梁 銳 賀偉衡 鄧天軍

（廣東美的暖通設(shè)備有限公司，廣東 佛山 528311）

1 目的

明確有關(guān)IGBT開(kāi)關(guān)特性的項(xiàng)目，通過(guò)仿真開(kāi)關(guān)時(shí)間來(lái)尋求最佳開(kāi)關(guān)方法，使損失降到最小，以提供高效率、高可靠性的變頻特性。

2 探討決定開(kāi)關(guān)時(shí)間的方法

IGBT(Insulated Gate Bipollar Transistor)是MOSFE和雙極晶體管的組合的元件。

有關(guān)開(kāi)關(guān)的性能和MOSFET(Metal Oxcide Semiconductor Field Effect Transistor)具有相同的原理，ON電壓（Vcesat)的值和雙極晶體管的傳導(dǎo)度調(diào)制現(xiàn)象一樣低。本論文是找出開(kāi)關(guān)的最佳條件，所以和MOSFET的特性有關(guān)。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）只存在多數(shù)載流子，所以不像雙極晶體管那樣發(fā)生多數(shù)載流子和少數(shù)載流子的結(jié)合時(shí)間延遲，F(xiàn)ET動(dòng)作時(shí)間上沒(méi)有延遲，也就是動(dòng)作簡(jiǎn)單通過(guò)計(jì)算來(lái)決定。門(mén)驅(qū)動(dòng)電壓定為Vcc、門(mén)容量定為Cge、門(mén)電阻定為Rg、負(fù)荷電流Ia從二極管電流全部換流到極電極電流時(shí)的門(mén)電壓定為Vgeia、集電極電流為最大（Irrp）時(shí)的門(mén)電壓定為Vgep，這個(gè)差的集電極電流⊿Ic和門(mén)電壓的差⊿Vge的比為傳遞集電極Gfe，用1式來(lái)表示：

因?yàn)槟硞€(gè)時(shí)間t的門(mén)電壓 Vge（t）為 Vgeia時(shí)，流過(guò)門(mén)的電流是充電門(mén)的容量的電流，所以得出2式：

變形2式，代入1式，得出3式：

所以，

因?yàn)檫@個(gè)式的Vgeia、Gfe、Cge是ICBT的固有值，所以開(kāi)關(guān)時(shí)間是可以由門(mén)電壓Vcc和門(mén)電阻Rg來(lái)決定的。

3 開(kāi)關(guān)時(shí)間和損失的關(guān)系探討

圖1 開(kāi)關(guān)波形

根據(jù)門(mén)電阻可以變更開(kāi)關(guān)速度，但怎樣決定最佳的開(kāi)關(guān)速度，這需要探討。

圖1示出有關(guān)開(kāi)關(guān)損失的晶體管電壓（Vce）、電流（Ic）和二極管電流。這次討論區(qū)間B和C的損失。這個(gè)區(qū)間的Vce為一定值，是整流電壓Vdc和二極管的正向電壓Vf的和的電壓。

把區(qū)間B的時(shí)間定為T(mén)b、區(qū)間C的時(shí)間定為T(mén)rr1，區(qū)間B和C的損失J得出下式：

把5式代入4式得出6式：

4式的Tb不管大或小，損失都會(huì)增加，這意味著在某個(gè)值上有一個(gè)最小值。

這里重要的是二極管的逆恢復(fù)特性。Trr1是圖1藍(lán)色電流的區(qū)間，因?yàn)闅埩粲卸O管的少數(shù)載流子，所以意味著是電流可以自由流動(dòng)的時(shí)間，這是由二極管的物性決定的時(shí)間。圖1的綠色區(qū)間是指二極管完全Off，充電PN接合上出來(lái)的過(guò)渡層的電荷流過(guò)的區(qū)間。也就是說(shuō)明Trr1是一定值，所以在6式中可變量是Tb。通過(guò)對(duì)6式進(jìn)行偏微分計(jì)算，設(shè)置J值為零的點(diǎn)為極值。求出：

也就是從7式和5式知道在 Tb＝Trr1、Ia＝Irrp時(shí)，開(kāi)關(guān)損失為最小。也就是：

在算式上展開(kāi)上，得出最佳開(kāi)關(guān)速度。

4 仿真探討

為了證明8式，讓d Ic/dt變化，對(duì)損失進(jìn)行仿真。我們繼續(xù)使用 6 式，Vce+Vf定為 300V，Ia定為 1A、2A、3A、5A，Trr1 定為50nsec，載波頻率定為15kHz。計(jì)算方法為把Tb＝Ia/(d Ic/dt)代入6式，d Ic/dt放在x軸上，在J上乘以載波頻率后變換成損失 （瓦特）定為Y軸。

圖2

結(jié)果在圖2上示出。

從圖中我們可以知道 1A 在 20A/μsec，2A 在 40A/μsec，3A在60A/μsec，5A在100A/μsec的開(kāi)關(guān)速度時(shí)，損失為最小。而這些開(kāi)關(guān)速度的值全部是Ia/Trr1的值。

5 總結(jié)

這樣我們知道了IGBT的最佳開(kāi)關(guān)速度可以通過(guò)額定電流和二極管的逆恢復(fù)時(shí)間的一部分Trr1的比來(lái)求出，用仿真也證明過(guò)。即使使用相同額定電流的IGBT，電機(jī)的額定電流不同時(shí)，也能得到最佳的開(kāi)關(guān)速度。

市場(chǎng)上賣(mài)的IGBT普遍在IGBT的額定電流時(shí)把損耗設(shè)到最小。而變頻空調(diào)卻不是這樣，如額定電流15Arms的電機(jī)因?yàn)槭褂?0A額定的IGBT，所以在空調(diào)的額定點(diǎn)上滿(mǎn)足不了最小的損耗。這一點(diǎn)需要我們?cè)诤笃贗GBT選型過(guò)程中多加注意，盡量達(dá)到最小的開(kāi)關(guān)損失。