□ 鄭榮豪 □ 陸利新 □ 肖 樂
上海大學(xué) 機(jī)電工程與自動(dòng)化學(xué)院 上海 200072
目前“提高太陽能電池板的效率”是各國(guó)爭(zhēng)相研究的課題[1],太陽能電池轉(zhuǎn)換效率為 10%~20%,GaAs疊層電池的轉(zhuǎn)換效率最高能達(dá)到35%[2]。美國(guó)洛斯-阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室正在研制的一種吸收全部可見光的玻璃片,其光電轉(zhuǎn)換效率有望達(dá)到50%[3]。目前市場(chǎng)上產(chǎn)業(yè)化較好的單晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率一般為17%~20%[4]。
影響單晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率有很多因素,其中擴(kuò)散方法是很重要的一個(gè)。從開管擴(kuò)散法到閉管擴(kuò)散法再到軟著陸閉管擴(kuò)散方法,擴(kuò)散工藝有了長(zhǎng)足的進(jìn)步,同時(shí)尚存在一些問題,影響了擴(kuò)散效果。
目前擴(kuò)散工藝中,運(yùn)用較廣泛的是軟著陸方式[5],即載有硅片的石英舟通過碳化硅槳運(yùn)送至擴(kuò)散爐的恒溫區(qū)中,碳化硅槳退出擴(kuò)散爐后關(guān)閉爐門。之后升溫通氣進(jìn)行擴(kuò)散,經(jīng)過一定的擴(kuò)散時(shí)間完成擴(kuò)散后,碳化硅槳葉將石英舟載出爐管。這樣的擴(kuò)散方式能保證擴(kuò)散環(huán)境的穩(wěn)定性,有助于擴(kuò)散均勻性。但是軟著陸閉管擴(kuò)散的每一片硅片都在一個(gè)恒溫區(qū)的固定點(diǎn)進(jìn)行擴(kuò)散,點(diǎn)與點(diǎn)之間的溫度差異將會(huì)明顯影響擴(kuò)散完成后的方塊電阻的方差[6],所以擴(kuò)散后的每個(gè)定點(diǎn)的硅片方塊電阻也有所差異,從而影響太陽能電池的性能。
針對(duì)這一問題,本文提出一種通過式擴(kuò)散方法,使硅片經(jīng)過每個(gè)定點(diǎn)完成擴(kuò)散,從而降低方塊電阻的方差,提高太陽能電池的性能。
影響太陽能電池板的光電轉(zhuǎn)換效率的因素有兩個(gè),第一個(gè)是每個(gè)單元電池片的效率;第二個(gè)是電池片方塊電阻的均勻性[7]。太陽能電池片的方塊電阻是監(jiān)測(cè)電池片性能的最主要的因素。而擴(kuò)散工藝是太陽能電池片生產(chǎn)過程中的重要工序之一,擴(kuò)散性能的好壞直接影響著電池片的光電轉(zhuǎn)換性能。
擴(kuò)散完成后,同一批電池片的方塊電阻的差異越小即方塊電阻方差越小,經(jīng)過多塊電池片串并連之后的電池板的效率就越高,性能也就越好。因此,在生產(chǎn)實(shí)踐中利用測(cè)量擴(kuò)散后方塊電阻方差的方法衡量擴(kuò)散性能的好壞,對(duì)擴(kuò)散過程中影響硅片方塊電阻的因素的研究有一定的現(xiàn)實(shí)意義。
擴(kuò)散工藝對(duì)擴(kuò)散溫度的要求十分嚴(yán)格,一般在850~1 250℃范圍內(nèi)的某一給定溫度下進(jìn)行擴(kuò)散,溫度漂移不得超過±1℃,而且溫度漂移越小越好。因此,在高溫?cái)U(kuò)散工藝中,爐溫的控制和測(cè)量是至關(guān)重要的。
如圖1所示,同等擴(kuò)散時(shí)間、不同擴(kuò)散位置的擴(kuò)散溫度不同,擴(kuò)散完成后方塊電阻大小也就不一,這也是方塊電阻方差形成的最主要原因[10]。
▲圖1 同等擴(kuò)散時(shí)間不同擴(kuò)散位置的方塊電阻變化
圖1中的橫坐標(biāo)代表由爐口到爐尾均勻分布的5個(gè)點(diǎn)。在其它條件不變化的情況下,方塊電阻隨溫度的升高而降低。由于閉管擴(kuò)散爐恒溫區(qū)的每個(gè)單點(diǎn)的溫度不可能做到完全相等,所以每個(gè)點(diǎn)的溫度差異會(huì)導(dǎo)致方塊電阻大小的差異,從而引起方塊電阻的方差不同。
