龐成果,蘇有武,徐俊奎,李武元,姚澤恩
(1.蘭州大學(xué) 核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,甘肅 蘭州 730000;2.中國科學(xué)院 近代物理研究所,甘肅 蘭州 730000)
HIAF(high intensity heavy-ion accelerator facility),即強流重離子加速器裝置,是“重離子驅(qū)動的高能量密度物理和物質(zhì)基本結(jié)構(gòu)綜合研究裝置”的一期工程。該裝置建成后,對于極具代表性的質(zhì)子束,最高能量可達(dá)12GeV,最高流強可達(dá)5.0×1012ppp[1]。與此同時,國家先導(dǎo)專項ADS項目也將利用能量為1GeV的高流強的質(zhì)子束轟擊散裂靶作為次臨界堆的中子源[2-3]。而對于高功率質(zhì)子加速器,其關(guān)鍵問題之一是減小質(zhì)子加速過程中的束流損失,一方面是出于加速器本身的需要,另一方面則是輻射防護問題。所以對于束流損失,需加以實時監(jiān)測,而要實現(xiàn)這一目的,則需對由于束流損失引起的次級輻射場加以研究。
FLUKA 程序是一個完整的模擬粒子輸運的 大 型Monte Carlo 程 序[4],于1962 年 在Rutherford高能實驗室完成與發(fā)表,最初應(yīng)用于歐洲核子中心300GeV 項目的高能強子研究中。FLUKA 在功能和應(yīng)用領(lǐng)域上都有了極大的發(fā)展。截止到目前,F(xiàn)LUKA 在高能實驗物理及工程學(xué)、屏蔽設(shè)計、探測器設(shè)計、宇宙射線研究、放射性測定、醫(yī)學(xué)物理與放射生物學(xué)、輻射場研究等多方面都有很多應(yīng)用。
本研究利用FLUKA 程序?qū)|(zhì)子能量范圍在50 MeV~12GeV 間由于束流損失與真空管壁發(fā)生相互作用而引起的次級輻射場進行計算,得出次級粒子的產(chǎn)額、角分布及能譜等基本信息,并結(jié)合束流損失監(jiān)測的要求,簡要分析束流損失探測器的選擇等相關(guān)問題。
由于只考慮質(zhì)子束與真空管壁的相互作用,在模擬計算中取真空管直徑為100mm,管壁厚3mm,管壁材料分別考慮了不銹鋼(成分列于表1)與銅兩種。根據(jù)之前的相關(guān)研究,質(zhì)子在撞擊真空管壁時的入射角為1°~2.5°[5],本文計算中取為2°。由于真空管壁內(nèi)殘余氣體很少,該區(qū)域按真空處理。
在50 MeV~12GeV 之間選取了14個能量點,分別為50MeV、80MeV、100MeV、200MeV、500 MeV、800 MeV、1GeV、1.5GeV、2GeV、5GeV、6.5GeV、8GeV、10GeV 和12GeV,模擬不同能量的質(zhì)子束入射到真空管壁后產(chǎn)生的次級粒子場,計算包括在該物理設(shè)定條件下次級粒子的總產(chǎn)額、能譜及角分布等。
表1 不銹鋼成分[6]Table 1 Stainless steel component[6]
圖1示出不同能量的質(zhì)子束入射到真空管壁上所產(chǎn)生的次級粒子的總產(chǎn)額,其統(tǒng)計誤差均小于1%??梢?,在入射角為2°、真空管壁厚為3mm 的物理設(shè)定下,隨著質(zhì)子束能量的增大,中子、光子及電子的總產(chǎn)額升高,且質(zhì)子束能量達(dá)到200 MeV 時,質(zhì)子本身穿過真空管壁的幾率大幅增加,約為10%。
圖1 不同能量的質(zhì)子束入射到不銹鋼(ST)及銅(Cu)管壁的次級粒子在管壁外的產(chǎn)額Fig.1 Second particle yield for different energy proton beams hitting on stainless steel and copper tube
此外,在質(zhì)子束能量達(dá)到GeV 能區(qū)時,次級粒子的產(chǎn)額基本上均隨質(zhì)子束能量升高而線性增大。而對于中子與光子,當(dāng)質(zhì)子束能量低于2.5GeV 時,中子產(chǎn)額高于光子產(chǎn)額,當(dāng)質(zhì)子束能量高于2.5GeV 后,光子產(chǎn)額迅速升高且遠(yuǎn)超過中子產(chǎn)額。而對于電子及穿透管壁的質(zhì)子,其產(chǎn)額則均比光子及中子產(chǎn)額低。
為了研究次級粒子場的角分布,分別計算了距離質(zhì)子束與真空管壁碰撞點10cm 處在0°、10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°及90°共10個角度上的次級粒子的通量。上述角度為所考慮方向與理想質(zhì)子束之間的夾角。結(jié)果均歸一到單位立體角及每初始質(zhì)子內(nèi),如圖2所示。
