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125 m m 低阻硅拋光片清洗技術(shù)研究

2012-10-24 05:07楊洪星
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年6期
關(guān)鍵詞:色斑硅片活性劑

耿 莉,楊洪星

(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所,天津 300220)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,硅拋光片清洗設(shè)備由原來(lái)的手動(dòng)設(shè)備、半自動(dòng)設(shè)備逐步發(fā)展到全自動(dòng)清洗設(shè)備階段,國(guó)際上,全自動(dòng)清洗設(shè)備已經(jīng)成熟,通常帶有一套較為成熟的工藝,這樣可縮短設(shè)備調(diào)試時(shí)間,盡快將設(shè)備投入到生產(chǎn)當(dāng)中,但價(jià)格昂貴。近年來(lái),國(guó)內(nèi)設(shè)備生產(chǎn)廠家加大了全自動(dòng)清洗設(shè)備的研發(fā)投入,并取得了較大的進(jìn)步,相比于進(jìn)口設(shè)備,國(guó)產(chǎn)設(shè)備價(jià)格便宜,但無(wú)成熟的工藝與設(shè)備相匹配,需要采購(gòu)廠家進(jìn)行工藝探索,在工藝調(diào)試時(shí)間上相應(yīng)要增長(zhǎng),部分設(shè)備被國(guó)內(nèi)硅片生產(chǎn)廠成功運(yùn)用于硅片生產(chǎn)當(dāng)中。本單位采購(gòu)了一臺(tái)國(guó)產(chǎn)硅片全自動(dòng)清洗機(jī),用于50~150 mm(2~6 英寸)硅單晶拋光片的預(yù)清洗。

在設(shè)備調(diào)試過(guò)程中,125 mm 硅拋光片清洗過(guò)程中出現(xiàn)邊緣“色斑”現(xiàn)象。本文對(duì)“色斑”現(xiàn)象進(jìn)行了分析,通過(guò)對(duì)清洗液配比、清洗溫度以及快排沖洗等進(jìn)行研究,解決了125 mm 硅拋光片表面的“色斑”現(xiàn)象。

1 試驗(yàn)

(1)樣品參數(shù)

直徑:125 mm;

電阻率:0.001~0.005 Ω·cm;

晶向:<111>偏<110>4°±1°;

晶片表面經(jīng)正常拋光工藝進(jìn)行拋光。

(2)清洗設(shè)備

HL-WA08型硅片全自動(dòng)清洗機(jī)。

(3)工藝流程

上料位→氫氟酸浸泡清洗→溢流清洗→RCA1# 超聲清洗→快排清洗→RCA2# 浸泡清洗→快排清洗→下料位→甩干→檢驗(yàn)

快排清洗槽的原理圖見(jiàn)圖1,各裝置的開(kāi)啟時(shí)間、關(guān)閉時(shí)間均可獨(dú)立控制,并且各裝置開(kāi)啟、關(guān)閉的順序也可獨(dú)立控制。

圖1 快排清洗槽原理圖

(4)試驗(yàn)方案

針對(duì)拋光片表面存在“色斑”現(xiàn)象的問(wèn)題,對(duì)RCA1# 超聲清洗、快排清洗兩個(gè)過(guò)程進(jìn)行了正交分析,設(shè)計(jì)了表1所示的工藝方案。

表1 試驗(yàn)方案

2 結(jié)果

表2 列出了4個(gè)方案的試驗(yàn)結(jié)果。

表2 試驗(yàn)結(jié)果

3 討論

3.1 “色斑”位置

在試驗(yàn)過(guò)程中,發(fā)現(xiàn)“色斑”出現(xiàn)的位置具有一定的規(guī)律性,基本集中于如圖2所示中拋光片被花藍(lán)遮蓋的區(qū)域。

圖2 花藍(lán)與硅片的相對(duì)位置

采用表面分析儀對(duì)出現(xiàn)“色斑”的區(qū)域進(jìn)行微區(qū)分析發(fā)現(xiàn),“色斑”區(qū)域的霧均值顯著高于正常區(qū)域。這種現(xiàn)象的成因是:1)拋光過(guò)程中,拋光片表面不均勻;2)清洗過(guò)程中,該區(qū)域沖洗效果不理想,表面殘留的化學(xué)試劑對(duì)拋光片表面繼續(xù)腐蝕。從“色斑”位置的規(guī)律性可以判定“色斑”的成因?yàn)闆_洗效果不理想。經(jīng)采用其他設(shè)備進(jìn)行對(duì)比試驗(yàn)發(fā)現(xiàn),“色斑”是清洗過(guò)程造成的。

3.2 表面活性劑對(duì)“色斑”現(xiàn)象的影響

在文獻(xiàn)[1-3]中介紹了在含有表面活性劑的溶液中顆粒去除機(jī)理,使襯底表面與顆粒表面具有相同的電勢(shì),減少顆粒的吸附,防止顆粒的二次吸附等。在清洗液中加入表面活性劑可減少拋光片表面顆粒的吸附。

另一方面,加入表面活性劑后,降低了溶液以及硅片的表面張力,有利于拋光片表面顆粒及殘留化學(xué)品的去除,降低拋光片表面“色斑”現(xiàn)象的比例。

從方案一、方案四之間的對(duì)比以及方案二、方案三之間的對(duì)比可以看出,在清洗液中加入表面活性劑可降低“色斑”的比例,但僅采用加入表面活性劑的措施,不能徹底解決“色斑”現(xiàn)象。

3.3 快排沖洗方式對(duì)“色斑”現(xiàn)象的影響

從方案二、方案三與方案一的對(duì)比可以看出,快排沖洗方式對(duì)“色斑”現(xiàn)象影響較大,第一步?jīng)_洗是影響整個(gè)清洗效果的關(guān)鍵因素。采用下淋方式能夠以溢流方式將拋光片表面的化學(xué)品沖洗下來(lái),減少化學(xué)品對(duì)拋光片表面繼續(xù)腐蝕,從而減少“色斑”現(xiàn)象的產(chǎn)生。

3.4 總結(jié)

綜合上述四個(gè)試驗(yàn)方案,在清洗液中加入表面活性劑、采用“下淋——快排+上噴+下淋——下淋+上噴”清洗方式可有效解決拋光片表面“色斑”問(wèn)題。

4 結(jié)論

通過(guò)工藝試驗(yàn),我們得出了以下結(jié)論:

(1)拋光片表面的“色斑”缺陷是拋光片表面清洗效果不理想造成的,尤其在晶片邊緣與花籃接觸位置有化學(xué)試劑殘留,經(jīng)后續(xù)的干燥工藝處理后殘留于表面,從而形成“色斑”。

(2)清洗液中加入表面活性劑,可以在拋光片表面形成一層保護(hù)膜,在后續(xù)的快排沖洗過(guò)程中更容易沖洗,而不產(chǎn)生化學(xué)試劑殘留。

(3)快排沖洗過(guò)程對(duì)沖洗效果影響較大,采用“下淋——快排+上噴+下淋——下淋+上噴”的工藝過(guò)程可獲得理想的沖洗效果。

[1]劉玉嶺,檀柏梅,趙之雯,等.表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用[J].河北工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào),2004,33(2):72-76.

[2]萬(wàn)群.ULSI 用硅片的缺陷與表面質(zhì)量[J].稀有金屬,1997,22(3):172-174.

[3]鄭 忠.表面活性劑的物理化學(xué)原理[M].廣州:華南理工大學(xué)出版社,1995.

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