硅片的擴(kuò)散是在900℃左右,采用POCl3液態(tài)源進(jìn)行磷擴(kuò)散。在擴(kuò)散時(shí),同時(shí)通入足量的氧氣,使PCl5氧化分解成P2O5和Cl2。與擴(kuò)散過程相關(guān)的化學(xué)反應(yīng)方程式如下:
從式(1)~(3)可以看出,擴(kuò)散是通過硅片和氣體分解后的P2O5進(jìn)行反應(yīng),所以擴(kuò)散的結(jié)深必然與氣體的流量有關(guān)。從生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)不難得出,流量越大,擴(kuò)散的結(jié)深越深,方塊電阻也越小。
擴(kuò)散時(shí)間越長(zhǎng),反應(yīng)越充分,擴(kuò)散的結(jié)深也就越大,從而方塊電阻就越小。由于本文所描述的通過式擴(kuò)散方法和傳統(tǒng)的閉管軟著陸式擴(kuò)散方法的擴(kuò)散時(shí)間是一致的,因此規(guī)定兩種方法的擴(kuò)散時(shí)間相同。
通過以上分析可知,擴(kuò)散溫度越高,時(shí)間越長(zhǎng),氣流量越大,就會(huì)使擴(kuò)散的結(jié)深越大,從而方塊電阻就越?。?]。
由于在軟著陸閉管擴(kuò)散方法中,每一片硅片都在一個(gè)恒溫區(qū)的固定點(diǎn)進(jìn)行擴(kuò)散,所以點(diǎn)與點(diǎn)之間的溫度差異將會(huì)明顯影響擴(kuò)散完成后方塊電阻的方差,因此本文提出了一種通過式擴(kuò)散方法,以降低方塊電阻的方差。
通過式擴(kuò)散方法的擴(kuò)散步驟主要分為兩步:
(1)載有硅片的石英舟通過載入槳葉以規(guī)定的速度從左端進(jìn)入擴(kuò)散爐內(nèi),載出槳葉以同等的速度從右端進(jìn)入擴(kuò)散爐內(nèi)。當(dāng)載出槳葉到達(dá)恒溫區(qū)內(nèi)時(shí),停止前進(jìn);當(dāng)載入槳葉上的最前端硅片即將進(jìn)入恒溫區(qū)時(shí),載入槳葉以較慢的速度繼續(xù)前進(jìn);當(dāng)載入槳葉上的石英舟位于擴(kuò)散爐的恒溫區(qū)的中心區(qū)域時(shí),載入槳葉停止前進(jìn)。
(2)載入槳葉通過升降機(jī)構(gòu),以15~25 mm/min速度下降,同時(shí)石英舟交接至與載入槳葉交錯(cuò)設(shè)置的載出槳葉上,載入槳葉以較快的速度退出擴(kuò)散爐后以較慢的速度上升至最原始位置準(zhǔn)備重新裝載硅片,載出槳葉以較慢的速度緩慢退出恒溫區(qū),當(dāng)石英舟上最左邊的硅片退出恒溫區(qū)后,載出槳葉以規(guī)定的速度退出擴(kuò)散爐,等待卸載石英舟。通過以上的擴(kuò)散方法實(shí)現(xiàn)每一片硅片以較慢的速度均勻通過1 m長(zhǎng)的恒溫區(qū)。
▲圖2 通過式擴(kuò)散爐結(jié)構(gòu)
用于通過式擴(kuò)散的新型擴(kuò)散爐的結(jié)構(gòu)如圖2所示。通過式擴(kuò)散方法可使每一片硅片經(jīng)過同樣的擴(kuò)散環(huán)境,即該擴(kuò)散過程就是保證每一片硅片以同等的速度均勻經(jīng)過恒溫區(qū)同時(shí)完成擴(kuò)散,以使每一片硅片的方塊電阻的方差大幅減小,從而提高太陽能電池性能。
為了驗(yàn)證本文提出的通過式擴(kuò)散方法的有效性,本文建立數(shù)學(xué)模型并進(jìn)行計(jì)算驗(yàn)證。
本文將對(duì)比軟著陸擴(kuò)散方法和通過式擴(kuò)散方法,在相同的時(shí)間、擴(kuò)散溫度曲線以及氣流場(chǎng)曲線的恒溫區(qū)環(huán)境內(nèi),得到的1個(gè)批次的方塊電阻的方差。
采用抽樣統(tǒng)計(jì)方法,選定石英舟上7個(gè)位置的硅片進(jìn)行方塊電阻計(jì)算和方差計(jì)算。7個(gè)位置分別為Z1,Z2,…,Z7,是石英舟上從頭到尾均勻分布的7個(gè)點(diǎn)。選定符合擴(kuò)散爐實(shí)際工作的溫度曲線和氣流場(chǎng)曲線,規(guī)定擴(kuò)散時(shí)間,進(jìn)行方塊電阻計(jì)算。比較這7個(gè)點(diǎn)的硅片的方塊電阻的方差,驗(yàn)證本文方法是否有效。