由圖2可見,隨著質(zhì)子束能量的增大,真空管壁外的次級粒子場的前沖特性尤為明顯。當(dāng)能量低于2GeV 時,0°方向的次級粒子通量均小于10°方向。而在10°~90°范圍內(nèi),次級粒子通量隨角度的增大近似于指數(shù)衰減。而當(dāng)質(zhì)子束能量達(dá)到5 GeV 及以上時,由于前沖現(xiàn)象的加劇,0°方向的次級粒子通量高于10°方向,其隨角度的變化亦近似于指數(shù)衰減。而對于電子,由于其電離能力遠(yuǎn)強于中子及光子,其前沖現(xiàn)象雖然也較為明顯,但遠(yuǎn)不及中子和光子。且在10°方向上,其通量最大。此外,還有部分質(zhì)子能穿透真空管壁,當(dāng)質(zhì)子束能量高于200 MeV時,質(zhì)子通量隨角度變化同樣近似于指數(shù)衰減。而當(dāng)質(zhì)子束能量低于200 MeV 時,由于其射程較短,能穿過管壁的質(zhì)子數(shù)極少。且由于管壁材料的散射,使得其角分布峰值向兩側(cè)偏移。
考慮到ADS項目及HIAF 質(zhì)子束流的特性,并結(jié)合束流損失監(jiān)測的具體要求,取定真空管壁材料為銅,分別計算了質(zhì)子束能量為100 MeV、1GeV、6.5GeV 及12GeV 在10°方向上的次級粒子能譜。結(jié)果如圖3所示。
由圖3可看出,中子在能量約1 MeV 時達(dá)到峰值,且隨著質(zhì)子束流的增大,中子能量亦增大且接近于質(zhì)子束能量。而對于初始能量為6.5GeV 及12GeV 的質(zhì)子束,出射質(zhì)子能譜在能量為100keV~200MeV 范圍內(nèi)均較為平緩。而光子與電子則主要集中在低能段。
圖2 不同能量的質(zhì)子束入射到不銹鋼(ST)及銅(Cu)管壁的次級粒子及出射質(zhì)子的角分布Fig.2 Second particle and emission proton angular distribution for different energy proton beams hitting on stainless steel and copper tube
圖3 不同能量的質(zhì)子束入射到銅管壁的次級粒子及出射質(zhì)子在10°方向上的能譜Fig.3 Second particle and emission proton energy spectrum for different energy proton beams hitting on copper tube on direction of 10degree
束流損失監(jiān)測系統(tǒng)的最終目標(biāo)是給出束流損失水平,最好能同時給出束流損失的位置及時間信息。而對于ADS及HIAF,其首要作用是機器保護。因此,束流損失監(jiān)測系統(tǒng)關(guān)注的是快損失,且能在最短的時間內(nèi)打開束流閘切斷束流。
由前面的計算結(jié)果可看出,質(zhì)子束打在真空管壁上主要產(chǎn)生中子、光子及電子,并在質(zhì)子束能量足夠高時,還有部分質(zhì)子穿出管壁。且總地來講,光子產(chǎn)額略高于中子,但其來源復(fù)雜,包括場致輻射及加速器部件由于活化而產(chǎn)生的感生放射性。且分布廣泛,所攜帶的位置信息較為模糊。而電子雖來源單一且攜帶的位置信息準(zhǔn)確,但其產(chǎn)額太低。而中子僅來源于質(zhì)子束流損失,則可作為束流損失的探測目標(biāo)。當(dāng)質(zhì)子束能量足夠高時,有較大幾率穿透真空管壁,則出射質(zhì)子應(yīng)為理想的探測目標(biāo),一方面是其能準(zhǔn)確反映束流損失水平,另一方面是其攜帶的準(zhǔn)確的位置及時間信息。
根據(jù)SNS、J-PARC 及CERN 的 經(jīng) 驗,中子與光子是主要的探測目標(biāo)。在J-PARC,基于閃爍體探測器的束流損失監(jiān)測系統(tǒng)由于其快速的時間響應(yīng)而被大量使用[7]。在SNS,對束流損失的監(jiān)測則立足于對中子的探測[8]。而在CERN,如LHC,一種LHC型的電離室則得到了廣泛的應(yīng)用[9],而新研制的pCVD 金剛石探測器也逐步開始使用[10]。
以電離室及閃爍體探測器(如中子探測器)為基礎(chǔ)的束流損失監(jiān)測系統(tǒng)有望成為ADS及HIAF的束流損失監(jiān)測方案,但在某些特殊部件則需特殊考慮。如低能區(qū)的超導(dǎo)直線段,由于束流流強較高,能量較低,束流損失引起的輻射水平較低,高梯度的超導(dǎo)高頻腔引起的背景光子等問題[11],電離室及閃爍體探測器將不再勝任。而新型的pCVD 金剛石探測器由于其超快的時間響應(yīng)、耐輻照以及耐低溫(可在液氦溫度下正常工作)的特性,有望成為低能段的解決方案。
本文對ADS及HIAF 均會涉及到的一系列能量的質(zhì)子束由于發(fā)生局部束流損失(與真空管壁相互作用)而引起的次級輻射場進行了初步計算,得出了次級粒子產(chǎn)額、角分布及能譜等基本信息,并基于此分析了束流損失監(jiān)測的目標(biāo)及探測器的選擇方向。對于高能段,應(yīng)同時探測中子與光子,此外,穿出管壁的質(zhì)子因其攜帶準(zhǔn)確的位置及時間信息,應(yīng)是理想的探測目標(biāo)。而在低能段,對某些特殊部件則需特殊考慮。
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