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通過(guò)PVDF陣列測(cè)量體積位移的實(shí)驗(yàn)研究*

2012-06-10 08:08毛崎波
傳感技術(shù)學(xué)報(bào) 2012年8期
關(guān)鍵詞:邊界條件模態(tài)體積

毛崎波

(南昌航空大學(xué)飛行器工程學(xué)院,南昌330063)

近幾年來(lái),壓電智能材料(Piezoelectric Smart Material)特別是具有密度低、機(jī)械韌性好、可塑性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)的高分子壓電薄膜PVDF(Polyvinylidene Fluoride)作為壓電式傳感器在結(jié)構(gòu)聲有源控制ASAC(Active Structural Acoustic Control)中的應(yīng)用越來(lái)越引起關(guān)注[1-6]。由于振動(dòng)結(jié)構(gòu)的聲功率為其表面法向速度的函數(shù),表面法向速度的分布不同對(duì)聲功率的貢獻(xiàn)不同,所以合理的壓電式傳感器應(yīng)該只測(cè)量對(duì)聲輻射起主要貢獻(xiàn)的結(jié)構(gòu)振動(dòng)。最近有學(xué)者提出通過(guò)抵消體積位移(Volume Displacement)設(shè)計(jì)ASAC系統(tǒng),并對(duì)壓電式體積位移傳感器的設(shè)計(jì)方法進(jìn)行了理論和實(shí)驗(yàn)研究[7-9]。這一方法的主要特點(diǎn)是利用模態(tài)的正交性得到特定形狀的PVDF傳感器形狀,本文稱之為“模態(tài)方法”。但是隨著研究的深入,發(fā)現(xiàn)這種傳感器設(shè)計(jì)方法存在如下問(wèn)題難以解決:對(duì)于一種邊界條件,就需要一種特定形狀的PVDF傳感器,邊界條件的變化有可能使所設(shè)計(jì)的PVDF傳感器的輸出有很大的誤差。PVDF薄膜的形狀有可能很復(fù)雜,難以加工。

[10-13]提出了另一種模態(tài)傳感器的設(shè)計(jì)方法,其基本思路為通過(guò)在振動(dòng)結(jié)構(gòu)表面上布置一組相同形狀的矩形PVDF薄膜陣列,然后通過(guò)設(shè)計(jì)這組PVDF陣列的加權(quán)系數(shù),測(cè)量振動(dòng)結(jié)構(gòu)的體積位移或聲輻射模態(tài)。在此前發(fā)表的論文中,作者對(duì)此進(jìn)行了大量的理論和實(shí)驗(yàn)研究[9-11,14-16]。進(jìn)一步的研究表明通過(guò)這種方法所設(shè)計(jì)的PVDF薄膜并不需要覆蓋整個(gè)結(jié)構(gòu)的表面。但是這種方法的基本思想還是利用模態(tài)的正交性,所以在確定PVDF傳感器的加權(quán)系數(shù)時(shí)必須預(yù)先解得結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)模態(tài)(振型函數(shù))。

為了解決這些問(wèn)題,本文以一未知邊界條件的振動(dòng)梁為例,提出通過(guò)測(cè)量 PVDF陣列中各個(gè)PVDF薄膜與激勵(lì)力之間的頻率響應(yīng)函數(shù),并結(jié)合偽逆方法和Tikhonov正則化方法設(shè)計(jì)PVDF陣列的加權(quán)系數(shù),從而得到所需的體積位移。

1 基本理論

假設(shè)有一鑲嵌在無(wú)限障板中的振動(dòng)梁,長(zhǎng)度為L(zhǎng)x,寬度為 Ly,厚度為 h。根據(jù)參考文獻(xiàn)[7,10]可知,體積位移D為振動(dòng)梁表面法向位移w(x)在整個(gè)梁表面上的積分,即

從聲輻射模態(tài)理論可知,體積位移與第1階聲輻射模態(tài)的幅值成正比,在低頻時(shí)第1階聲輻射模態(tài)對(duì)聲功率起主要貢獻(xiàn)[3-4]。Berry[17]進(jìn)一步指出,當(dāng)作用在梁上激勵(lì)力的無(wú)量綱頻率k·Lx?1時(shí)(其中k為波數(shù),k=ω/c0,ω為激勵(lì)力頻率,c0為聲速),聲功率W可表示為

式中ρ0為空氣的密度。

從式(2)可知,低頻時(shí)梁的聲功率與體積位移有直接關(guān)系。如果抵消了體積位移,就能使振動(dòng)結(jié)構(gòu)低頻時(shí)的聲功率明顯降低。

2 PVDF傳感器的設(shè)計(jì)

考慮在振動(dòng)梁上均勻布置N塊同樣形狀的矩形PVDF薄膜,如圖1所示。假設(shè)第n個(gè)PVDF的其輸出電荷為Qn,為了測(cè)量各階模態(tài)坐標(biāo),我們通過(guò)對(duì)每個(gè)PVDF設(shè)計(jì)不同的加權(quán)系數(shù),其基本思路如圖2所示。從圖2中可以看出,經(jīng)過(guò)加權(quán)后,這組PVDF傳感器的輸出為

