由我校理學(xué)院張海明副教授等承擔(dān)的天津市科技計(jì)劃項(xiàng)目“硅基氧化鋁模板合成ZnO納米結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)發(fā)射性能研究”于2012年6月28日通過(guò)市科委組織的專家驗(yàn)收.

本項(xiàng)目通過(guò)合理控制電解液溫度、氧化時(shí)間，在草酸、磷酸溶液中制備了硅基AAO模板，滿足了光電器件的制備要求.通過(guò)使用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的磷酸溶液實(shí)現(xiàn)了對(duì)AAO模板的精確刻蝕；通過(guò)光刻結(jié)合二次陽(yáng)極氧化技術(shù)，在硅基上制備了圖案化AAO模板，為硅基AAO模板走向應(yīng)用打下了重要基礎(chǔ)；通過(guò)采用溶膠、凝膠法、CVD技術(shù)和電化學(xué)沉積技術(shù)，在硅基AAO模板內(nèi)成功合成了ZnO量子點(diǎn)、量子線納米結(jié)構(gòu)；通過(guò)采用SEM、EDX、XRD、La-man等手段研究了ZnOIAAO/Si納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的形貌和結(jié)構(gòu)；通過(guò)PL和場(chǎng)發(fā)射測(cè)試，研究了ZnO/AAO/Si納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的光電性能.場(chǎng)發(fā)射測(cè)試結(jié)果表明:ZnOIAAO/Si納米復(fù)合結(jié)構(gòu)具有很好的場(chǎng)發(fā)射性能，場(chǎng)增強(qiáng)因子β值為2490，場(chǎng)增強(qiáng)因子很高，預(yù)計(jì)在場(chǎng)發(fā)射方面會(huì)有很好的應(yīng)用前景.