上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司（以下簡稱“宏力半導(dǎo)體”），專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造領(lǐng)先企業(yè)，宣布成功建立國內(nèi)首個0.18 μm“超低漏電”(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式閃存工藝平臺。

0.18 μm“超低漏電”嵌入式閃存工藝平臺由宏力半導(dǎo)體自主開發(fā)完成。此次推出的“超低漏電”工藝平臺在宏力半導(dǎo)體現(xiàn)有的0.18 μm“低功耗”（Low-Power，LP）工藝平臺上實現(xiàn)了進(jìn)一步技術(shù)提升，其N/P晶體管在1.8 V操作電壓下可分別輸出與“低功耗”工藝等同的525/205 μA/μm驅(qū)動電流，但其N/P管靜態(tài)漏電分別僅為0.6 pA/μm和0.2 pA/μm，達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。

0.18 μm“超低漏電”嵌入式閃存工藝平臺生產(chǎn)的芯片具有超低漏電(小于1pA/μm)、靜態(tài)功耗低的特點，在電池容量有限的情況下能夠提供更長的待機(jī)時間?；谠撈脚_生產(chǎn)的低功耗微控制器（MCU）、觸摸屏控制芯片（TouchPanelController）主要適用于平板電腦、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)等手持式便攜設(shè)備。