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高速低功耗電壓比較器機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)研究

2013-07-03 08:59河南工業(yè)貿(mào)易職業(yè)學(xué)院鄭州451191
制造業(yè)自動(dòng)化 2013年10期
關(guān)鍵詞:偏置低功耗功耗

(河南工業(yè)貿(mào)易職業(yè)學(xué)院,鄭州 451191)

0 引言

隨著時(shí)代的發(fā)展,系統(tǒng)芯片集成度越來(lái)越高,功能多種多樣,可以滿足不同需求,以此同時(shí)產(chǎn)生的問(wèn)題也同益劇增,例如對(duì)能量的消耗問(wèn)題同漸突出。供電電壓雖然下降,但并沒(méi)有遏制功耗的增長(zhǎng),研究顯示功耗反而增加了兩倍。由于芯片面積越來(lái)越小,功率密度越來(lái)越大,不僅對(duì)封裝工藝提出了高要求,散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)業(yè)成為了設(shè)計(jì)難點(diǎn)。因此越來(lái)越多的研究聚焦于減小芯片的功耗,低功耗最顯而易見(jiàn)帶來(lái)的既是較長(zhǎng)的使用壽命[1]。

由于集成電路實(shí)現(xiàn)超深亞微米級(jí),同時(shí)特征電壓也隨之降低,可以實(shí)現(xiàn)小于1V,伴隨發(fā)展而來(lái)的是全新的問(wèn)題,主要表現(xiàn)在噪聲和短溝道等效應(yīng)對(duì)功耗的增加,如何在性能和功耗之間設(shè)置最佳平衡點(diǎn)成為了亟待解決的問(wèn)題。在深亞微米級(jí)別,很多因素和效應(yīng)會(huì)造成高速低功耗數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(以下簡(jiǎn)稱ADC)設(shè)計(jì)難度大大增加。故為了解決這些問(wèn)題,本文設(shè)計(jì)研發(fā)了一種全新的比較器,可以實(shí)現(xiàn)低功耗的需求。它的結(jié)構(gòu)內(nèi)核基礎(chǔ)為latch鎖存器,運(yùn)用了開(kāi)關(guān)運(yùn)算放大器技術(shù),不僅實(shí)現(xiàn)了高速低功耗,并且有很高的精度和傳輸速度。

1 國(guó)內(nèi)外研究概況

片上系統(tǒng)(System On Chip,以下簡(jiǎn)稱SOC)的數(shù)?;旌霞尚枰ㄖ圃趩喂杵稀8咧笜?biāo)高性能數(shù)模轉(zhuǎn)換器是SOC的重要組成部分,在目前的信號(hào)與系統(tǒng)行業(yè)中,高指標(biāo)高性能數(shù)模轉(zhuǎn)換器已經(jīng)成為了市場(chǎng)的寵兒。其中比較器是核心模塊,起到了最為關(guān)鍵的作用,它的性能對(duì)整體的精度、速度、功耗有著及其重要的影響。但傳統(tǒng)的比較器存在很多缺點(diǎn),例如不能同時(shí)滿足速度和功耗的高要求,必須進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)。

縱觀國(guó)內(nèi)外,發(fā)展的趨勢(shì)是實(shí)現(xiàn)低功耗、低延遲和高速度[2]。

2006年8月,Analog Device Incorporation推出ADCMP60x比較器系列產(chǎn)品。它可以實(shí)現(xiàn)2.5V~5.5V電源范圍內(nèi)的完全R-R性能,延遲時(shí)問(wèn)介于Ins和35 ns之間,適用于高速低功耗應(yīng)用,其突出特點(diǎn)為可以再低電壓狀態(tài)下工作,不會(huì)出現(xiàn)電壓過(guò)低而造成的死區(qū)現(xiàn)象。