首先,確定方塊電阻與擴(kuò)散溫度曲線以及氣流場(chǎng)曲線的數(shù)學(xué)關(guān)系式,并根據(jù)軟著陸的定點(diǎn)擴(kuò)散數(shù)學(xué)關(guān)系式確定通過式擴(kuò)散方法的積分?jǐn)?shù)學(xué)式。其次,由于擴(kuò)散爐內(nèi)的溫度曲線和氣流場(chǎng)曲線都是在一定范圍內(nèi)變化的,所以分成3段不同時(shí)間段計(jì)算。
溫度曲線和氣流場(chǎng)曲線的不同影響擴(kuò)散的結(jié)深,通過測(cè)量方塊電阻可以看出擴(kuò)散后PN結(jié)的深淺。
結(jié)深xj是指擴(kuò)散雜質(zhì)濃度與襯底雜質(zhì)濃度相等的位置到硅片表面的距離,即:
式中:A為一個(gè)與氣流量NS有關(guān)的擴(kuò)散系數(shù);D是與溫度有關(guān)的擴(kuò)散系數(shù);t為擴(kuò)散時(shí)間。
式中:NB是與氣流量相關(guān)的常數(shù)。
式中:D0是本征擴(kuò)散系數(shù),形式上等于擴(kuò)散溫度趨于無窮大時(shí)的擴(kuò)散系數(shù);E是擴(kuò)散激活能,它與缺陷雜質(zhì)復(fù)合體的動(dòng)能和生成能有關(guān);T是溫度;k是玻耳茲曼常數(shù)。
式中:Rs為方塊電阻;ρ、σ分別為擴(kuò)散薄層的平均電阻率和平均電導(dǎo)率。
將式(4)~(6)代入式(7),可以得到:
式中:NS和T都是隨時(shí)間變化的量,所以在計(jì)算實(shí)際方塊電阻的時(shí)候分別表示為 NS(t)和 T(t)。
根據(jù)式(8)可以將方塊電阻與氣流場(chǎng)、溫度和時(shí)間的關(guān)系簡(jiǎn)化為:
式中:P、Q是未知常數(shù),與溫度曲線以及氣流場(chǎng)曲線有關(guān);Ti為每個(gè)時(shí)間段的時(shí)間長(zhǎng)度。
對(duì)于軟著陸擴(kuò)散方法的硅片方塊電阻計(jì)算,可以視為3個(gè)階段,其計(jì)算公式為:
式中:Zn=Z1、Z2、…、Z7表示爐體位置,其中 n 為 1 到 7的7個(gè)離散點(diǎn)。
通過式擴(kuò)散方法,由于硅片經(jīng)過每一個(gè)定點(diǎn),可以視為一個(gè)積分的過程,同時(shí)把時(shí)間分為3個(gè)階段,方塊電阻計(jì)算公式為:
式中:x表示爐體位置是連續(xù)的點(diǎn)。
3.3.1 計(jì)算條件的確定
根據(jù)實(shí)際的擴(kuò)散環(huán)境,需要把擴(kuò)散時(shí)間分成3個(gè)階段。根據(jù)生產(chǎn)太陽能電池片的廠家提供的一般溫度曲線,選定3個(gè)階段的溫度曲線分別如圖3~圖5所示。
生產(chǎn)太陽能電池片的廠家提供的一般氣流場(chǎng)曲線如圖6所示。
3.3.2 計(jì)算結(jié)果比較
確定擴(kuò)散時(shí)間為30 min,每段時(shí)間為10 min,同時(shí)將已經(jīng)計(jì)算出的P、Q常數(shù)代入式(10)以及式(11)。根據(jù)上述條件,可以計(jì)算出軟著陸方法的Z1到Z7這7個(gè)點(diǎn)的方塊電阻,如表1所示;根據(jù)Z1到Z7的位置即x的值,可以計(jì)算出通過式擴(kuò)散方法方塊電阻,如表2所示。
▲圖3 第一時(shí)段溫度曲線圖
▲圖4 第二時(shí)段溫度曲線圖
▲圖5 第三時(shí)段溫度曲線圖
▲圖6 氣流場(chǎng)曲線
比較表1和表2兩種不同方法的各測(cè)試點(diǎn)的方塊電阻值,軟著陸擴(kuò)散方法的方塊電阻方差較大,達(dá)到了11.3 Ω;而通過式擴(kuò)散方法則把方塊電阻的方差降低到了1.84 Ω。如圖7所示,可以明顯看出,通過式擴(kuò)散方法的硅片方塊電阻值變化波動(dòng)較小,方差也更加小,而軟著陸擴(kuò)散方法得到的方塊電阻則起伏較大。因此可以得出,通過式擴(kuò)散方法所得到硅片方塊電阻方差遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的擴(kuò)散方法,能夠大大提高太陽能電池板的性能。
