鞏瑞春 申 長(zhǎng)
(包頭師范學(xué)院信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,內(nèi)蒙古 包頭014030)
SPWM(Sinusoidal PWM),即正弦脈沖寬度調(diào)制技術(shù), 其控制的理論基礎(chǔ)是面積等效原理, 即用等幅不等寬的矩形脈沖等效代替正弦波,使其面積相等,這樣便可得到一串脈沖高度不變、但寬度按正弦規(guī)律變化的脈沖序列,稱(chēng)為SPWM 波形。
三相SPWM 逆變器把希望輸出的頻率相同, 相位互差120°的正弦波作為調(diào)制信號(hào),運(yùn)用公共等腰三角波作為載波,在每相交點(diǎn)時(shí)刻控制開(kāi)關(guān)器件的通斷,就可以得到寬度正比于信號(hào)幅值的脈沖。
圖1 為三相橋式SPWM 逆變器的仿真模型圖,圖中Ud 為直流側(cè)電源, 載波信號(hào)由周期為7500Hz 的三角波構(gòu)成, 信號(hào)波由周期為500Hz, 相位互差120°的正弦波構(gòu)成。 逆變器主電路通過(guò)六個(gè)IGBT/Diode 開(kāi)關(guān)構(gòu)成,由SPWM PULSE 提供驅(qū)動(dòng)信號(hào),最終通過(guò)電壓測(cè)量模塊測(cè)出U、V、W 相的電壓。
圖1 三相SPWM 逆變器的仿真模型圖
理想狀態(tài)下三相SPWM 橋式逆變器的頻譜如圖2 所示,F(xiàn)undamental(500)=45,THD=79.68%,從這圖中可以看出,理想情況下,逆變器輸出電壓幾乎不含低次諧波分量。
圖2 三相SPWM 橋式逆變器輸出電壓頻譜柱狀圖
在逆變器輸出中,為了防止同一相的上下兩個(gè)橋臂直通,需加入幾微秒的死區(qū)時(shí)間。 雖然死區(qū)時(shí)間很短,單個(gè)脈沖不足以影響系統(tǒng)性能,但連續(xù)一個(gè)周期的死區(qū)效應(yīng)積累卻會(huì)使輸出電壓含有很大諧波分量,電流波形發(fā)生畸變。
對(duì)于逆變電路來(lái)說(shuō), 注入死區(qū)時(shí)間的方式采用雙邊對(duì)稱(chēng)方式設(shè)置,使欲關(guān)斷的功率管比理想波形提前Td/2 關(guān)斷,欲開(kāi)通的功率管比理想波形延遲Td/2 開(kāi)通。
對(duì)理想的SPWM 逆變器來(lái)說(shuō), 其輸出電壓中幾乎不存在低次諧波,只有與載波比有關(guān)的諧波,但由于死區(qū)的存在,使SPWM 逆變器輸出不能精確地復(fù)現(xiàn)控制信號(hào)的波形,必然產(chǎn)生新的諧波,帶來(lái)一系列的諧波電壓分量, 低次諧波的幅值會(huì)隨死區(qū)時(shí)間的增加而增加,這些將引起輸出電壓波形發(fā)生較大的畸變。 諧波的存在,不僅造成功率因數(shù)降低,影響效率而且還可能引起逆變器自身以及其他設(shè)備的工作失調(diào)。
將線電壓UUV展開(kāi)成傅里葉級(jí)數(shù)得:
由上式可以看出, 在三相SPWM 橋式逆變電路中不存在3 次諧波,以及3 的整數(shù)倍次諧波。
在生成SPWM 驅(qū)動(dòng)信號(hào)模塊中設(shè)定死區(qū)時(shí)間, 實(shí)現(xiàn)不同死區(qū)時(shí)間下的不同輸出電壓頻譜,其死區(qū)時(shí)間為3us 時(shí)頻譜圖如圖4 所示。
圖3 死區(qū)時(shí)間為3us 時(shí)的輸出電壓頻譜圖
改變死區(qū)時(shí)間仿真分析,可總結(jié)如表1 所示。
由表1 可知,隨著死區(qū)時(shí)間的增加,各低次諧波含量總體逐漸增大,總諧波畸變率逐漸增高。
通過(guò)MATLAB/SIMULINK 仿真可知,在理想狀態(tài)下,三相SPWM逆變器的輸出電壓不含低次諧波, 僅含有與載波相關(guān)的高次諧波;加入死區(qū)時(shí)間后,逆變器的輸出電壓中會(huì)增加奇次的低次諧波,這些低次諧波含量會(huì)隨著死區(qū)時(shí)間的增加而增大, 輸出電壓基波幅值減小,總諧波畸變率增高,并且不含有3 次及3 的整數(shù)倍的低次諧波。
表1 不同死區(qū)時(shí)間對(duì)逆變器輸出結(jié)果的影響數(shù)據(jù)
[1]王兆安,劉進(jìn)軍.電力電子技術(shù)[M].5 版.北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2009.
[2]鞏瑞春,劉曉虹.單相SPWM 逆變器輸出電壓頻譜分析研究[J].陰山學(xué)刊,2012,3.
[3]鞏瑞春,劉曉虹.三相SPWM 逆變器輸出電壓頻譜分析研究[J].硅谷,2012,10(上).