■ 本刊記者 劉星

日前，在PCIM亞洲2012電力電子世博展上，三菱電機集中展示了最新開發(fā)的散熱性能好、可靠性強的大電流功率MPD系列IGBT模塊，以及高性能、超可靠、低損耗的J系列EV-IPM和EV T-PM汽車用功率半導(dǎo)體模塊。

在功率半導(dǎo)體最新的技術(shù)發(fā)展方面，三菱電機的IGBT芯片技術(shù)一直在進(jìn)步。第三代的IGBT是平板型的構(gòu)造，第四代是一個勾槽型的構(gòu)造，第五代成為CSTBT，第六代是超薄化。目前，三菱電機正在開發(fā)的第七代IGBT，試圖把CSTBT的構(gòu)造進(jìn)一步優(yōu)化，微細(xì)化和超薄化，改善關(guān)斷損耗對飽和壓降的折中比例，提高功率半導(dǎo)體的性能。

在封裝技術(shù)方面，三菱電機對小容量消費類DIPIPM產(chǎn)品采用了壓注膜的封裝辦法。在中容量工業(yè)產(chǎn)品、混合動力和電動汽車的New-MPD產(chǎn)品中，采用了盒式封裝。在大容量，特別是用在高鐵上的產(chǎn)品中，采用了碳化硅鋁的芯片，然后用盒式封裝完成。從性能系數(shù)（FOM）來看，第六代已比第一代提高了16倍。如果第七代IGBT和碳化硅功率器件通過減少無效區(qū)間、超微細(xì)化等工序，可提高26倍。

三菱電機今后開發(fā)的技術(shù)方向，就是朝新綁定技術(shù)、高性能和高功率密度化方向發(fā)展。對于高耐壓的產(chǎn)品來說，將進(jìn)一步提升高功率密度化、高功率循環(huán)和溫度循環(huán)、提高產(chǎn)品的壽命和絕緣的電壓，同時降低熱抵抗。

三菱電機的董事技術(shù)總監(jiān)Gourab Majumdar博士指出：“三菱電機的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品早已穩(wěn)站全世界第一，因此，下一個目標(biāo)是成為絕對第一，即要拉開與第二位的距離。到2015年時，全球銷售收入達(dá)到1900億日元的目標(biāo)。”

三菱電機加大了在中國國內(nèi)的生產(chǎn)規(guī)模，除在原有的OEM工廠生產(chǎn)DIPIPM外，還在合肥市新設(shè)了一家合資企業(yè)，并將于今年1月份開始生產(chǎn)，主要產(chǎn)品就是DIPIPM、工業(yè)用的IGBT。三菱在前年收購了Vincotech，將彼此的產(chǎn)品進(jìn)行一個相加效應(yīng)，在綠色能源方面發(fā)揮了更大作用。

在IGBT的市場份額上，自2008年全球金融危機以后，三菱電機跑贏了整個市場。據(jù)調(diào)查公司提供的2011年數(shù)據(jù)來看，三菱電機IGBT的市場份額，大概占全球三分之一左右。從銷售區(qū)域來看，還是以日本為主，占總市場份額的49%，在亞洲由于中國空調(diào)的變頻化發(fā)展趨勢，所以比前幾年有所增長。另外，由于今年受到全球經(jīng)濟(jì)萎縮的影響，估計銷售可能比2011年有所下降。