聲波焊接的一種新型互連工藝技術(shù)。鋁帶的矩形截面取代了鋁線的圓形截面,其材料組成和機(jī)械特性與粗鋁線幾乎一致。截面幾何形狀的改變,減小了線鍵合的強(qiáng)度和橫向靈活性,卻增加了縱向靈活性和鍵合設(shè)計(jì)的靈活性。橫向靈活性對(duì)復(fù)雜結(jié)構(gòu)的互連很重要,是在較大受力角度下鍵合能力的體現(xiàn),如TO系列封裝(見圖1(a))和多芯片中的應(yīng)用。

圖1 DPAK(a)和SOL8(b)鋁帶鍵合

縱向靈活性表現(xiàn)在合適的縱橫比范圍內(nèi)選擇特定的鋁帶厚度和寬度,可以用少的鋁帶組成一個(gè)大的互連截面,鍵合在給定的焊接區(qū)域上。如表1所示,根據(jù)鋁帶的縱橫比,可用一根鋁帶取代線徑為雙倍鋁帶厚度的1.6根(5:1)和4.8根(15:1)鋁線。(表1中的計(jì)算結(jié)果主要依據(jù)典型焊線材料的電阻率ρ獲得:ρAl=2.7×10-6Ω·cm;ρAu=2.3×10-6Ω·cm;ρCu=1.7×10-6Ω·cm。)因鋁帶的厚度決定了弧的彎曲強(qiáng)度,縱向靈活性在實(shí)際應(yīng)用中對(duì)短弧和超低弧的需求顯得特別重要,尤其是在薄型封裝器件中。

表1 典型焊線和鋁帶換算表

3 小外型功率器件

標(biāo)準(zhǔn)的功率SOL8封裝作為小外型功率器件的代表,因其比普通的TO系列封裝有著較高的芯片與外型比,一直受到業(yè)界普遍的關(guān)注。相比TO系列而言,SOL8封裝的芯片至引腳之間距離更短,這直接導(dǎo)致自回路電阻的降低。如圖1(a)DPAK的典型弧長(zhǎng)為2.5 mm~3.0 mm,而SOL8弧長(zhǎng)僅為1.0 mm~1.5 mm,為了在SOL8上產(chǎn)生如DPAK一樣的自回路電阻,其彎弧截面需減小50%。

圖1(b)中標(biāo)準(zhǔn)的SOL8外形顯示這類封裝的布局比DPAK更適合鋁帶鍵合,其源極引腳更寬且有大比例的外露散熱片,這就允許在足夠大的芯片表面上鍵合一根或多根直鋁帶。

近兩年來一種新型無引腳小外型功率器件PDFN也得到了長(zhǎng)足的發(fā)展,因其芯片與外型比更高,本質(zhì)上決定了有源區(qū)焊線引腳深度有限,鋁帶鍵合設(shè)計(jì)的靈活性正可以滿足這一特征,使得更大截面寬鋁帶短焊點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)成為可能。

4 封裝設(shè)計(jì)和工藝要求

4.1 鋁帶鍵合配置

源極引腳尺寸很大程度上決定了鍵合的配置,引腳長(zhǎng)度(X)決定了平行鋁帶的寬度和數(shù)量,引腳深度(Y)決定了鍵合焊點(diǎn)的長(zhǎng)度。源極引腳的有限深度限制了鍵合焊點(diǎn)的最大長(zhǎng)度,如圖2。在多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)SOL8應(yīng)用上,建議設(shè)計(jì)者增加源極引腳深度至0.58mm,以保證鍵合焊點(diǎn)長(zhǎng)度至少為0.25mm,同時(shí)加固Y方向焊接的強(qiáng)度。

根據(jù)已知焊點(diǎn)長(zhǎng)度如鋼嘴的寬度,在芯片表面接觸區(qū)域應(yīng)盡可能使用多次焊接。兩次鍵合代替一次鍵合能減小至少50%的擴(kuò)展電阻,三次鍵合代替兩次鍵合能減小17%,每增加一次鍵合擴(kuò)展電阻就會(huì)遞減,對(duì)于多數(shù)應(yīng)用來說,最好的配置就是性能與成本(生產(chǎn)效率)之間的統(tǒng)一。

