薄膜晶體管（TFT）是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種。人類(lèi)對(duì)薄膜晶體管的研究工作已經(jīng)有很長(zhǎng)的歷史。1962年Weimer用多晶 CaS 薄膜做成了薄膜晶體管。薄膜晶體管通常是在基板上沉積各種不同的薄膜制作而成，這些薄膜包括半導(dǎo)體主動(dòng)層、介電層和金屬電極層。薄膜晶體管對(duì)顯示器工作性能的提升具有十分重要的作用。近年來(lái)，由于低費(fèi)用、大陣列顯示的需求薄膜晶體管的研究廣為興起。

本書(shū)概覽了大量電子工業(yè)領(lǐng)域人員感興趣的主流薄膜晶體管的原理、應(yīng)用和技術(shù)，并基于制備材料對(duì)不同種類(lèi)的薄膜晶體管進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，如氫化非晶硅、多晶硅、透明非晶氧化物半導(dǎo)體和有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管。全書(shū)共12章：1.引言；第1部分 背景，包含第2-4章：2.薄膜晶體管的半導(dǎo)體器件物理；3.絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管；4.有源矩陣平板顯示器。第2部分 薄膜晶體管，包括第5-10章：5.氫化非晶硅薄膜晶體管技術(shù)與構(gòu)架；6.氫化非晶硅薄膜晶體管性能；7.多晶硅薄膜晶體管技術(shù)與構(gòu)架；8.多晶硅薄膜晶體管性能；9.透明非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管；10.有機(jī)薄膜晶體管。第3部分 新型襯底和器件，含第11-12章：11.柔性基底薄膜晶體管；12.源門(mén)控晶體管。

本書(shū)涵蓋了薄膜晶體管所有主要的技術(shù)，是大面積顯示電子行業(yè)的科學(xué)家和工程師、從事薄膜晶體管研究的學(xué)生與科學(xué)家的重要參考書(shū)，也可做為本科和研究生教學(xué)參考。

作者Stan.D.Brotherton博士，目前是薄膜晶體管獨(dú)立顧問(wèn)，之前是英國(guó)飛利浦實(shí)驗(yàn)室資深科學(xué)家，研究范圍包括半導(dǎo)體器件及其相關(guān)材料問(wèn)題，尤其是深度缺陷對(duì)硅器件性能的影響；在器件研究方面包括MOSFET和CCD，功率器件及紅外成像器件；最近研究主要集中在薄膜晶體管上，并創(chuàng)立了飛利浦多晶硅薄膜晶體管研究計(jì)劃，同時(shí)也在其他一些薄膜晶體管?chē)?guó)際組織從事顧問(wèn)工作。

杜利東，助理研究員

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