2006年10月,Austria micro systems推出AS1970-75比較器系列產(chǎn)品。它的突出特點(diǎn)是功耗低,可以達(dá)到8.5 u A,并提供1到4路輸入可選,輸入偏置電流僅為1pA。因?yàn)閮H僅需要兩節(jié)AA電池驅(qū)動(dòng),它在便攜式設(shè)備領(lǐng)域取得了廣泛的應(yīng)用。

2007年8月,National Semiconductor Corporation推出了LMH7322比較器系列產(chǎn)品。它最令人驚艷的特點(diǎn)是達(dá)到了全行業(yè)最低功率,典型值僅為21mA,傳播延遲極低,其數(shù)值為500ps。在相同的工況下,驅(qū)動(dòng)電壓每增加50mV,散射只增加2.5ps,及其適用于節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域。

2 比較器性能和基本電路結(jié)構(gòu)

2.1 比較器技術(shù)指標(biāo)

我們通過(guò)比較器的正輸入減去負(fù)輸入的值來(lái)作為評(píng)價(jià)指標(biāo),值大于0時(shí),輸出高電平,小于0時(shí)輸出低電平,為了方便表示,我們用縮寫(xiě)VOH和VOL分別進(jìn)行表示,其傳輸曲線如圖1所示。與此同時(shí),我們用VP表示同相輸入電壓閾值,用Vn表示反相輸入電壓閾值。VOH代表輸出電平最大值,VOL代表輸出電平最小值。

圖2所示為有限增益比較器的傳輸曲線。

VIH代表輸出達(dá)到上限所需要的輸入電壓,VIL代表輸出達(dá)到下限所需要的輸入電壓,其輸入變化定義為比較器的精度。比較器特性包括靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性兩大方面。如下所述為比較器各個(gè)參數(shù)定義。

差分輸入電壓范圍:指兩個(gè)信號(hào)輸入端允許最大電壓。

輸入共模范圍:指比較器能連續(xù)分辨的輸入電壓差值。

分辨率:指能夠輸出正確數(shù)字所需要的最小差分輸入信號(hào)。

輸入偏置電流:指無(wú)信號(hào)輸入時(shí)的電流平均值。

響應(yīng)時(shí)間:指比較器的時(shí)域特性即對(duì)于差分輸入的響應(yīng)時(shí)問(wèn)。

傳輸延遲時(shí)間:又名比較速度,指輸入信號(hào)與輸出信號(hào)之間的時(shí)問(wèn)差。

擺率:指輸入電壓達(dá)到上限時(shí),即傳輸延遲時(shí)問(wèn)不會(huì)再隨輸入電壓增大而變化是的電壓變化率。

輸入偏移電流:指改變輸出狀態(tài)的輸入電流絕對(duì)差值。

反沖噪聲:又名回踢噪聲,指輸出信號(hào)由于電荷饋通對(duì)輸入信號(hào)的反沖。

輸出電壓擺幅:指比較器的輸出正負(fù)電之差。

輸入失調(diào)電壓:指由于MOS管幾何尺寸誤差產(chǎn)生的偏移電壓。

2.2 比較器總體設(shè)計(jì)

比較器的分類規(guī)則有很多種,根據(jù)系統(tǒng)是否閉環(huán)可以分為開(kāi)環(huán)和閉環(huán)式;根據(jù)功耗高低可以分為高功耗式和低功耗式;根據(jù)PCB板原理電路可以分成開(kāi)環(huán)式和再生式;根據(jù)輸出結(jié)構(gòu)形式可以分為一端輸出結(jié)構(gòu)式和兩端輸出結(jié)構(gòu)式[3]。

2.2.1 離散時(shí)間比較器

離散時(shí)間比較器主要有兩種類型,分別為開(kāi)關(guān)電容式和可再生式。

Latch比較器的另一個(gè)名字是可再生式比較器,它的位置通常在反饋的最后一級(jí),而且往往設(shè)置為正反饋,以便可以通過(guò)前置放大器后端啟動(dòng)來(lái)提高整體性能。

