李?，惠寶軍，徐 陽(yáng)，皮昊書(shū)，陳志超

(1.深圳供電局，廣東 深圳518033;2.西安交通大學(xué)電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，陜西 西安710049)

0 引言

截至2012年底，國(guó)家電網(wǎng)公司全口徑6～20 kV配電線路長(zhǎng)度已達(dá)3 032 791 km［1］。隨著電纜線路的不斷延伸，電纜中間接頭的使用量也大幅增加。但由于有些電纜附件制造粗糙、安裝不規(guī)范或受不可抗拒的外力破壞，導(dǎo)致電纜系統(tǒng)中附件故障率比例通常高于電纜本體［2］。局部放電作為電纜絕緣材料劣化的主要因素和表征參數(shù)之一，其檢測(cè)在一定程度上可以發(fā)現(xiàn)絕緣材料存在的潛在隱患，從而降低電纜故障發(fā)生的概率。因此局部放電的檢測(cè)在出廠試驗(yàn)和預(yù)防性試驗(yàn)中均為重要試驗(yàn)項(xiàng)。

針對(duì)電纜及附件典型缺陷的局部放電的研究，國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究者進(jìn)行了大量工作，并取得了一定的研究成果。Bartnikas R等人對(duì)局部放電的產(chǎn)生機(jī)理及檢測(cè)進(jìn)行了詳細(xì)介紹［3］，指出了局部放電的不同類(lèi)型及各種檢測(cè)方法。Steven Boggs等人對(duì)局部放電的各種影響因素進(jìn)行了詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)分析，指出了局部放電的影響因素(如缺陷大小、缺陷位置等)及其作用規(guī)律等［4］。國(guó)內(nèi)朱曉輝等人對(duì)不同電壓等級(jí)的電纜及附件缺陷類(lèi)型及形成原因進(jìn)行了研究，并對(duì)比分析了不同缺陷對(duì)應(yīng)的局放信號(hào)的上升時(shí)間、脈寬和頻譜特性等［5］。李光茂等人對(duì)110 kV交聯(lián)聚乙烯(XLPE)電纜終端制作了懸浮、滑閃典型缺陷模型，并分析了不同缺陷局部放電隨電壓變化的特點(diǎn)［6］。北京電科院任志剛等人利用多種局部放電檢測(cè)手段對(duì)GIS電纜終端的實(shí)際氣隙缺陷進(jìn)行了檢測(cè)及對(duì)比，分析了不同檢測(cè)方法下該缺陷的放電特點(diǎn)差異［7］。

上述研究多是在短時(shí)間內(nèi)測(cè)量局部放電，而相關(guān)研究結(jié)果表明同一缺陷在不同劣化階段的局部放電特征差異顯著［8，9］，因此短時(shí)間內(nèi)獲取到的局部放電表征信息并不全面。針對(duì)長(zhǎng)時(shí)間局部放電發(fā)展過(guò)程的研究，日本Tokunaga S等人對(duì)含有金屬顆粒、針孔等缺陷的中壓XLPE電纜接頭的局部放電的發(fā)展過(guò)程進(jìn)行了研究，提出隨著局部放電的最大放電量和放電次數(shù)的顯著增加，預(yù)示著電樹(shù)的引發(fā)［8，10］，國(guó)內(nèi)常文治博士針對(duì)35kV電纜中間接頭，制作了屏蔽層尖刺缺陷、微孔缺陷、沿面金屬顆粒缺陷以及沿面尖刺4種典型缺陷，研究了絕緣材料劣化全過(guò)程中的局部放電發(fā)展過(guò)程，同樣將局部放電的發(fā)展過(guò)程分成了不同階段，并利用局部放電表征參量發(fā)展趨勢(shì)之間的差異來(lái)評(píng)價(jià)中間接頭典型缺陷局部放電的嚴(yán)重程度［9］。

