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創(chuàng)新的模擬放大器,獲得QML V認(rèn)證

2011-04-01 22:37
電子設(shè)計(jì)工程 2011年20期
關(guān)鍵詞:抗輻射離子化意法

意法半導(dǎo)體宣布其歐洲抗輻射航天用半導(dǎo)體產(chǎn)品組合新增四款獲得QML V官方認(rèn)證的放大器芯片。新產(chǎn)品的認(rèn)證進(jìn)一步鞏固了意法半導(dǎo)體抗輻射模擬器件的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。意法半導(dǎo)體的抗輻射模擬器件具有極強(qiáng)的抗輻射性能,在已發(fā)現(xiàn)的惡劣太空環(huán)境中能夠正常運(yùn)行,確保設(shè)備具有更長(zhǎng)的耐用性。

意法半導(dǎo)體以300 krad(Si)的標(biāo)準(zhǔn)抗離子化輻射能力(總離子化劑量測(cè)試,簡(jiǎn)稱(chēng)TID)(包括抗低速率輻射測(cè)試)而成為航天工業(yè)的半導(dǎo)體器件抗輻射參考標(biāo)準(zhǔn)。無(wú)增強(qiáng)型低劑量速率敏感效應(yīng)(ELDRS-free)芯片讓意法半導(dǎo)體成為首家獲得抗輻射保證 (RHA)認(rèn)證的半導(dǎo)體供應(yīng)商。通過(guò)推出無(wú)單粒子閂鎖(SEL)效應(yīng)和無(wú)單粒子錯(cuò)誤中斷(SEFI)效應(yīng)的器件,意法半導(dǎo)體取得了市場(chǎng)上最高的抗離子化輻射能力,將防止重離子引起燒傷的抗輻射技術(shù)提高至新的水平。在這些新產(chǎn)品中,意法半導(dǎo)體領(lǐng)先市場(chǎng)的尖端技術(shù)還包括單粒子瞬變(SET)保護(hù)功能。單粒子瞬變現(xiàn)象是重離子引起的瞬間錯(cuò)誤,是航天用模擬器件必須克服的一大挑戰(zhàn)。

新產(chǎn)品包括以下四款芯片:

1)RHF484:由4個(gè)RHF43B組成的4路運(yùn)算放大器,可替代工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器芯片,采用Flat-14W封裝,2011年通過(guò)QML V認(rèn)證。 2)RHF310和RHF330是超低功耗5V運(yùn)算放大器,是各種信號(hào)調(diào)節(jié)應(yīng)用的理想選擇。120MHz和1.0GHz兩個(gè)型號(hào)已取得QML V證書(shū)。另一款產(chǎn)品550 MHz RHF350預(yù)計(jì)于2011年第四季度通過(guò)認(rèn)證。 3)意法半導(dǎo)體航天用模擬器件在設(shè)計(jì)方面特別關(guān)注單粒子瞬變效應(yīng),并經(jīng)過(guò)了全面的特征化分析,擁有瞬間錯(cuò)誤脈沖的振幅低,時(shí)間短的特性。4)意法半導(dǎo)體的抗輻射模擬芯片均采用BICMOS制程,功耗極低。在法國(guó)國(guó)家宇航空研究中心(CNES)的積極支持下,這些器件通過(guò)測(cè)試后直接進(jìn)入歐洲產(chǎn)品目錄(EPPL)。

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