Latch的一般結(jié)構(gòu)如圖3所示。

圖3 Latch結(jié)構(gòu)示意圖

Latch的正反饋原理非常簡(jiǎn)單,總結(jié)來(lái)說(shuō)就是通過(guò)單位增益來(lái)實(shí)現(xiàn)正反饋。它的工作模式有兩種:1)終止發(fā)出正反饋信號(hào),同時(shí)輸入信號(hào)傳遞到輸入端;2)正常發(fā)出正反饋信號(hào),同時(shí)輸入信號(hào)傳遞到輸入端,根據(jù)輸入值來(lái)實(shí)現(xiàn)高低電平的不同。最常見(jiàn)的輔助器件為NMOS管,等效電路分析模型如圖4所示。

圖4 NMOS latch的小信號(hào)電路模型

2.2.2 高速比較器

高速比較器的目的是最大限度降低其傳輸延遲時(shí)間,這是可以把比較器分為數(shù)個(gè)級(jí)聯(lián)電路,如圖5所示,我們假設(shè)先決條件為每一級(jí)增益為A0,同時(shí)用l/t來(lái)代表單極點(diǎn)的值,在這種邏輯下,輸入變化值高于Vin,就會(huì)激發(fā)電路,使得每級(jí)電路都可以放大輸入信號(hào)。從圖中可以看出,放大器會(huì)受到前幾級(jí)信號(hào)的擺率限制。因此,對(duì)于前幾級(jí)電路,帶寬非常重要,對(duì)于后幾級(jí)電路,高擺率非常重要。故在整個(gè)鏈路里,前幾級(jí)和后幾級(jí)電路設(shè)計(jì)是不相同的[4]。

圖5 級(jí)聯(lián)比較器概念描述

3 高速低功耗比較器機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)

本文提出的設(shè)計(jì)指標(biāo)如表1所示。

表1 設(shè)計(jì)指標(biāo)

3.1 比較器結(jié)構(gòu)的選擇

為了實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能,本文采用了如下方案即在比較器前置放大器中應(yīng)用開(kāi)關(guān)運(yùn)算放大器技術(shù)。這樣可以實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘信號(hào)控制前置運(yùn)算放大器輸出,需要連接在前置放大器和鎖存器之間的開(kāi)關(guān),總體速度就不會(huì)再被高阻信號(hào)影響,降低了比較器輸入端的回踢噪聲[5]。

3.2 比較器建模

比較器建模的設(shè)計(jì)關(guān)鍵是合理設(shè)計(jì)有限增益,輸入失調(diào)電壓,傳輸延遲時(shí)間等參數(shù)對(duì)應(yīng)的元器件。本文應(yīng)用了可以提高增益的含有預(yù)放大級(jí)的比較器,并采用了最小溝道長(zhǎng)度來(lái)提高反相器速度,進(jìn)而提高比較器速度[6]。

3.3 比較器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

本文提出的基于開(kāi)關(guān)運(yùn)算放大器技術(shù)的新型比較器結(jié)構(gòu)是建立在低電壓算放大器的動(dòng)態(tài)鎖存器基礎(chǔ)之上的。電路原理圖如圖6和圖7所示。其中圖6所示開(kāi)關(guān)開(kāi)啟與閉合應(yīng)用了雙路非交叉時(shí)鐘控制方法,這種雙路非交叉原理示意如圖8所示,主要起作用的零件為前置的晶體管M23A和M24A,由于它們可以實(shí)現(xiàn)輸出置位,所以被用在放大階段[7]。圖7中動(dòng)態(tài)鎖存功能的實(shí)現(xiàn)是雙路非交叉時(shí)鐘控制方法的關(guān)鍵,主要依靠NMOS管和PMOS管CROSS功能,互補(bǔ)的同時(shí)作用于放置在后部的反向器,最終達(dá)到所需結(jié)果,并且縮短響應(yīng)時(shí)間,極大的提高效率。