盡管針對(duì)不同缺陷局部放電的發(fā)展過(guò)程相關(guān)研究較多，但在供電部門(mén)的預(yù)防性試驗(yàn)中依然存在發(fā)現(xiàn)電纜接頭缺陷后，可能來(lái)不及在短期內(nèi)及時(shí)處置，因此希望了解存在不同缺陷的中間接頭的局部放電的發(fā)展規(guī)律，以及是否會(huì)快速擊穿，從而對(duì)檢修策略的優(yōu)化提供指導(dǎo)。本文在10 kV XLPE電纜中間接頭內(nèi)模擬了主絕緣內(nèi)部軸向氣隙和主絕緣表面軸向劃痕兩種典型缺陷，并利用IEC 60270推薦的脈沖電流法耦合局部放電信號(hào)。通過(guò)對(duì)該類(lèi)缺陷的局部放電發(fā)展過(guò)程進(jìn)行檢測(cè)分析，從而為配電電纜檢修策略的優(yōu)化提供參考依據(jù)。

1 測(cè)量電路與試樣

1.1 實(shí)驗(yàn)電路

圖1顯示的是10 kV電纜人工典型缺陷局部放電檢測(cè)電路接線圖，試驗(yàn)電纜長(zhǎng)約3 m。圖1中AC為交流電源;Filter為高壓濾波器，用于濾除來(lái)自試驗(yàn)電源的高頻干擾;R為保護(hù)電阻;C1、C2為分壓電容器;Ck為耦合電容器;Zm為檢測(cè)阻抗，將脈沖電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為脈沖電壓信號(hào);LDS-6局放儀為Doble公司符合IEC 60270標(biāo)準(zhǔn)的高精度數(shù)字式局部放電測(cè)量系統(tǒng)，其檢測(cè)頻帶為90～420 kHz(－6 dB)。為防止電纜兩端放電，在電纜兩端均安裝油終端進(jìn)行防暈處理。

圖1 10 kV電纜人工典型缺陷局部放電檢測(cè)回路接線圖

1.2 接頭缺陷模擬制作

實(shí)驗(yàn)采用的電纜試品型號(hào)為YJV1-8.7/15 kV-1×185，即單芯XLPE絕緣聚氯乙烯(PVC)護(hù)套電纜，線芯標(biāo)稱(chēng)截面面積185 mm2，電纜中間接頭采用預(yù)制式電纜接頭。人工典型缺陷制作如下:

(1)主絕緣內(nèi)部軸向氣隙

其制作方法是在中間接頭連接的一端主絕緣上，利用直徑約1 mm的針沿軸向扎入深度約15.8 mm的針孔氣隙，之后填充約5 mm長(zhǎng)的PVC絕緣膠帶。針孔氣隙的外表面距導(dǎo)體線芯表面的最短距離約1.7 mm，即內(nèi)部氣隙位置約在電纜絕緣的中心位置，其示意圖和實(shí)際缺陷如圖2所示。

圖2 主絕緣內(nèi)部軸向氣隙缺陷示意圖

(2)主絕緣表面軸向劃痕缺陷

在電纜中間接頭制作過(guò)程中，利用刻刀剝離電纜的半導(dǎo)電層時(shí)由于用力不當(dāng)，經(jīng)常導(dǎo)致縱向和切向劃痕。本實(shí)驗(yàn)?zāi)M主絕緣表面軸向劃痕氣隙，其制作方法是在主絕緣外部，沿外半導(dǎo)電層斷口處軸向劃一道深約2 mm、長(zhǎng)約40 mm的刻痕，其示意圖如圖3所示。

圖3 主絕緣表面軸向氣隙缺陷示意圖

1.3 實(shí)驗(yàn)方案

在進(jìn)行電纜局部放電試驗(yàn)前，需進(jìn)行試驗(yàn)回路的無(wú)局放驗(yàn)證。選用無(wú)缺陷電纜試品，搭建好回路后利用LDS-6局放儀，采用GB/T 11017.1-3—2002推薦的局部放電測(cè)量方法進(jìn)行測(cè)量［11］。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示放電量小于5pC，從而認(rèn)為試驗(yàn)回路完好。之后，依次制作不同缺陷，進(jìn)行相應(yīng)局部放電測(cè)試。本實(shí)驗(yàn)主要研究短期內(nèi)缺陷的局部放電發(fā)展過(guò)程，因此采用逐漸升壓法，在短期內(nèi)獲得局部放電的發(fā)展過(guò)程。試驗(yàn)電壓升壓過(guò)程中宜采用緩慢連續(xù)升壓的方式，當(dāng)電壓加至設(shè)定值時(shí)，在該電壓等級(jí)下施加一定長(zhǎng)的時(shí)間。導(dǎo)則［12］指出在1.7 U0的施加電壓下，局部放電的測(cè)量時(shí)間一般不短于60 min，因此在本實(shí)驗(yàn)中恒壓施加時(shí)間設(shè)定為90 min。

