孫佳哲 王磊

摘要：該文通過4H-SiC PiN二極管的模擬，給4H-SiC PiN二極管加了一個(gè)5V電壓，在室溫T=300K的情況下分析了4H-SiC PiN二極管的直流特性和溫度特性，從而介紹了Synopsys Inc.開發(fā)的新一代的器件物理特性仿真工具Sentaurus Device的一些仿真功能。

關(guān)鍵詞：4H-SiC PiN二極管；Si；SenTaurus Device

中圖分類號(hào)：TP31 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1009-3044（2014）33-8034-04

電子電流密度要大于空穴電流密度。當(dāng)溫度在300K-450K的時(shí)候電流密度是隨著溫度的增加而增加，在T=450K附近的時(shí)候電流密度達(dá)到了最大值，當(dāng)溫度在450K-600K的時(shí)候電流密度隨著溫度增加而減小。

3 總結(jié)

利用器件模擬軟件Sentaurus Device對(duì)4H-SiC PiN 二極管的直流特性進(jìn)行模擬。通過模擬 4H-SiC PiN 二極管的直流正向 I-V 特性、開關(guān)特性，載流子密度等特性。器件的導(dǎo)通電壓為2.6V 左右，同時(shí)漂移區(qū)少子濃度（空穴）增至5e+17[cm-3]比漂移區(qū)摻雜濃度1e+15[cm-3]高出倆個(gè)數(shù)量級(jí)。通過模擬發(fā)現(xiàn) 4H-SiC PiN 二極管的正向?qū)妷弘S著溫度的升高而逐漸減小。

參考文獻(xiàn)：

[1] B.Jayant Baliga. Fundamentals of Power Semiconductor Devices[J].Springer 2008.

[2] Michael Shur， Sergey Rumyantsev， Michael Levinshtein. SiC Materials and Devices[M].Publishing House of Electronics Industry，2012.

[3] B.J.Baliga.Power Semiconductor Devices[M].PWS Publishing Co，1996.