成果簡(jiǎn)介: 本項(xiàng)目致力于開發(fā)GaN垂直結(jié)構(gòu)LED芯片,包括外延片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),LED芯片設(shè)計(jì)、制造和特性分析。在垂直結(jié)構(gòu)LED器件制造過程中,藍(lán)寶石剝離后,大大提升了LED器件的導(dǎo)熱性能,因而輸出更大功率和更高亮度。香港應(yīng)用科技研究院開發(fā)出獨(dú)特的化學(xué)機(jī)械拋光法(CMP),成功地取代了常用的激光剝離技術(shù),在逆向電流規(guī)格方面,提高了工藝產(chǎn)量。
可供轉(zhuǎn)移的技術(shù)為去除藍(lán)寶石襯底專用的化學(xué)機(jī)械拋光法工藝技術(shù)和GaN垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的設(shè)計(jì)和特性分析。