2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

2.1 主絕緣內(nèi)部軸向氣隙缺陷

2.1.1 加壓過(guò)程

緩慢升高電壓至10 kV時(shí)出現(xiàn)穩(wěn)定的局部放電信號(hào)，可認(rèn)為此缺陷的工頻放電起始電壓PDIV為10 kV。以10 kV作為缺陷模型的起始施加電壓，隨后逐漸升高電壓進(jìn)行加速劣化，并在各電壓等級(jí)下維持90 min。電壓升至30 kV(3.5 U0)保持30 min后中間接頭仍未擊穿，之后停止加壓。停止加壓一方面是因?yàn)樵撾妷旱燃?jí)滿(mǎn)足目前10 kV電纜的例行試驗(yàn)的耐壓試驗(yàn)要求［13］，即在3.5 U0電壓下加壓5 min，另一方面是因?yàn)楫?dāng)電壓繼續(xù)升高時(shí)即使發(fā)生擊穿現(xiàn)象，其破壞機(jī)理也可能與額定電壓下發(fā)生擊穿的破壞機(jī)理不同［14］。本實(shí)驗(yàn)具體加壓過(guò)程如圖4所示。

圖4 主絕緣內(nèi)部軸向氣隙缺陷加壓過(guò)程

2.1.2 局部放電發(fā)展過(guò)程

在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，對(duì)局部放電現(xiàn)象進(jìn)行連續(xù)在線監(jiān)測(cè)，且每隔30 min記錄一組數(shù)據(jù)，每組記錄時(shí)長(zhǎng)為20 s，即1 000個(gè)放電周期。通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)，該缺陷放電統(tǒng)計(jì)譜圖(PRPD)在放電過(guò)程中發(fā)生了3次較為明顯的變化，分別選取不同階段的代表性放電統(tǒng)計(jì)譜圖進(jìn)行分析，如圖5所示。

由圖5a可以看出，在局部放電發(fā)展過(guò)程初始階段，正負(fù)半周放電明顯不對(duì)稱(chēng)。第一象限放電譜圖形似“小山丘”，放電量小而密集，最高放電量不超過(guò)40 pC。第三象限放電除了具有類(lèi)似于第一象限的小放電外，還有少許較為稀疏的大幅值放電脈沖，從而放電譜圖呈現(xiàn)出不規(guī)則的“單峰”結(jié)構(gòu)，最大放電量約170 pC。

圖5 局部放電過(guò)程中三個(gè)發(fā)展階段相位譜圖

當(dāng)局部放電進(jìn)一步發(fā)展，放電類(lèi)型略微發(fā)生了變化，如圖5b所示。由圖中可以看出，相比于初始階段放電，該階段放電量有所增加，且放電頻率明顯加快，從而使得第三象限的放電由“單峰”結(jié)構(gòu)向“拱形”結(jié)構(gòu)過(guò)渡。對(duì)于第一象限放電則發(fā)生了較為明顯的變化，除了第一階段小而密集的放電量變大外，還出現(xiàn)了放電量較大且相位相對(duì)固定的放電脈沖，從而呈現(xiàn)出“空穴”結(jié)構(gòu)。

