熊熙烈,涂 虬

(上饒師范學(xué)院,江西 上饒 334001)

引言

在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)過程中,為了提高設(shè)計(jì)效率,縮短設(shè)計(jì)周期,人們往往會(huì)采用仿真軟件來輔助電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì),其中Multisim軟件就是一款比較好的電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)和仿真工具,它提供了所見即所得的設(shè)計(jì)環(huán)境、提供了互動(dòng)式仿真界面、各種常用的儀表,使得仿真比較形象直觀,是優(yōu)秀的EDA工具,也是高校電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)教學(xué)中優(yōu)秀的教學(xué)系統(tǒng)。在數(shù)字電路中,一些要求不高的場(chǎng)合下的時(shí)鐘信號(hào)源大多會(huì)采用由門電路所構(gòu)成的多諧振蕩器[1,2]。它具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,輸出頻率范圍寬,且它的改進(jìn)型電路還可以很方便地進(jìn)行頻率調(diào)節(jié)等優(yōu)點(diǎn)。但是在數(shù)字系統(tǒng)的Multisim仿真中由于多諧振蕩器仿真效果不佳,往往會(huì)在仿真中不直接采用多諧振蕩器產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行仿真,而是采用虛擬信號(hào)發(fā)生器作為時(shí)鐘信號(hào)源,最后在實(shí)際電路中再使用多諧振蕩器或石英晶體振蕩器來產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)。

為了解決在仿真中使用多諧振蕩器的問題,人們已提出了各種仿真方法。例如通過構(gòu)建門電路內(nèi)部電路的實(shí)際模型來實(shí)現(xiàn)仿真[3,4],或通過附加模擬電壓源和數(shù)字地的方法進(jìn)行仿真[5]。前者[3,4]用于數(shù)字系統(tǒng)的仿真太過繁雜,而后者[5]的仿真結(jié)果是錯(cuò)誤的,其得到的振蕩周期實(shí)際是門電路的延遲時(shí)間[3]。本文提出一種附加觸發(fā)的仿真方法,方法新穎,并且直觀簡(jiǎn)單,較好地解決了多諧振蕩器的仿真問題。

1 CMOS門電路構(gòu)成的對(duì)稱式多諧振蕩器的仿真

圖1 CMOS門電路構(gòu)成的對(duì)稱式多諧振蕩器

由CMOS門電路構(gòu)成的對(duì)稱式多諧振蕩器電路如圖1所示。若直接進(jìn)行仿真,其結(jié)果是Multisim會(huì)彈出需外加信號(hào)源的提示,仿真無法進(jìn)行。究其原因是仿真電路處于一種絕對(duì)對(duì)稱的狀態(tài),沒有能引起振蕩器起振的起始信號(hào),因此無法起振。我們知道,振蕩電路的起振是需要外加電沖擊或熱噪聲等,通過正反饋使電路信號(hào)由弱漸強(qiáng)而產(chǎn)生振蕩。在實(shí)際電路中振蕩器的振蕩的最初來源是振蕩器在接通電源時(shí)不可避免地存在的電沖擊及各種熱噪聲等[6],即使電路是對(duì)稱的,但由于電子元器件的離散性,使得電路中各支路或各結(jié)點(diǎn)的電壓和電流會(huì)有微小的差異,這種差異就相當(dāng)于給電路提供擾動(dòng)而起振。為此,我們?cè)谶M(jìn)行電路仿真時(shí),若能在起始時(shí)給仿真電路提供一個(gè)電沖擊觸發(fā),即可讓其起振。仿真電路見圖2。圖中C3和R3構(gòu)成微分電路,電路在接通瞬間Ui處得到一正極性尖脈沖,作為電沖擊向仿真電路提供觸發(fā),電路產(chǎn)生振蕩。為得到正確的仿真結(jié)果,需修改仿真設(shè)置。在仿真(Simulate)菜單中點(diǎn)擊混合模式仿真設(shè)置(Mixed-mode simulation settings),出現(xiàn)使用理想模型(Use Ideal pin models)和使用實(shí)際模型(Use real pin models)兩個(gè)選項(xiàng),默認(rèn)為使用理想模型,應(yīng)改為選擇使用實(shí)際模型。仿真結(jié)果波形見圖3。按照理論計(jì)算公式振蕩周期T=1.4R1C1=14μ s,而仿真結(jié)果T=13.378μ s,其相對(duì)誤差為4.44%,結(jié)果與理論值較為吻合。

