電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 宋 健 代 杰 余清華
一種用于單周期控制的斜率自適應(yīng)積分電路的設(shè)計(jì)
電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 宋 健 代 杰 余清華
采用電流模相乘器結(jié)構(gòu),同時(shí)結(jié)合計(jì)數(shù)器,設(shè)計(jì)了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、斜率自適應(yīng)、高精度的積分器,具有良好的線性特性,線性范圍達(dá)到0~6V,能夠廣泛應(yīng)用在固定開(kāi)關(guān)頻率的單周期控制的功率因數(shù)校正芯片中。此外,還對(duì)負(fù)反饋電路的穩(wěn)定性和頻率補(bǔ)償進(jìn)行了討論和仿真,得到了約78度的相位裕度。最后給出了具體的積分器電路圖和仿真結(jié)果。
單周期控制;電流模相乘器;計(jì)數(shù)器;積分器
在開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域,任何使輸入電網(wǎng)電流為非線性,或即使是正弦波但和正弦輸入電壓不同相位,或使輸入電流具有諧波的電路結(jié)構(gòu)都會(huì)降低功率因數(shù)從而產(chǎn)生額外的功率損耗。為了提高對(duì)電能的利用效率,需要引入功率因數(shù)校正技術(shù)[1]。
傳統(tǒng)的功率因數(shù)校正電路技術(shù)復(fù)雜,步驟繁瑣,體積大,成本高,而單周期控制技術(shù)是一種非線性控制技術(shù),不但大大簡(jiǎn)化了電路而且使得電路的抗干擾能力、魯棒性、動(dòng)態(tài)響應(yīng)更好[2]。單周期控制的控制策略是對(duì)控制信號(hào)進(jìn)行積分后與基準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行比較,決定開(kāi)關(guān)的占空比。
本文中的積分器將控制電壓轉(zhuǎn)換成電流后,利用雙極型晶體管的電流-電壓指數(shù)關(guān)系,構(gòu)成一個(gè)自動(dòng)調(diào)節(jié)尾電流源的模擬乘法器,再利用電流對(duì)電容充電實(shí)現(xiàn)積分,能夠很好地應(yīng)用在各類(lèi)單周期控制的PFC芯片中。
本文中所設(shè)計(jì)的積分器是在電流模相乘器[3]的基礎(chǔ)上加以改進(jìn),利用電流對(duì)電容充電實(shí)現(xiàn)積分的功能。首先給出單周期控制PFC的原理[4]。
式(7)、(8)為單周期控制方程組。其中Vm是系統(tǒng)控制電壓,ig是輸入電流,RS是輸入電流檢測(cè)電阻。實(shí)際上,V2(t)是對(duì)Vm在整個(gè)周期內(nèi)積分,當(dāng)V1(t)和V2(t)相等時(shí),通過(guò)PWM比較器可以確定開(kāi)關(guān)的占空比D。從(8)式可知單周期控制的核心在于對(duì)Vm進(jìn)行積分。因此,需要構(gòu)建一個(gè)積分器。
如圖1所示為本文設(shè)計(jì)的積分器的整體電路圖,其中電源電壓VCC=7.5V,VIN是輸入電壓,即為式(8)中的控制電壓Vm,VBIAS1、VBIAS2是固定偏置電壓,VPULSE是每個(gè)周期對(duì)積分器進(jìn)行復(fù)位的脈沖,VOUT是積分器的輸出。
Q34、Q35、Q36、Q37和R18構(gòu)成電流基準(zhǔn)源,其中Q35、Q36、Q37相同,Q34的面積是他們的4倍。Q27、Q28、Q29、Q30、Q31、Q32、Q33和R17產(chǎn)生穩(wěn)定的偏置電壓VBIAS1。Q1、Q2、Q3、Q4構(gòu)成電流模相乘器,Q5、Q7、Q9、R1、R2與Q6、Q8、Q10、R3、R4分別構(gòu)成威爾遜電流鏡,忽略基極電流影響,則有
圖1 積分器整體電路圖
Q12、Q15、Q16、Q17、R5、R6、R7、R11、R12、C2、C3構(gòu)成負(fù)反饋回路,隨著輸入電壓VIN的變化自動(dòng)調(diào)節(jié)Q12中電流的大小,同時(shí)維持Q9和Q14中流過(guò)的電流相等,因此
將式(7)、(8)、(9)、(11)代入式(6)得到
對(duì)比式(2)與式(13),只要使
.即可滿足要求,一個(gè)周期內(nèi)使得積分器輸出VOUT=VIN。因此只要根據(jù)PFC的工作頻率來(lái)設(shè)計(jì) 的值,就能得到滿足要求的積分電路。