當(dāng)局部放電發(fā)展至第三階段時(shí)，放電量顯著增大，如圖5c所示，但放電統(tǒng)計(jì)譜圖的相位分布特征與第二階段基本類(lèi)似:第三象限放電仍呈現(xiàn)“拱形”結(jié)構(gòu)，但相位寬度較第二階段有所擴(kuò)展，且放電頻率進(jìn)一步加快;第一象限大放電脈沖逐漸增多，“空穴”結(jié)構(gòu)不再明顯，且放電相位逐漸向90°方向擴(kuò)展，另外在相位50°～60°間出現(xiàn)了稀疏的大幅值放電。

2.1.3 局部放電發(fā)展趨勢(shì)分析

將單位時(shí)間內(nèi)局部放電的平均放電功率P、最大放電量Qmax、平均放電量Qav、脈沖重復(fù)率N以及脈沖相位寬度φ作為局部放電表征參量。其中放電功率P指在選定的參考時(shí)間間隔Tref內(nèi)單個(gè)視在電荷qi饋入試品兩端間的放電脈沖功率，如式(1)所示［7］。

式中:最大放電量Qmax指記錄時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的單次最大放電量;平均放電量Qav指統(tǒng)計(jì)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)各周期最大放電量的平均值;脈沖重復(fù)率N指單位時(shí)間內(nèi)的放電次數(shù);脈沖相位寬度φ是指除去背景噪聲后放電脈沖所在的相位區(qū)間寬度。由于P、N以及φ與測(cè)量時(shí)設(shè)定的閾值大小有關(guān)，因此為了保持結(jié)果的一致性，閾值均設(shè)定為略高于背景噪聲，約為10 pC。各表征參量發(fā)展趨勢(shì)如圖6所示。

從圖6a、b中可以看出，平均放電功率P、最大放電量Qmax或平均放電量Qav隨時(shí)間變化的曲線呈現(xiàn)“階段式增長(zhǎng)”的特點(diǎn)，各階段內(nèi)放電幅值發(fā)展相對(duì)平穩(wěn)，且通常后一階段幅值較前一階段幅值稍有增大?；谶@一發(fā)展變化特點(diǎn)，將主絕緣內(nèi)部軸向氣隙缺陷局部放電發(fā)展過(guò)程分為3個(gè)階段，各階段的發(fā)展時(shí)間及外施電壓大小如表1所示。在初始階段放電功率及放電量較小且較為平穩(wěn)，隨著放電過(guò)程的進(jìn)行，放電量及放電功率逐漸增大，但波動(dòng)性隨之加劇，隨著局部放電的繼續(xù)發(fā)展，放電功率及放電量進(jìn)一步增大。

表1 內(nèi)部軸向氣隙缺陷局部放電發(fā)展階段劃分

由圖6b中可以看出，平均放電量與最大放電量放電趨勢(shì)基本一致，但由于局部放電的隨機(jī)特性，在不同階段放電量的波動(dòng)性仍較大，尤其在第二、三階段。由圖6c知，脈沖重復(fù)率整體趨勢(shì)增大，但在第二階段存在放電次數(shù)明顯減小的過(guò)程，相比平均放電功率與放電量，脈沖重復(fù)率在不同階段的劃分并不明顯。由圖6d知，一、三象限的脈沖相位寬度沒(méi)有明顯的階段性特征，隨著老化的進(jìn)行，其對(duì)應(yīng)的脈沖相位寬度逐漸增寬，當(dāng)電壓高于24 kV時(shí)，放電脈沖寬度已超過(guò)90°，向二、四象限擴(kuò)展。另外，從圖6中可以看出在各時(shí)間點(diǎn)兩象限對(duì)應(yīng)的脈沖相位寬度近似相等，顯示了一、三象限放電的對(duì)稱(chēng)性。

圖6 局部放電表征參量發(fā)展趨勢(shì)圖

從上述4種局部放電表征參量的發(fā)展趨勢(shì)可以看出，平均放電功率及放電量(最大值或平均值)均可很好地表征局部放電的不同發(fā)展程度。對(duì)于平均放電功率，由于同時(shí)考慮了放電量、放電次數(shù)以及施加電壓多種影響因素，因而可以更好地反應(yīng)放電發(fā)展趨勢(shì)。而脈沖重復(fù)率和脈沖相位寬度從一定程度上可以反應(yīng)局部放電的發(fā)展程度，但對(duì)不同放電階段的劃分并不敏感。