圖2 源極引腳焊接1mm×0.1mm鋁帶

雖然鋁帶厚度的稍微增加會(huì)導(dǎo)致回路電阻的減小,但相對(duì)于整個(gè)器件電阻來講,其絕對(duì)減小值卻是微乎其微的。相對(duì)于增加鋁帶厚度,增加鋁帶的寬度會(huì)更為有效,加寬的鋁帶也能使回路和擴(kuò)展電阻減小,而且對(duì)于不是特別高的鋁帶縱橫比,增加鋁帶寬度,其焊點(diǎn)和彎弧工藝方面的控制要比增加鋁帶厚度容易得多。

4.2 裝片

鋁帶鍵合與所有的標(biāo)準(zhǔn)裝片工藝相兼容:鉛錫焊、焊膏和銀漿。與鋁線鍵合相比,鋁帶鍵合對(duì)于鋁帶垂直方向的芯片傾斜更敏感,實(shí)驗(yàn)證明,傾斜度在2°的情況下,鋁帶寬度和厚度的比例在10:1或更低的時(shí)候并不會(huì)對(duì)鍵合質(zhì)量產(chǎn)生重大影響。導(dǎo)致芯片傾斜的工藝原因多數(shù)傾向于其對(duì)于焊料位置和濕度的敏感度,與此評(píng)估一致,在不同鋁帶鍵合應(yīng)用的大量試驗(yàn)中并沒有發(fā)現(xiàn)傾斜會(huì)帶來顯著的影響。對(duì)于任何類型的線鍵合,芯片表面沾污將會(huì)影響工藝的穩(wěn)定性,一般來說,如果裝片后需要進(jìn)行鍵合(如gate區(qū)),強(qiáng)烈推薦焊膏回流后進(jìn)行清洗以去除有機(jī)物沾污,對(duì)于裸銅或者鍍鎳框架,銀漿固化需要在氮?dú)鈿夥罩羞M(jìn)行以防止氧化。對(duì)于鋁帶鍵合,必須防止不完全的焊料回流或銀漿固化造成的裝片覆蓋率不夠,由于超聲震動(dòng)引起的鍵合表面不同反應(yīng),它可能會(huì)導(dǎo)致鍵合過程的失效,如虛焊、焊不牢或焊不上,最糟糕的情況會(huì)產(chǎn)生芯片裂紋。

4.3 框架鍍層

所有標(biāo)準(zhǔn)的鍍層,裸銅、鍍Ni、NiPdAu和鍍Ag的框架都適用于鋁帶鍵合。Ni是鋁帶鍵合需要的標(biāo)準(zhǔn)鍍層,Al-Ni在各種條件下都是最穩(wěn)健且可靠的合金系統(tǒng),在汽車電子中也不例外。裸銅框架常用于粗鋁線鍵合,在鍵合能力和可靠性方面也同樣適用于鋁帶鍵合,在沒有嚴(yán)重氧化發(fā)生的情況下,其鍵合能力和鍍鎳層鍵合相差無幾。如果因銀漿固化引起了銅框架氧化,在選擇適當(dāng)?shù)暮割^、鍵合工藝參數(shù)和牢固的夾具情況下,使用鋁帶焊接的焊點(diǎn)相對(duì)于鋁線焊點(diǎn)會(huì)更牢固,但即使是很小的氧化,Al-Cu結(jié)合都要比Al-Ni結(jié)合弱得多。鍍銀框架雖提供了很好的鍵合性能,但由于相互擴(kuò)散和濕氣條件下的氧化,Al-Ag結(jié)點(diǎn)的合金性能會(huì)逐漸減弱,因此Al-Ag鍵合主要局限在可靠性要求不高的低端應(yīng)用。