由于電路性能會(huì)受溫度、電源電壓和各種工藝參數(shù)的影響,導(dǎo)致不可能得到一個(gè)精確的 。因此,需要設(shè)計(jì)一個(gè)模16可逆型計(jì)數(shù)器來(lái)自動(dòng)調(diào)整 值的大小,1/即為積分斜率。圖1中,Q43~Q50、D1~D4和R19~R22組成四個(gè)開(kāi)關(guān),根據(jù)計(jì)數(shù)器的4位輸出來(lái)改變I2的大小,來(lái)積分斜率。其中Q23、Q43、Q44、Q45、Q46的面積之比為8:2:1:0.5:0.25。
可逆計(jì)數(shù)器控制由圖2給出。通過(guò)一個(gè)比較器,對(duì)VOUT和VIN進(jìn)行比較,如果VIN>VOUT,比較器輸出高電平,控制計(jì)數(shù)器正向計(jì)數(shù),I2變小,積分斜率變大,VOUT將會(huì)變大;如果VIN<VOUT,計(jì)數(shù)器逆向計(jì)數(shù),I2變大,積分斜率變小,VOUT將會(huì)變小。這樣,通過(guò)一個(gè)可逆計(jì)數(shù)器就實(shí)現(xiàn)了對(duì)積分器斜率的自動(dòng)調(diào)整。
如圖3所示為積分器輸出隨輸入電壓變化的仿真圖。其中VIN時(shí)斜坡電壓,VOUT為積分輸出的鋸齒波電壓。圖4是積分器輸出隨輸入電壓變化局部放大圖,可以看到,積分輸出VOUT的峰值與積分輸入VIN基本重合,積分效果理想。
從仿真得到VIN=5.6V時(shí),VOUTPEAK=5.625V,計(jì)算得到精度為
圖2 可逆計(jì)數(shù)器控制電路
當(dāng)電路存在負(fù)反饋時(shí),如果相位裕度太小,會(huì)在較高頻率擾動(dòng)時(shí)造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定。根據(jù)文獻(xiàn)[5]的說(shuō)明,當(dāng)相位裕度為60°時(shí),閉環(huán)頻率響應(yīng)的尖峰已可忽
略。如圖1所示,Q12、Q15、Q16、Q17、R5、R6、R7、R11、R12、C2、C3構(gòu)成負(fù)反饋回路,因此必須對(duì)其穩(wěn)定性進(jìn)行考慮。隨著輸入電壓VIN的變化反饋回路自動(dòng)調(diào)節(jié)Q12中電流的大小,使得積分電流變化,始終保持與輸入電壓VIN成正比。因此對(duì)積分器反饋回路的穩(wěn)定性進(jìn)行仿真很重要。
反饋回路中Q16的基極為一個(gè)高阻節(jié)點(diǎn),因此加電容C2到地,引入一個(gè)低頻主極點(diǎn),使得環(huán)路增益下降點(diǎn)提前,幅頻曲線增益交點(diǎn)提前,提高了環(huán)路相位裕度。當(dāng)加上C3后在高頻引入極點(diǎn),使得高頻增益下降變快,抑制高頻噪聲的影響。環(huán)路的頻率響應(yīng)曲線如圖5所示,環(huán)路增益約為60dB,其相位裕度約為78°,系統(tǒng)的穩(wěn)定性很好。
由于負(fù)反饋的調(diào)節(jié),尾電流源Q12中的電流會(huì)隨著輸入電壓VIN的變化而變化,實(shí)現(xiàn)積分電流Icharge跟隨輸入電壓變化。對(duì)輸入電壓VIN進(jìn)行DC掃描,范圍從0~7V,觀測(cè)Q10中的充電電流變化。從圖6的仿真結(jié)果可以看到,積分電流Icharge隨著輸入電壓VIN的增大而增大,并且與VIN成正比。仿真結(jié)果驗(yàn)證了式(12)中推導(dǎo)的Icharge與VIN的正比關(guān)系。當(dāng)VIN>6V時(shí),Icharge達(dá)到飽和,所以輸入電壓的范圍在0~6V。
圖3 積分器輸出隨輸入電壓變化的仿真圖
圖4 積分器輸出隨輸入電壓變化局部放大圖
圖6 積分電流隨輸入電壓的變化關(guān)系
本文所設(shè)計(jì)的積分器采用電流模相乘器的結(jié)構(gòu),同時(shí)結(jié)合可逆計(jì)數(shù)器控制,實(shí)現(xiàn)了斜率自適應(yīng)功能。利用穩(wěn)定的負(fù)反饋結(jié)構(gòu)以保證積分器在不同輸入電壓下都能精確地實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入電壓進(jìn)行積分的功能。通過(guò)仿真結(jié)果表明,積分器的輸入電壓范圍大,穩(wěn)定性良好,精度高,適用于單周期控制的PFC芯片。
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宋?。?986—),男,江蘇蘇州人,碩士研究生,主要研究方向:模擬集成電路設(shè)計(jì)。
代杰(1986—),男,四川富順人,碩士研究生,主要研究方向:模擬集成電路設(shè)計(jì)。
余清華(1987—),男,福建寧化人,碩士研究生,主要研究方向:模擬集成電路設(shè)計(jì)。