2.2 主絕緣表面軸向劃痕缺陷

2.2.1 加壓過(guò)程

緩慢升高電壓，在額定電壓8.7 kV時(shí)，出現(xiàn)少量穩(wěn)定放電，最大放電量約為16 pC，可認(rèn)為該缺陷的放電起始電壓為8.7 kV。將8.7 kV作為該缺陷的起始施加電壓，在各電壓等級(jí)下保持90 min，之后逐級(jí)升高電壓。當(dāng)電壓升至26 kV(3U0)時(shí)，加壓約10 s后發(fā)生擊穿現(xiàn)象，之后停止實(shí)驗(yàn)。具體加壓情況如圖7所示。

圖7 主絕緣劃傷缺陷加壓情況示意圖

2.2.2 局部放電發(fā)展過(guò)程及趨勢(shì)分析

從主絕緣內(nèi)部軸向氣隙缺陷的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中，可以看出，放電功率、平均放電量或最大放電量均可很好地表征局部放電的發(fā)展過(guò)程。為了避免眾多參量的冗雜敘述，本部分選取了最大放電量和平均放電量作為局部放電表征參量來(lái)觀測(cè)該缺陷下局部放電的發(fā)展過(guò)程。每隔30 min記錄一組數(shù)據(jù)，記錄時(shí)長(zhǎng)20 s，即1 000個(gè)放電周期。整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中最大放電量Qmax和平均放電量Qav隨時(shí)間變化曲線，如圖8所示。

圖8 放電量隨時(shí)間的發(fā)展趨勢(shì)

從圖8中可以看出，最大放電量和平均放電量在放電過(guò)程中發(fā)展趨勢(shì)基本一致，在15 kV及以下電壓等級(jí)時(shí)放電量均較小，且平均放電量均在30 pC以下，放電較為平穩(wěn)。當(dāng)電壓升至17.4 kV(2U0)后，平均放電量突增至240 pC，但放電量很快減小，1.5 h后平均放電量約為28 pC。之后放電量隨著電壓的升高，并沒(méi)有出現(xiàn)大的波動(dòng)，但升至26 kV時(shí)，平均放電量突然增至600 pC，后又回落至300 pC，約10 s之后發(fā)生擊穿現(xiàn)象。

2.2.3 實(shí)驗(yàn)分析

從圖8中可以看出，電壓由15 kV升至17.4 kV時(shí)，平均放電量由5 pC突變?yōu)?40 pC以及電壓由23 kV升至26 kV時(shí)，平均放電量由55 pC突增至600 pC，在其他電壓等級(jí)下也有類(lèi)似的結(jié)果?？梢?jiàn)在電壓變大時(shí)，放電量均較前一時(shí)刻有所增加，這可能是因?yàn)殡S著電壓的升高，缺陷附近場(chǎng)強(qiáng)得到加強(qiáng)所致。

另外，從實(shí)驗(yàn)結(jié)果也可以看出，該類(lèi)缺陷放電在各電壓等級(jí)下，施加電壓的前期放電量較大，但隨著時(shí)間的推移，放電量大小及次數(shù)均有所減小，如17.4 kV時(shí)平均放電量1.5 h后由最初的240 pC變?yōu)?8 pC。這可能是由以下原因造成的:(1)在局部放電作用下，氣隙中的氣體分子間或氣體分子與絕緣介質(zhì)發(fā)生了化學(xué)反應(yīng)，在氣隙或空腔壁表面生成了氧化副產(chǎn)物，提高了氣隙表面導(dǎo)電性，而導(dǎo)電性提高后利于轉(zhuǎn)移放電電荷，并阻止空腔內(nèi)高場(chǎng)強(qiáng)的建立，從而放電量減?。?5］。(2)隨著時(shí)間的推移，氣隙表面生成了固體副產(chǎn)物，如結(jié)晶物。在結(jié)晶物尖端附近，場(chǎng)域得到加強(qiáng)，放電區(qū)域逐漸集中于結(jié)晶物尖端附近導(dǎo)致放電面積減小，從而放電量逐漸減?。?6］。