5 鍵合工藝能力

5.1 鍵合強(qiáng)度

大部分情況下,薄型封裝外的低弧鋁帶很難實(shí)現(xiàn)拉力測(cè)試,因此剪切力測(cè)試更適合評(píng)價(jià)鋁帶鍵合的強(qiáng)度。實(shí)驗(yàn)證明,雖然從鍵合焊點(diǎn)側(cè)面進(jìn)行剪切測(cè)試是可行的,但是從鍵合焊點(diǎn)尾部進(jìn)行剪切力測(cè)試卻更為合適,圖3是典型的從焊點(diǎn)尾部做剪切力測(cè)試的鍵合圖片。這里需要使用一種特殊的剪切力工具來防止鍵合焊點(diǎn)尾部滑上測(cè)試工具,從而導(dǎo)致鍵合剝離而非剪切。實(shí)驗(yàn)表明,鍵合的剪切強(qiáng)度高于鋁帶的拉伸強(qiáng)度將足夠使其通過典型的可靠性測(cè)試,這和JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中要求的最低剪切強(qiáng)度等同于材料拉伸強(qiáng)度的鋁線鍵合剪切力測(cè)試要求也是一致的。

圖3 鍵合焊點(diǎn)剪切力測(cè)試

5.2 鍵合弧高

對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的功率SOL8封裝來講,1mm×0.1mm鋁帶的弧高目標(biāo)值在0.2mm~0.25mm范圍內(nèi),隨著芯片厚度的變化,其最高和最低值的弧高規(guī)范為0.36mm和0.15mm。圖4(b)顯示了無引腳PDFN封裝,其1mm的封裝體厚度比標(biāo)準(zhǔn)SOL8提供了更大的彎弧空間,為滿足特殊用途而設(shè)計(jì)的1mm厚度標(biāo)準(zhǔn)SOL8封裝體,其芯片上表面至封裝體頂部表面之間的距離為0.4mm(如圖4(a)),而圖4(b)的PDFN封裝中距離可達(dá)0.56mm。無引腳PDFN封裝中采用同樣0.4mm高度的設(shè)計(jì)更可減小封裝體的厚度至0.86mm。以上所述的低弧能力,表明鋁帶鍵合可以實(shí)現(xiàn)有效互連,應(yīng)用于1mm厚度的SOL8及PDFN薄型功率器件以及未來的封裝和實(shí)際需求,并且隨著芯片厚度的變化,可減少封裝體厚度最低至0.8mm。

圖4 鋁帶鍵合弧高及弧長(zhǎng)

6 性能、可靠性、成本

6.1 電性能

從芯片互連電阻分析,根據(jù)表1描述,1mm長(zhǎng)、截面尺寸為1mm×0.1mm的鋁帶其電阻約為0.26mΩ,而1mm長(zhǎng)、線徑0.08mm的金線其電阻大約為5.04 m Ω。能夠鍵合在標(biāo)準(zhǔn)SOL8封裝的線最大數(shù)目受源極引腳的尺寸限制,根據(jù)引腳寬度的變化(3.25mm ~3.55mm),0.08mm的線可鍵合14~18根,而0.05mm的線可鍵合20~22根。對(duì)于芯片尺寸為3.56mm×2.54mm且?guī)в? μ m厚度的典型源極金屬層來講,芯片上兩次鍵合兩個(gè)平行的1mm×0.1mm鋁帶的互連電阻大約為0.5mΩ,而對(duì)于14根0.08mm直徑的金線配置,其互連電阻大約為0.8mΩ。18根0.08mm直徑的銅線是適合這個(gè)封裝的最大線的數(shù)目,最多也會(huì)產(chǎn)生0.5m Ω的互連電阻,這和鋁帶配置相當(dāng)。

