答疑解惑
潘凱恩,上海朗坤信息系統(tǒng)有限公司技術(shù)總監(jiān)、高級(jí)工程師、高級(jí)講師。2003年開(kāi)始從事計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)工作,涉及綜合布線的測(cè)試與驗(yàn)收、網(wǎng)絡(luò)性能測(cè)試與評(píng)估、網(wǎng)絡(luò)故障診斷與優(yōu)化、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用分析等領(lǐng)域。通過(guò)多年的積累,熟悉福祿克網(wǎng)絡(luò)全系列產(chǎn)品,多次協(xié)助參與運(yùn)營(yíng)商、電力、地鐵、高校等行業(yè)用戶(hù)排除疑難網(wǎng)絡(luò)故障。2007年至今,參與國(guó)內(nèi)各類(lèi)高校計(jì)算機(jī)類(lèi)專(zhuān)業(yè)課程建設(shè),普及綜合布線驗(yàn)收和網(wǎng)絡(luò)測(cè)試技術(shù)。結(jié)合自身的實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn),促進(jìn)校企合作深度,提升教學(xué)質(zhì)量。
潘凱恩:?jiǎn)文9饫w的折射率大約在1.4~1.6之間,現(xiàn)今普遍使用的單模光纖其折射率基本在1.4600~1.4800的范圍內(nèi)。折射率會(huì)直接影響到OTDR測(cè)試的定位精度,如以下公式所示,光纖實(shí)際的折射率為1.466,若設(shè)置成1.465,折射率每相差0.001,每公里可引起0.68m的誤差,10nm的光纖誤差就會(huì)達(dá)到6.8m。
式中,L0為實(shí)際長(zhǎng)度,L1為測(cè)試長(zhǎng)度,n0為實(shí)際折射率,n1為測(cè)試折射率。
潘凱恩:測(cè)試儀使用反向散射系數(shù)計(jì)算OTDR測(cè)試的事件反射和鏈路的總體ORL,每個(gè)光纖類(lèi)型均有其廠商的指定值。
反射是指高出反向散射水平的部分相對(duì)于源光脈沖的比值,其單位為dB,通常為負(fù)數(shù),數(shù)值越接近“0”代表反射越大,相對(duì)此連接器的質(zhì)量差。
Return Loss回波損耗或者ORL光回波損耗區(qū)別于發(fā)射,是指包含反向散射和反射部分水平相對(duì)于光脈沖的比值,單位同樣為dB,通常也為負(fù)數(shù),數(shù)值越接近“0”代表反射越大。
為方便理解,以下列舉一些典型的反射值:
(1)光纖終端(剖面良好):-14dB。
(2)良好的多模PC 連接器:-35dB或更小。
(3)良好的單模PC 連接器:-50dB或更小。
(4)良好的APC連接器: -60dB或更小。
(5)良好的熔接點(diǎn):-60dB或更小。
(6)OM2-OM4 光纖的標(biāo)準(zhǔn)反向散射:850nm為-68dB;1300nm為-76dB。
(7)OS1-OS2 光纖的標(biāo)準(zhǔn)反向散射:1310nm為-79dB;1550nm為-82dB。
潘凱恩:在OTDR測(cè)試時(shí),通常使用的波長(zhǎng)包括850nm、1300nm、1310nm以及1550nm的測(cè)試光脈沖,反向散射隨著波長(zhǎng)的增加而減小。波長(zhǎng)短時(shí),在被測(cè)光纜近處,反向瑞利散射相對(duì)較大,成形的Trace曲線容易識(shí)別;而當(dāng)距離較遠(yuǎn)時(shí),稍短波長(zhǎng)如1310nm的反向瑞利散射比波長(zhǎng)為1550nm的弱,成形的Trace曲線也要差一些。因此在使用OTDR測(cè)試時(shí),對(duì)于距離較長(zhǎng)的單模光纖,可采用1550nm的波長(zhǎng)進(jìn)行測(cè)試,由于1550nm波長(zhǎng)在測(cè)試時(shí),對(duì)光纖中的宏彎曲會(huì)比較敏感,可以通過(guò)不同波長(zhǎng)下的測(cè)試結(jié)果做比對(duì),如1550nm測(cè)試時(shí)存在損耗事件,而1310nm測(cè)試時(shí)則不明顯,那么可以判斷光纖中事件位置發(fā)生了宏彎曲。而測(cè)試時(shí)如果需要獲得更好的圖形曲線,可以采用稍小一些的測(cè)試波長(zhǎng)(如1310nm),進(jìn)行測(cè)試。
潘凱恩:“盲區(qū)”又稱(chēng)“死區(qū)”,通過(guò)菲涅爾反射原理進(jìn)行測(cè)試時(shí),在一定的距離范圍內(nèi)OTDR曲線無(wú)法反映光纖狀態(tài)的部分。出現(xiàn)此現(xiàn)象的原因是光纖鏈路上菲涅爾反射強(qiáng)信號(hào)使得高敏探測(cè)器飽和,從而需要一定的恢復(fù)時(shí)間。一般在兩個(gè)連接器非常接近時(shí)容易產(chǎn)生死區(qū)。
EDZ為事件死區(qū);ADZ為衰減死區(qū);EDZ僅對(duì)Fresnel(非飽和)反射有效。