式中:Wn表示第n個(gè)PVDF傳感器未知的加權(quán)系數(shù)。

圖1 PVDF示意圖

圖2 通過(guò)PVDF陣列測(cè)量體積位移示意圖

下面的任務(wù)是如何設(shè)計(jì)恰當(dāng)?shù)募訖?quán)系數(shù)W使得經(jīng)過(guò)加權(quán)后這組PVDF陣列的輸出電荷 ^D等于體積位移D。

考慮到在實(shí)際工程應(yīng)用中,一般情況下振動(dòng)梁的邊界條件或模態(tài)信息為未知。所以我們無(wú)法通過(guò)傳統(tǒng)的模態(tài)方法[10-13,18]設(shè)計(jì) PVDF 陣列的加權(quán)系數(shù)。為此我們提出偽逆方法設(shè)計(jì)PVDF陣列的加權(quán)系數(shù),首先假設(shè)在一定頻率范圍內(nèi),通過(guò)一已知激勵(lì)力下的體積位移D(ω),并測(cè)量到該激勵(lì)力與PVDF薄膜之間的頻率響應(yīng)函數(shù)Gn(ω)。

由式(3)可知,通過(guò)PVDF測(cè)量的體積位移D=^D可以表示為頻率響應(yīng)函數(shù)Gn(ω)和相應(yīng)PVDF加權(quán)系數(shù)Wn的線性組合,即

假設(shè)在式(4)中選取L(L>N)個(gè)頻率,則式(4)可以進(jìn)一步表示為矩陣形式,即

式中:G矩陣的(l,n)元素為第n個(gè)PVDF在頻率為ωl時(shí)的輸出電荷。G和為復(fù)數(shù)矩陣,而W為實(shí)向量。

把式(5)代入式(6)得

從式(7)可知,可以定義誤差準(zhǔn)則J為

可以通過(guò)最小化式(8)即可得到PVDF陣列的加權(quán)系數(shù)向量W。注意到式(8)中WHGHGW=DHD=|D|2>0,所以矩陣GHG為正定。式(8)為標(biāo)準(zhǔn)Hermitian二次方形式,具有唯一的最小值。根據(jù)線性均分優(yōu)化理論,可以得到最優(yōu)解:

式中:G+=[GHG]-1GH為G矩陣的偽逆。上標(biāo) H表示復(fù)共軛轉(zhuǎn)置。

通過(guò)式(9)直接求解加權(quán)系數(shù)向量W存在的主要困難在于無(wú)法保證矩陣G不是病態(tài)的,有可能導(dǎo)致G矩陣中的測(cè)量誤差在計(jì)算過(guò)程中被非線性放大,使得通過(guò)式(9)得到的加權(quán)系數(shù)偏離精確解。所以本文引入Tikhonov正則化方法求解方程(8),Tikhonov正則化的基本思路是在式(8)的誤差準(zhǔn)則中加入一額外的約束,式(8)中的誤差準(zhǔn)則重新表示為[19-21]

式中:α為正則化參數(shù)(正實(shí)數(shù))。在未知測(cè)量誤差的情況下,可以通過(guò)廣義交叉驗(yàn)證[18]GCV(Generalized Cross-Validation)方法確定正則化參數(shù)α,即

式中:Tr表示括號(hào)內(nèi)矩陣的對(duì)角元素之和,B(β)=GT(GGT+αI)-1。

由參考文獻(xiàn)[19-21]可知,式(10)的最優(yōu)解為

這樣通過(guò)式(12)就可得到測(cè)量體積位移的PVDF陣列加權(quán)系數(shù)W。需要指出的是,本文方法不需要結(jié)構(gòu)的模態(tài)信息或邊界條件。還需要指出的是,只要把PVDF的電流信號(hào)作為輸出,就可以測(cè)量體積速度[9]。

3 實(shí)驗(yàn)研究

為了驗(yàn)證本文的設(shè)計(jì)方法,取一鋁梁長(zhǎng)Lx=500 mm,寬Ly=40 mm,厚h=3.3 mm進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究。通過(guò)在梁上均勻粘貼N=10塊相同形狀的矩形PVDF薄膜作為傳感器測(cè)量該粱的體積位移,實(shí)驗(yàn)裝置如圖3所示。實(shí)驗(yàn)測(cè)量的前7階固有頻率如表1所示,在表1中同時(shí)列出了該梁在兩端簡(jiǎn)支和兩端固定的前7階固有頻率的理論值。從圖2和表1可以發(fā)現(xiàn),實(shí)驗(yàn)裝置中振動(dòng)梁的邊界條件介于簡(jiǎn)支和固定之間。PVDF傳感器的物理參數(shù)如表2所示。

圖3 實(shí)驗(yàn)照片

表1 實(shí)驗(yàn)梁前9階固有頻率(Hz)

表2 PVDF傳感器的物理參數(shù)