6.2 可靠性

通過合適的芯片設(shè)計(jì)和封裝材料的選擇可以提高可靠性,但是優(yōu)化芯片互連技術(shù)從本質(zhì)上來講更容易被接受和實(shí)現(xiàn),并且也更可靠,在運(yùn)行或熱循環(huán)條件下會(huì)有更低的敏感度。在幾項(xiàng)評(píng)估中,采用鋁帶鍵合的無引腳PDFN封裝通過了典型的可靠性測(cè)試:溫度循環(huán)(500個(gè)循環(huán) @ -65℃/+150℃)、高溫存儲(chǔ)(1000h@ 175℃)、高壓蒸煮(168h@ 121℃,RH=100%,15PSIG)、標(biāo)準(zhǔn)前處理?xiàng)l件下的2級(jí)吸濕(MSL2,如圖5),都沒有出現(xiàn)任何和鋁帶鍵合相關(guān)的失效。在芯片上單金屬鍵合的鋁帶鍵合部分可提高芯片工作結(jié)溫至175℃(前提是柵極也是0.05mm或者0.08mm直徑的鋁線鍵合),這在汽車應(yīng)用中是非常需要的。而金線和銅線鍵合在標(biāo)準(zhǔn)的芯片表面鋁金屬層上將會(huì)降低芯片在如此溫度下的工作壽命,不適用于汽車電子。

6.3 成本因素

半導(dǎo)體封裝中芯片互連的成本包含設(shè)備成本、耗材成本以及良率損失的成本,其中耗材成本占有最大的比重。金線材料的高成本是金球鍵合的主要弱點(diǎn),在每盎司黃金1000美元的價(jià)格下,對(duì)于單個(gè)器件來講,總長(zhǎng)度為22mm的0.05mm金線的成本約為3.7美分,同樣尺寸的0.05mm或者更大線徑的銅線成本大約只占金線成本的1/20,而具有相當(dāng)電性能的2×1mm×0.1mm鋁帶3.5mm長(zhǎng)度的低弧成本約為0.2美分,這雖然和銅線材料的成本接近,但是仍然有降低成本的空間,這是由于目前鋁帶鍵合產(chǎn)品的經(jīng)濟(jì)規(guī)模不足導(dǎo)致所用鋁帶材料價(jià)格高于實(shí)際所需要的材料價(jià)格,一旦鋁帶鍵合的技術(shù)得到推廣,產(chǎn)能擴(kuò)充,這種情況必將得到改變。

7 結(jié)束語

鋁帶鍵合是粗鋁線鍵合的進(jìn)一步改良,它保留了鋁線鍵合技術(shù)的強(qiáng)項(xiàng),同時(shí)又增加了新的元素,這使得它非常有效地在更薄的功率器件上實(shí)現(xiàn)互連,尤其是PDFN封裝。 鋁帶鍵合比金線鍵合提供了更好的電氣性能和更低的成本,在成本相當(dāng)?shù)幕A(chǔ)上提供了可與銅線相匹敵的電氣性能。鋁帶鍵合無引腳封裝還提供了與銅帶設(shè)計(jì)類似的熱性能,而且鋁帶鍵合的成本較低,整體效果更佳。所有這些封裝層面的優(yōu)勢(shì)都遵循現(xiàn)有的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),不需要特殊的專有封裝和互連設(shè)計(jì),因此它允許使用通用的工藝和設(shè)備,并可由多數(shù)封裝企業(yè)提供。總之,鋁帶鍵合是一種很有吸引力的芯片互連技術(shù),可廣泛應(yīng)用于主流設(shè)備上的小外形功率器件封裝。

[1]葛勵(lì)沖.微電子封裝中芯片焊接技術(shù)及其設(shè)備的發(fā)展[J].電子工業(yè)專用設(shè)備,2000.

[2]IPC/JEDEC Standard J-STD-020C. Moisture/Reflow Sensitivity Classification for Nonhermetic Solid State Surface Mount Devices[EB/OL]. 2004, http://www.jedec.org.

[3]EIA/JEDEC Standard EIA/JESD22-B116. Wire Bond Shear Test Method[P]. item 5.2, 1998.

[4]Luechinger, Ch. Large Aluminum Ribbon Bonding: An Alternative Solution for Power Module Applications[C].PCIM Europe 2005. 2005.

[5]Ong, B., Helmy, M., Chuah,et al..Heavy Al Ribbon Interconnect: An Alternative Solution for Hybrid Power Packaging[C]. IMAPS 2004.2004.

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