當(dāng)電壓突然增加至26 kV時(shí)，平均放電量在很短的時(shí)間內(nèi)(10 s)由600 pC回落至300 pC。上述放電量減小的原因并非之前提到的化學(xué)反應(yīng)或副產(chǎn)物導(dǎo)致的結(jié)果，由于作用時(shí)間極短，該氣隙表面的化學(xué)反應(yīng)可忽略不計(jì)。該現(xiàn)象可能主要是因?yàn)闅庀侗砻鎴?chǎng)強(qiáng)突然增大，遠(yuǎn)超過(guò)氣隙中空氣的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在高場(chǎng)強(qiáng)作用下，放電粒子對(duì)氣隙表面進(jìn)行劇烈轟擊，很快引發(fā)電樹(shù)通道，導(dǎo)致放電粒子快速轉(zhuǎn)移使得放電量減小，繼而發(fā)生擊穿現(xiàn)象。

2.2.4 接頭解剖及分析

通過(guò)對(duì)主絕緣表面劃傷缺陷最終擊穿的電纜中間接頭進(jìn)行解剖，如圖9所示。從圖9中可以看出，電纜的擊穿點(diǎn)發(fā)生在外半導(dǎo)電層斷口處與劃痕氣隙交界處。文獻(xiàn)［17］對(duì)該類(lèi)缺陷進(jìn)行過(guò)場(chǎng)強(qiáng)仿真計(jì)算，發(fā)現(xiàn)該類(lèi)缺陷導(dǎo)致場(chǎng)強(qiáng)畸變嚴(yán)重，尤其是靠近外半導(dǎo)層斷開(kāi)處氣隙導(dǎo)致的場(chǎng)強(qiáng)畸變更加嚴(yán)重，更易發(fā)生擊穿現(xiàn)象，與本文的實(shí)驗(yàn)結(jié)果一致。

圖9 主絕緣劃傷缺陷接頭解剖圖

3 討論

從主絕緣內(nèi)部軸向氣隙的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，該試驗(yàn)?zāi)M的內(nèi)部軸向氣隙缺陷雖然尺徑較大，放電現(xiàn)象較為明顯，但在3.5 U0電壓下運(yùn)行30 min仍未擊穿，表明這種缺陷短時(shí)間內(nèi)危害程度較小，常規(guī)的耐壓試驗(yàn)無(wú)法檢測(cè)出該類(lèi)缺陷。

對(duì)于主絕緣表面軸向劃痕缺陷，從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以判斷出該類(lèi)缺陷危害度較高。主要是因?yàn)樵谑┘与妷簽?5 kV(1.73 U0)以及其電壓等級(jí)下平均放電量均在30 pC以下，現(xiàn)場(chǎng)交接實(shí)驗(yàn)時(shí)，如果背景噪聲較大，可能無(wú)法發(fā)現(xiàn)該類(lèi)缺陷。但在正常運(yùn)行中，即使發(fā)生短暫的過(guò)電壓，也有可能導(dǎo)致電纜絕緣失效。因此該類(lèi)缺陷對(duì)中間接頭的危害程度較大，在電纜附件安裝過(guò)程中應(yīng)盡量避免。

4 結(jié)論

本文通過(guò)對(duì)兩種含有人工典型缺陷(主絕緣內(nèi)部氣隙、主絕緣表面劃傷)的10 kV電纜中間接頭局部放電發(fā)展趨勢(shì)的研究，得出以下結(jié)論:

(1)對(duì)于含有主絕緣內(nèi)部氣隙缺陷的中間接頭，根據(jù)整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中放電功率的發(fā)展趨勢(shì)將局部放電發(fā)展過(guò)程劃分為起始、發(fā)展以及嚴(yán)重三個(gè)階段。該缺陷雖然在三個(gè)階段中放電明顯，但在3.5 U0下耐壓30 min仍未發(fā)生擊穿現(xiàn)象，說(shuō)明預(yù)防性試驗(yàn)中耐壓能通過(guò)的電纜接頭依然有存在缺陷的可能，因此進(jìn)行局部放電測(cè)量是必要的。