圖2 CMOS門電路構(gòu)成的對(duì)稱式多諧振蕩器仿真電路

圖3 CMOS門電路構(gòu)成的對(duì)稱式多諧振蕩器仿真結(jié)果

電路中的微分電路的C3可取1pF～10pF,R3可取1MΩ～10MΩ,其取值對(duì)仿真結(jié)果幾乎不產(chǎn)生影響。表1給出了附加的微分電路對(duì)多諧振蕩器周期的影響的仿真結(jié)果。從表中可以看出相對(duì)誤差不大于10%,因此附加的微分電路對(duì)周期的影響極其輕微。

表1 附加微分電路對(duì)振蕩器仿真結(jié)果周期的影響(C=1000pF,R=5kΩ)

2 TTL門電路構(gòu)成的對(duì)稱式多諧振蕩器的仿真

若用TTL門電路來構(gòu)成對(duì)稱式多諧振蕩器,電路見圖4,圖中C3取值較大可防止仿真過程出現(xiàn)的寄生振蕩。仿真設(shè)置同前,其仿真結(jié)果的波形見圖5。理論上振蕩周期近似為T=1.3 RC=13μ s[7],而仿真結(jié)果T=12.823μ s,其相對(duì)誤差為1.36%。圖5中的高電平與低電平之間的階梯狀工作波形是由于仿真使用的門電路測(cè)試中具有階梯狀的電壓傳輸特性所致(見圖6對(duì)TTL非門電路的直流掃描分析結(jié)果;CMOS門電路也具有類似的傳輸特性,但其仿真的振蕩波形中階梯狀很小,不易觀察到。但這種傳輸特性不代表實(shí)際門電路的電壓傳輸特性)。若要在仿真中得到標(biāo)準(zhǔn)矩形脈沖,只需在輸出端再接一級(jí)施密特觸發(fā)器整形即可。

圖4 TTL門電路構(gòu)成的對(duì)稱式多諧振蕩器

圖5 TTL門電路構(gòu)成的對(duì)稱式多諧振蕩器仿真結(jié)果

圖6 TTL非門電路的直流掃描分析結(jié)果

3 CMOS門電路構(gòu)成的非對(duì)稱式多諧振蕩器的仿真

由CMOS門電路構(gòu)成的非對(duì)稱式多諧振蕩器電路見圖7。由于采用非對(duì)稱結(jié)構(gòu),電路無需觸發(fā)即可自行起振,但仿真設(shè)置仍需同前。振蕩波形與對(duì)稱式類似,見圖8。仿真結(jié)果T=14.597μ s,與理論值T=1.4R1C1=14μ s[8]相比有4.26%的相對(duì)誤差。

圖7 CMOS門電路構(gòu)成的非對(duì)稱式多諧振蕩器

圖8 CMOS門電路構(gòu)成的非對(duì)稱式多諧振蕩器仿真結(jié)果

4 結(jié)束語(yǔ)

通過修改仿真設(shè)置和附加觸發(fā)電路,較好地解決了在multisim當(dāng)中用門電路構(gòu)成的多諧振蕩器的仿真所存在的諸多問題。仿真過程簡(jiǎn)單直觀,結(jié)果也相對(duì)準(zhǔn)確。在上述各仿真電路中,改變R和C的參數(shù),振蕩周期也隨之改變,相對(duì)誤差也會(huì)發(fā)生變化,但通過合理選擇RC參數(shù),相對(duì)誤差基本可控制在10%左右。另外,當(dāng)仿真的振蕩周期在1μ s或以下數(shù)量級(jí)時(shí),為保證正常起振,還需在仿真菜單中的交互式仿真設(shè)置(Interactive Simulation Settings)欄里修改仿真的最大步長(zhǎng)值(減小),此時(shí)的相對(duì)誤差會(huì)相應(yīng)增大。通過在Multisim軟件來仿真多諧振蕩器,比較直觀高效,有利于提高分析和設(shè)計(jì)電子電路效率,在數(shù)字電路教學(xué)中也能夠提高學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣,幫助學(xué)生快速、牢固地掌握多諧振蕩器原理和應(yīng)用。

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