曾健平 戴志偉 楊浩 張海英 鄭新年
摘要:基于0.5um贗配高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝,設(shè)計(jì)制造了一款工作于450~470 MHz頻段的單片集成低噪聲放大器(LNA),該LNA采用阻容負(fù)反饋的方式實(shí)現(xiàn)輸入阻抗匹配,減小了無源元件占有的芯片面積,達(dá)到了單片集成的目的,同時(shí)降低了使用成本.測試結(jié)果表明,該單片集成LNA具有40 dB左右的增益和約0.5 dB的噪聲系數(shù),其低噪聲性能十分優(yōu)秀,這得益于pHEMT管不引入高損耗的片上電感所帶來的好處及其本身優(yōu)異的低噪聲特性.endprint
摘要:基于0.5um贗配高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝,設(shè)計(jì)制造了一款工作于450~470 MHz頻段的單片集成低噪聲放大器(LNA),該LNA采用阻容負(fù)反饋的方式實(shí)現(xiàn)輸入阻抗匹配,減小了無源元件占有的芯片面積,達(dá)到了單片集成的目的,同時(shí)降低了使用成本.測試結(jié)果表明,該單片集成LNA具有40 dB左右的增益和約0.5 dB的噪聲系數(shù),其低噪聲性能十分優(yōu)秀,這得益于pHEMT管不引入高損耗的片上電感所帶來的好處及其本身優(yōu)異的低噪聲特性.endprint
摘要:基于0.5um贗配高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝,設(shè)計(jì)制造了一款工作于450~470 MHz頻段的單片集成低噪聲放大器(LNA),該LNA采用阻容負(fù)反饋的方式實(shí)現(xiàn)輸入阻抗匹配,減小了無源元件占有的芯片面積,達(dá)到了單片集成的目的,同時(shí)降低了使用成本.測試結(jié)果表明,該單片集成LNA具有40 dB左右的增益和約0.5 dB的噪聲系數(shù),其低噪聲性能十分優(yōu)秀,這得益于pHEMT管不引入高損耗的片上電感所帶來的好處及其本身優(yōu)異的低噪聲特性.endprint