(2)對(duì)于含有主絕緣劃傷缺陷的中間接頭，其局部放電量在起始階段較小，約為30 pC，當(dāng)電壓增至3 U0時(shí)，放電量突增至600 pC，之后瞬間擊穿。可認(rèn)為該類(lèi)缺陷，尤其是電纜外半導(dǎo)電層斷開(kāi)處的氣隙，比內(nèi)部軸向氣隙缺陷對(duì)中間接頭的危害程度更大，在電纜附件安裝過(guò)程中應(yīng)盡量避免。

(3)在局部放電表征參數(shù)中，平均放電功率、最大放電量或平均放電量對(duì)局部放電的發(fā)展趨勢(shì)較為敏感，可以很好地表征局部放電發(fā)展趨勢(shì)。

［1］國(guó)家電網(wǎng)運(yùn)維檢修部.國(guó)家電網(wǎng)公司2012年度配網(wǎng)和電纜專(zhuān)業(yè)總結(jié)報(bào)告［R］.

［2］羅俊華，邱毓昌，楊黎明.10 kV及以上電力電纜運(yùn)行故障統(tǒng)計(jì)分析［J］.高電壓技術(shù)，2003，29(6):14-16.

［3］Bartnikas R.Partial discharges.Their mechanism，detection and measurement［J］.Dielectrics and Electrical Insulation，IEEE Transactionson，2002，9(5):763-808.

［4］Boggs S.，Densley John.Fundamentals of partial discharge in the context of field cable testing［J］.Electrical Insulation Magazine，IEEE，2000，16(5):13-18.

［5］朱曉輝，周鳳爭(zhēng)，杜伯學(xué)，等.運(yùn)行電纜中典型缺陷的監(jiān)測(cè)及檢測(cè)技術(shù)研究［C］//2010年中國(guó)電機(jī)工程學(xué)會(huì)年會(huì)論文集.2010:2013-2024.

［6］李光茂，熊 俊，謝劍翔，等.基于常規(guī)和寬帶脈沖電流法的高壓XLPE電纜模擬缺陷試驗(yàn)研究［J］.電線電纜，2013(5):30-33.

［7］任志剛，叢 光，李華春，等.GIS電纜終端缺陷綜合局放診斷與分析［J］.高壓電器，2014，50(3):44-49.

［8］Arief Y Z，Ahmad H，Hikita M.Partial discharge characteristics of XLPE cable joint and interfacial phenomena with artificial defects［C］//Power and Energy Conference，2008:1518-1523.

［9］常文治.電力電纜中間接頭典型缺陷局部放電發(fā)展過(guò)程的研究［D］.華北電力大學(xué)，2013.

［10］Chen X，Xu Y，Cao X，et al.Effect of tree channel conductivity on electrical tree shape and breakdown in XLPE cable insulation samples［J］.Dielectrics and Electrical Insulation，IEEE Transactions on，2011，18(3):847-860.

［11］IEC 60270:2000 High-voltage test techniques-Partial discharge measurements［S］.

［12］CIGR Working Group B1.28:On-site partial discharge measurement［R］.2012.

［13］GB/T 12706.2—2002額定電壓6 kV(Um=7.2 kV)到30 kV(Um=36 kV)電纜［S］.

［14］IEEE Std 1407—2007 IEEE Guide for accelerated aging tests for medium voltage(5 kV－35 kV)extruded electric power cables in water-filled tanks［S］.

［15］Morshuis P H F.Degradation of solid dielectrics due to internal partial discharge:some thoughts on progress made and where to go now［J］.Dielectrics and Electrical Insulation，IEEE Transactions on，2005，12(5):905-913.

［16］Tokunaga S，Tsurusaki T，Arief Y Z，et al.Partial discharge characteristics till breakdown for XLPE cable joint with an artificial defect［C］//Properties and Applications of Dielectric Materials，2003，3:1206-1209.

［17］周鳳爭(zhēng)，孟慶霖，朱曉輝，等.10 kV電纜附件典型缺陷仿真與絕緣故障分析［J］.絕緣材料，2011(4):67-69.