表1 軟著陸擴(kuò)散法各測(cè)試點(diǎn)方塊電阻
表2 通過式擴(kuò)散法各測(cè)試點(diǎn)方塊電阻
▲圖7 方塊電阻值比較圖
為了消除方塊電阻不均勻性對(duì)太陽能電池性能的影響,提出了一種全新的通過式擴(kuò)散方法,從根本上解決由于擴(kuò)散爐恒溫區(qū)各點(diǎn)環(huán)境而造成的方塊電阻不均勻。
通過數(shù)學(xué)建模和計(jì)算,驗(yàn)證了通過式擴(kuò)散方法能夠改善方塊電阻的均勻性,從而提高太陽能電池片的性能。
本文對(duì)采用通過式擴(kuò)散方法降低方塊電阻方差進(jìn)行了定性的研究和計(jì)算。但是由于忽略了可能影響擴(kuò)散的溫度波動(dòng)和氣流波動(dòng),所以計(jì)算得到的數(shù)據(jù)可能跟實(shí)際數(shù)據(jù)有偏差,還需要后續(xù)多批次不同環(huán)境的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行進(jìn)一步的驗(yàn)證。
[1] National Semiconductor.LM5642/LM5642X Datasheet [EB/OL].2007.http://www.national.com/pf/lm/lm5642.pdf.
[2] J Zhao,A Wang,M A Green.24.5%Efficiency Silicon PERT Cells on MCZ Substrates and 24.7%Efficiency PERL Cells on FZ Substrates [J].Process Photovoltaics:Res.1999,40(10):471-474
[3] 李俊峰,時(shí)麗,馬玲娟.光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、規(guī)劃與戰(zhàn)略目標(biāo)中國(guó)太陽能光伏進(jìn)展[J].西南交通大學(xué)學(xué)報(bào),2006(8):20-27.
[4] 翟秀靜,劉奎仁,韓慶.新能源技術(shù)[M].北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2010.
[5] 劉良玉,彭志堅(jiān).軟著陸潔凈閉管擴(kuò)散爐研制[J].電子工業(yè)專用設(shè)備,2010(2):116-118.
[6] Eric Vandenbossche,Herv6 Jaouen and Bruno Baccus.Modeling Arsenic Activation and Diffusion during Furnace and Rapid Thermal Annealing [J]. Research and Applications,1995,15:225-230.
[7] Kevin Black.Diffusion Furnace Dopant Activation Matching Through a Ramped Temperature Idle [C].Microelectronics 2008.26th International Conference on,MIEL2008.
[8] Martin A Green,Keith Emery,Wilhelm Warta.Solar Cell Efficiency Tables (Version 30) [J]. Progress in Photovoltaics:Research and Applications,2007,15:425-430.
[9] 何堂貴,唐廣.晶體硅太陽電池?cái)U(kuò)散氣氛?qǐng)鼍鶆蛐匝芯浚跩].電子設(shè)計(jì)工程,2009(9):55-57.
[10] J E Cotter,J H Guo,P J Cousins,et al.P-type Versus N-type Silicon Wafer: Prospects for High -efficiency Commercial Silicon Solar Cells [J].IEEE Transaction on Electron Devices,2006,53(8):1893-1901.