圖6 開(kāi)關(guān)運(yùn)放比較器

圖7 動(dòng)態(tài)鎖存器

圖8 雙向非交疊時(shí)鐘原理圖

3.4 電路參數(shù)的確定

表2所示為開(kāi)關(guān)運(yùn)放比較器的電路設(shè)計(jì)參數(shù)。其中晶體管Ml/M2的長(zhǎng)度沒(méi)為最小值兩倍是為了降低溝道長(zhǎng)度,交叉耦合負(fù)載M4-M7的長(zhǎng)度設(shè)為最小值4倍是為了實(shí)現(xiàn)最快再生速度。本文采用如圖9所示的偏置電路結(jié)構(gòu)以簡(jiǎn)化比較器電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

表2 開(kāi)關(guān)運(yùn)放比較器的電路參數(shù)

圖9 比較器的偏置電路

3.5 輸入電容分析

如圖10所示,為了D/A轉(zhuǎn)換電路的性能和保持采樣電路不受輸入電容的影響,所以要對(duì)比較器的輸入電容進(jìn)行分析。為解決以上問(wèn)題,本文采用了增加單極點(diǎn)運(yùn)算放大器的方法,這樣既實(shí)現(xiàn)了D/A轉(zhuǎn)換,又穩(wěn)定了保持采樣電路,實(shí)現(xiàn)了緩沖功能,是的性能不受波動(dòng)影響。它可以實(shí)現(xiàn)低輸入電容,高輸入電阻,以便使得比較器的響應(yīng)時(shí)間和速度達(dá)到技術(shù)指標(biāo)。

圖10 前置放大器的輸入級(jí):PMOS差分對(duì)

4 仿真分析

在經(jīng)過(guò)一系列的仿真分析之后,試驗(yàn)結(jié)果表明該高速低功耗電壓比較器可以實(shí)現(xiàn)逐次逼近數(shù)模轉(zhuǎn)換功能,性能效率高,穩(wěn)定性好。如圖11所示為整個(gè)比較器的電路結(jié)構(gòu),如圖12所示為比較器的測(cè)試電路,其中,我們可以看出,整個(gè)比較器一共有前置放大器,Latch鎖存器和偏置電路三大部分。

圖11 整個(gè)比較器的電路結(jié)構(gòu)

5 結(jié)論

應(yīng)用本文的研究成果,基于INTEL 210nm的DSP CAPP工藝技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)1.8V直流電源供電條件下,12比特頻率下,1 MS/s速率下的逐次逼近式高速低功耗比較器應(yīng)用。通過(guò)原理圖分析研究設(shè)計(jì),經(jīng)過(guò)仿真分析等步驟證明該比較器的設(shè)計(jì)是符合設(shè)計(jì)指標(biāo)和要求的,并且達(dá)到了高速低功耗標(biāo)準(zhǔn)。

在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上,通過(guò)采用latch結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)比較器降低功耗,采用由開(kāi)關(guān)控制前置放大級(jí)電路提高比響應(yīng)速度,實(shí)現(xiàn)了速度和功耗之間的完美動(dòng)念特性平衡。仿真分析階段,通過(guò)搭建Confidence集成仿真環(huán)境,采用業(yè)內(nèi)成熟的SPECTRE軟件,應(yīng)用SPSS和MATLAB工具軟件進(jìn)行輔助計(jì)算,試驗(yàn)結(jié)果一致表明電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了預(yù)期目標(biāo),前后仿真結(jié)果吻合,并且其優(yōu)勢(shì)明顯:功耗低(0.9mw),采樣頻率低(25MHz),面積?。?.0018 mm2)。

圖12 比較器的測(cè)試電路

在未來(lái)的工作中,可以進(jìn)一步著眼于功耗和速率的優(yōu)化,這其中還有很大的潛力可以挖掘,所以在未來(lái)的研究里還需要更加深入的開(kāi)展相關(guān)工作。

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