實(shí)驗(yàn)中,用一懸掛激振器作為外部力源位于xd處,通過(guò)PCB力傳感器(型號(hào):208A04)測(cè)量輸入力,B&K Pulse動(dòng)態(tài)分析儀進(jìn)行正弦掃頻(Sweep-Sine),通過(guò)功率放大器驅(qū)動(dòng)激勵(lì)器,頻率范圍從5 Hz到2 000 Hz。首先外部力源位于xd=125 mm處,測(cè)量輸入力和PVDF薄膜的傳遞函數(shù)G(ω)。并把梁均勻分成25個(gè)測(cè)量點(diǎn),通過(guò)加速度計(jì)(型號(hào):PCB333B31)逐點(diǎn)測(cè)量輸入力和各測(cè)量點(diǎn)位移之間的傳遞函數(shù) H(ω)。把式(1)進(jìn)行離散化[5,8],在 xd位置下幅值1 N的點(diǎn)力激勵(lì)時(shí)的體積位移可表示為:

把測(cè)量的PVDF傳遞函數(shù)G(ω)和通過(guò)式(13)計(jì)算得到的體積位移D(ω)代入式(12),可以得到PVDF陣列的加權(quán)系數(shù)W。圖4表示根據(jù)式(12)得到的PVDF加權(quán)系數(shù)直方圖。圖5表示通過(guò)加速度計(jì)測(cè)量得到的體積位移與通過(guò)PVDF陣列得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果比較。從圖5可以發(fā)現(xiàn),體積位移在偶數(shù)階(2,4和6)模態(tài)均出現(xiàn)較大的峰值,這表明實(shí)驗(yàn)中梁兩端的邊界條件并非簡(jiǎn)單固定或簡(jiǎn)支。這意味著本文的PVDF陣列設(shè)計(jì)方法可用于任意邊界下振動(dòng)梁體積位移的測(cè)量。

圖4 PVDF傳感器的加權(quán)系數(shù)Wn

圖5 分別通過(guò)PVDF陣列和加速度計(jì)測(cè)量體積位移幅值和相位(激勵(lì)力位于xd=125 mm)

由于PVDF陣列的加權(quán)系數(shù)與外激勵(lì)力性質(zhì)(如激勵(lì)力類型、頻率以及位置等)無(wú)關(guān)[8-11],所以可以通過(guò)該加權(quán)系數(shù)通過(guò)式(4)計(jì)算任意激勵(lì)下體積位移。圖6表示當(dāng)激勵(lì)力移動(dòng)到xd=330 mm時(shí),通過(guò)圖4所示的PVDF加權(quán)系數(shù)得到的體積位移與實(shí)際體積位移(通過(guò)加速度計(jì)測(cè)量得到)之間的比較。從圖5和圖6中可以發(fā)現(xiàn),在大部分頻率范圍內(nèi),PVDF陣列輸出與加速度計(jì)測(cè)量的體積位移吻合得很好。與作者之前通過(guò)模態(tài)方法結(jié)合PVDF陣列實(shí)驗(yàn)測(cè)量的聲輻射模態(tài)[7,9](第一階聲輻射模態(tài)幅值與體積位移成正比)相比,本文PVDF陣列的實(shí)驗(yàn)精度大為提高。這是由于模態(tài)方法必須預(yù)先知道實(shí)驗(yàn)梁的模態(tài)信息,但是實(shí)驗(yàn)中梁的邊界條件與理想情況(一般假設(shè)為簡(jiǎn)支或固定)會(huì)有一定誤差。這些邊界條件的誤差會(huì)導(dǎo)致PVDF傳感器的測(cè)量誤差就隨著頻率提高而增加[14-16]。而本文直接通過(guò)偽逆方法結(jié)合Tikhonov正則化設(shè)計(jì)PVDF陣列體積位移傳感器,不需要振動(dòng)結(jié)構(gòu)任何模態(tài)或邊界條件信息。從而使得本文的PVDF加權(quán)系數(shù)以及測(cè)量結(jié)果更加精確。

圖6 分別通過(guò)PVDF陣列和加速度計(jì)測(cè)量體積位移幅值和相位(激勵(lì)力位于xd=330 mm)

4 結(jié)束語(yǔ)

本文通過(guò)一組矩形PVDF薄膜測(cè)量未知邊界條件下振動(dòng)梁的體積位移。這種方法的優(yōu)點(diǎn)在于只需要測(cè)量一組在某一激勵(lì)力下PVDF陣列的頻率響應(yīng)函數(shù)以及在該激勵(lì)力下的體積位移,就可以通過(guò)偽逆方法結(jié)合Tikhonov正則化得到PVDF陣列的加權(quán)系數(shù),該P(yáng)VDF加權(quán)系數(shù)可用于計(jì)算任意激勵(lì)下的體積位移。本文方法的另一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)是不需要任何模態(tài)信息或邊界條件信息。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明本文方法的測(cè)量精度比模態(tài)方法[9-13]大為提高。

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