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太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線中新型等離子體刻蝕機(jī)刻蝕工藝探討

2011-03-26 06:38:08陳特超馬度巴布李健志毛朝斌
電子工業(yè)專用設(shè)備 2011年6期
關(guān)鍵詞:硅片等離子體太陽(yáng)能

陳特超,馬度·巴布,李健志,毛朝斌

(1.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所,湖南長(zhǎng)沙410111 2.UAE Fujairah Ishan能源公司,印度)

當(dāng)石油、煤炭、天燃?xì)獾炔豢稍偕茉搭l頻告急,能源問題日益成為制約社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸時(shí),越來(lái)越多的國(guó)家開始實(shí)行“陽(yáng)光計(jì)劃”,開發(fā)太陽(yáng)能資源,尋求經(jīng)濟(jì)發(fā)展的新動(dòng)力。各國(guó)對(duì)環(huán)境的保護(hù)和對(duì)再生清潔能源的巨大需求,促使太陽(yáng)能電池制造技術(shù)不斷改進(jìn)以及新的光-電轉(zhuǎn)換裝置的發(fā)明??梢灶A(yù)見,太陽(yáng)能電池將是太陽(yáng)輻射能利用的一種比較切實(shí)可行的方法,可為人類未來(lái)大規(guī)模地利用太陽(yáng)能開辟?gòu)V闊的前景[1]。晶體硅太陽(yáng)能電池工藝中的等離子體刻蝕是將硅片周邊的擴(kuò)散層去除,使硅片兩面形成PN結(jié)。硅片周邊的擴(kuò)散層去除干凈與否,可由太陽(yáng)能電池的漏電流和并聯(lián)電阻來(lái)表征。等離子體刻蝕技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)此工藝的首選。在現(xiàn)有設(shè)備的基礎(chǔ)上優(yōu)化工藝,提升光伏電池性能已成為一種新的精細(xì)技術(shù)。

1 設(shè)備及條件

本工藝研究是在阿聯(lián)酋Fujairah酋長(zhǎng)國(guó)M icrosol公司進(jìn)行,設(shè)備為中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所研制的新一代等離子體刻蝕機(jī),該設(shè)備采用ICP技術(shù),配備國(guó)際領(lǐng)先水平的RF電源及干式真空泵,大大提高了設(shè)備的可靠性。與國(guó)內(nèi)現(xiàn)在普遍使用的第一代刻蝕機(jī)相比,它的產(chǎn)能大,故障率低,使用、維護(hù)費(fèi)用低,更適合于大規(guī)模工藝生產(chǎn)使用。設(shè)備原理圖如圖1[2]。

圖1 設(shè)備原理圖

2 工藝及實(shí)驗(yàn)

M icrosol公司是UAE首家太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)企業(yè),目前主要生產(chǎn)150mm×150mm方片單晶硅太陽(yáng)能電池片。本工藝實(shí)驗(yàn)采用150mm×150mm方片,每批刻蝕數(shù)量800片。實(shí)驗(yàn)分幾批進(jìn)行,分別采用改變功率、改變氣體用量、改變工藝時(shí)間、改變工藝壓力等方法進(jìn)行。測(cè)試采用抽檢和全部檢驗(yàn)相結(jié)合,刻蝕完成后先抽檢5片,樣片抽取方法為:最上面的第二片和最下面的第二片,中間的按等距離抽取。采用測(cè)量漏電流的方法檢測(cè)刻蝕效果。最后待電池片完成全部工藝生產(chǎn)工序后進(jìn)行綜合參數(shù)測(cè)試,檢測(cè)并聯(lián)電阻的大小及分布情況,根據(jù)合格要求判定刻蝕效果。

表1 不同功率參數(shù)的實(shí)驗(yàn)效果

表2 不同工藝氣體用量的實(shí)驗(yàn)效果

表3 不同工藝時(shí)間的實(shí)驗(yàn)效果

表4 不同工藝壓力的實(shí)驗(yàn)效果

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析

根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果,可以看出:

(1)隨著射頻功率的增加,刻蝕效果會(huì)更好,但不是說射頻功率越大越好,從上表中可見RF功率在850W時(shí),刻蝕效果反而不好,而且刻蝕后硅片溫升很快,刻蝕完成后硅片溫度較高。可能的原因是功率加大后,反應(yīng)生成的F-C聚合物較多,沉積能力增強(qiáng),不能及時(shí)抽走,部分沉積在硅片表面,導(dǎo)致刻蝕速率變慢。

(2)隨著氣體用量的變化,刻蝕效果也跟著變化,氧含量較高時(shí),刻蝕效果較好,可能的原因是氧及時(shí)的與產(chǎn)生的聚合物反應(yīng),生成氣態(tài)化合物被抽走,增加了F-的濃度,加快了刻蝕速率。

(3)隨著時(shí)間的增加,刻蝕效果變好,時(shí)間越長(zhǎng)刻蝕越好。但時(shí)間太長(zhǎng),刻蝕的溫升越高,在刻蝕65min后,硅片溫度有90℃左右,不能用手取片。而且時(shí)間越長(zhǎng),刻蝕后硅片表面滲透刻蝕的現(xiàn)象越嚴(yán)重,我們需要的是在最短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到最好的刻蝕效果,這樣才能使產(chǎn)量提高。

(4)隨著反應(yīng)壓力的變化,刻蝕效果也有變化。反應(yīng)壓力小,氣體分子間平均自由程長(zhǎng),但等離子體的密度較低,所以刻蝕效果不好;壓力高,等離子體密度高,反應(yīng)速度快,刻蝕速率高。當(dāng)壓力大于80 Pa時(shí)本機(jī)不能正常工作。

4 結(jié) 論

本文根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果確定了新型刻蝕機(jī)最佳工藝參數(shù),即 CF4/O2為 360/60,反應(yīng)壓力 40 Pa,RF功率750W,刻蝕時(shí)間25 m in,經(jīng)過后來(lái)連續(xù)幾天的規(guī)?;a(chǎn),均能得到一致的結(jié)果。

[1]中投顧問.2010-2015年中國(guó)太陽(yáng)能電池行業(yè)投資分析及前景預(yù)測(cè)報(bào)告[EB/OL].http://www.ocn.com.cn.2010-11.

[2]王崢,任毅.我國(guó)太陽(yáng)能資源的利用現(xiàn)狀與產(chǎn)業(yè)發(fā)展[J].資源與產(chǎn)業(yè),2010,12(2):89-92.

[3]陳特超,謝利華.太陽(yáng)能電池線中的新型等離子體刻蝕機(jī)的研制[J].電子工業(yè)專用設(shè)備,2010,39(8):41-44.

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