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中微第二代等離子體刻蝕設(shè)備首次在中國試運(yùn)安裝;用于32~28 nm芯片加工

2012-03-30 21:59:03
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年4期
關(guān)鍵詞:試運(yùn)中微等離子體

中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡稱“中微”)于SEMICON China展會期間宣布,中微第二代等離子體刻蝕設(shè)備Primo AD-RIETM正式裝配國內(nèi)技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片代工企業(yè)中芯國際,用于32~28 nm及更先進(jìn)的芯片加工。這是繼去年SEMICON West展會期間 Primo AD-RIETM正式發(fā)布以來,中微Primo AD-RIETM設(shè)備首次進(jìn)入中國大陸客戶生產(chǎn)線。目前,中微第一代等離子體刻蝕設(shè)備Primo D-RIETM已在中國建立了穩(wěn)固的市場地位。Primo AD-RIETM設(shè)備也已進(jìn)入臺灣客戶的生產(chǎn)線。

到目前為止,中微的刻蝕設(shè)備已進(jìn)入11家客戶的14條芯片生產(chǎn)線,客戶涵蓋中國大陸、臺灣、新加坡和南韓等地的整合器件制造商(IDM)、晶圓代工廠、芯片封裝廠等。這其中也包括中微近日發(fā)布的TSV硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200ETM,為中微開辟了新的市場。綜合來看,中微的設(shè)備均擁有生產(chǎn)率高、工藝性能出色、操作簡便、成本競爭優(yōu)勢明顯等優(yōu)點(diǎn)。隨著亞洲地區(qū)對半導(dǎo)體設(shè)備的需求日漸增長,中微不斷拓展產(chǎn)品線使之日趨多元化,從而邁入了快速發(fā)展的軌道,2011年中微的銷售額較2010年增長了2倍多。同時,為了滿足企業(yè)自身發(fā)展的需求,中微位于上海的二期大樓也將竣工,屆時將增加10 000 m2的生產(chǎn)基地。

Primo AD-RIETM設(shè)備是中微第二代甚高頻去耦合等離子體刻蝕設(shè)備,可滿足多種關(guān)鍵生產(chǎn)工藝要求。繼第一代已被業(yè)界廣泛認(rèn)可的Primo D-RIETM之后,Primo AD-RIETM采用了更多技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn),以解決生產(chǎn)復(fù)雜的22~14 nm芯片所帶來的挑戰(zhàn),同時確保芯片加工的質(zhì)量。這些技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)包括:可切換頻率的射頻系統(tǒng)保證了刻蝕的靈活性和可重復(fù)性,更好的調(diào)諧能力確保了超精細(xì)關(guān)鍵尺寸的均勻度和可重復(fù)性,改良的反應(yīng)室室內(nèi)材料減少了工藝缺陷并降低了成本消耗。

欲了解更多關(guān)于Primo AD-RIETM的信息,請訪問 www.amec-inc.com/products/ADRIE.php。

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