郭學杰,裴萬生,余祖元,李劍中
(大連理工大學機械工程學院,遼寧大連116024)
與傳統(tǒng)機械相比,微機械體積小、耗能低、性能穩(wěn)定,在航空航天、醫(yī)學、生化、通訊等領(lǐng)域具有廣泛需求。而微細電火花加工作為微細加工技術(shù)的一種,因其可加工任何導電材料而無需考慮材料的硬度,而被廣泛應(yīng)用于微孔和微型磨具的加工。日本學者發(fā)明了線電極磨削技術(shù)[1],解決了微細工具電極的在線制作問題,推動了微細電火花技術(shù)的應(yīng)用,同時促進了對微細電火花加工技術(shù)的深入研究。余祖元等通過復(fù)合電極搖動和工件超聲振動的方法加工出了深徑比達29的微孔[2]。
本文利用三軸微細電火花加工機床,通過直線插補與圓弧插補方法,分別加工出了圓錐臺、四棱臺以及帶有圓弧曲面的微細異型電極,并獲得了較高的加工尺寸精度。
數(shù)控加工中,按脈沖驅(qū)動方式的不同有脈沖增量插補和數(shù)字增量插補。脈沖增量插補主要用于步進電機驅(qū)動的開環(huán)系統(tǒng);數(shù)字增量插補主要用于采用交、直流伺服電機為伺服驅(qū)動系統(tǒng)的閉環(huán)、半閉環(huán)數(shù)控系統(tǒng),也可用于以步進電機為伺服驅(qū)動系統(tǒng)的開環(huán)數(shù)控系統(tǒng)。本文所用實驗機床為雙閉環(huán)直流伺服系統(tǒng),因而選用了數(shù)據(jù)采樣插補法。
直線插補的基本原理如圖1所示,假設(shè)要加工的直線OP在XY平面上,起點坐標為坐標原點O(0,0),終點坐標P為(x0,y0),刀具進給方向和X軸夾角為θ。設(shè)插補進給步長為 Δ L,則插補步數(shù)N為:
數(shù)控加工中,插補步數(shù)應(yīng)是整數(shù),即應(yīng)對上式的結(jié)果取整。插補過程中,前(N-1)步所走步長均為Δ L,第N步走完剩余長度。通過取速度的正弦值和余弦值來保證X、Y軸同時到達終點。
圖1 直線插補原理
圓弧插補的基本原理如圖2所示,設(shè)圓弧起點與終點為 A(x0,y0),B(xe,ye)。P(xi,yi),Q(xi+1,yi+1)為相鄰兩個插補點。根據(jù)圓的參數(shù)方程有:
式中:R為圓弧半徑,θ為步長 Δ L所對應(yīng)的步距角。
由P、Q兩點的坐標可計算出弦PQ與X軸的夾角,進而計算出每步X軸、Y軸的速度。設(shè)插補進給步長為 Δ L,則加工圓弧AB的插補步數(shù)N為:
同直線插補一樣,插補步數(shù)須為正整數(shù),即前(N-1)步每步所走角度為步距角 θ,第 N步走完剩余角度。
圖2 圓弧插補原理
根據(jù)以上直線插補與圓弧插補原理,本文使用labview編制的插補算法(圖3)。
圖3 基于labview的插補算法
微細電極的制備采用線電極電火花磨削(WEDG)方法。如圖4所示,線電極在導向輪上連續(xù)低速移動,工件(待成形的工具電極)則根據(jù)需要隨機床主軸旋轉(zhuǎn)和進行三維運動。若通過所設(shè)計的插補算法,實現(xiàn)主軸在XZ平面走斜線與圓弧軌跡,并配合主軸的旋轉(zhuǎn)與否,則可在三軸臥式微細電火花機床上加工出圓錐、棱臺等各種形狀復(fù)雜的微細異型電極。
圖4 WEDG加工原理圖
圖5為預(yù)加工微細異型電極的設(shè)計尺寸,表1為其加工參數(shù),圖6為其在臥式微細電火花機床上的實際加工結(jié)果照片。
表1 微細異型電極加工參數(shù)
圖5 微細異型電極的設(shè)計尺寸
圖6 加工的微細異型電極
加工后微細異型電極的尺寸測量在SMS&OLYSIM測量顯微鏡上進行。設(shè)計尺寸、測量結(jié)果及尺寸誤差如見2~表4。由表2~表4可知,微細異型電極加工后的尺寸相對誤差均在2%以內(nèi),說明插補算法有較高的精度。
表2 圓錐臺尺寸誤差
表3 四棱臺尺寸誤差
表4 曲面電極尺寸誤差
(1)放電間隙
為研究加工條件下放電間隙的變化,預(yù)先進行了10組微孔的加工,表5為通過測量孔徑與電極直徑后計算出的放電間隙。由表5可見,同樣條件下加工獲得的微孔,其放電間隙在11.2~18.3 μm的范圍變化,說明放電間隙具有隨機性,因而導致異型電極加工的尺寸誤差。
表5 鉆孔實驗的放電間隙 μm
(2)機床精度
插補的思想是用微小折線來逼近所要加工的線形,進給步長 Δ L越小則插補點越多,插補曲線就越接近所要加工的線形,加工精度也就越高;但 Δ L的取值也要考慮到機床運動平臺的最小分辨率。實驗加工設(shè)備采用德國 Physik Instrumente公司的M-521型高精度運動平臺,其最小分辨率為0.1 μm。因而實驗中 Δ L的值取為0.3 μm,這是導致異型電極加工誤差的另一原因。提高機床運動平臺的精度,減小進給步長,能減小電極尺寸誤差。
(3)測量誤差
測量采用的SMS&OLYSIM測量顯微鏡,其測量誤差為±1 μm。也是導致異型電極加工誤差的原因之一。多次測量求平均值,可減小電極尺寸誤差。
采用直線插補與圓弧插補算法,在三軸微細電火花機床上實際加工出了圓錐臺、四棱臺以及帶有曲面的微細異型電極,并對微細異型電極尺寸誤差進行計算,其相對誤差均在2%以內(nèi),說明插補算法有較高的精度。本文最后對微細異型電極尺寸誤差的形成原因作了全面分析,分析得到放電間隙的隨機性、機床運動精度、尺寸測量精度等均是導致誤差形成的原因。
[1] Masuzawa T,Fujino M,Kobayashi K,et al.Wire electro-discharge grinding for micro-machining[J].Annals of the CIRP,1985,34(1):213-216.
[2] Yu Zuyuan,Zhang Y,Li J,et al.High aspect ratio micro-hole drilling aided with ultrasonic vibration and planetary movement of electrode by micro-EDM[J].Annals of the CIRP,2009,58:213-216.