代 偉
(廣東工業(yè)大學(xué)機電工程學(xué)院, 廣州,510006)
鎂合金具有質(zhì)地輕、比強度高、減振性好、散熱快、吸振性能好等優(yōu)點,在交通、航空航天、機械,電子等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。但是鎂合金強度低和耐腐蝕性差的弱點極大影響了它的廣泛使用[1-4]。目前,在鎂合金表面涂覆保護膜層被認(rèn)為是改善鎂合金耐磨損性和耐腐蝕性的主要方法之一。與傳統(tǒng)陽極氧化或微弧氧化不同,物理氣相沉積技術(shù)(Physics vapor deposition,PVD)不僅是一項綠色、干式的環(huán)保型表面處理技術(shù),且制備的涂層材料性能優(yōu)異[5]。迄今為止,采用PVD技術(shù)已在鎂合金表面制備了多種保護涂層,包括金屬、氧化物和氮化物等,用于提高鎂合金的抗腐蝕和抗磨損性能[6-9]。類金剛石薄膜(Diamond-like carbon, DLC)具有高硬度、低摩擦系數(shù)、化學(xué)惰性和耐磨損性等優(yōu)點,是一種理想的表面防護薄膜[10]。但是,DLC薄膜制備過程容易產(chǎn)生殘余壓應(yīng)力,使得膜/基結(jié)合較差[11]。此外,由于高硬度DLC薄膜與軟質(zhì)鎂合金基體之間的巨大不匹配性,導(dǎo)致在鎂合金表面上制備具有強附著力的高性能DLC薄膜技術(shù)仍是一大挑戰(zhàn)。金屬摻雜被認(rèn)為是一種有效降低DLC薄膜殘余應(yīng)力,提高膜/基結(jié)合力的方法[12]。
因此,本文將利用利用離子束混合磁控濺射PVD沉積技術(shù),在鎂合金(AZ31)表面直接制備了金屬鉻摻雜DLC薄膜(Cr doped DLC, Cr-DLC),并對比純DLC薄膜,研究了Cr-DLC薄膜對鎂合金抗磨損和防腐蝕性能的影響。
采用離子束混合磁控濺射技術(shù)在AZ31和硅片表面制備了DLC和Cr-DLC涂層。沉積薄膜前,先用高能Ar+清洗基體20min。沉積薄膜時,向離子束源通入27sccm的CH4,產(chǎn)生含碳?xì)潆x子束,同時向配有Cr靶(99.9%)的直流磁控濺射源通入53sccm的Ar,濺射Cr靶,實現(xiàn)金屬摻雜。離子束源和磁控濺射源都采用直流電源的電流模式,電流分別設(shè)定為0.2A和2.5A,功率分別為250W和 950W。沉積的過程中,在襯底上加載-50V(350Hz,1.1μs)的直流脈沖負(fù)偏壓。沉積時間為1h。
薄膜的碳結(jié)構(gòu)采用Raman光譜(Ar+激光,波長514.5nm)進行表征。配備有EDS的SEM被用于研究沉積薄膜的成分和形貌。薄膜殘余應(yīng)力是采用激光測量長條薄硅片薄膜沉積前后曲率半徑的變化,然后根據(jù)Stoney公式計算求得。膜/基結(jié)合力采用微劃痕儀來測量,最大載荷為20N,加載速率為0.8N/min。涂層的摩擦學(xué)性能在球-盤式摩擦磨損儀上進行(室溫條件,相對濕度為40~50%)。對偶球為SUJ-2不銹鋼球(HRC60),半徑為7mm。摩擦載荷為1N,摩擦速率為0.1ms-1,摩擦滑動距離為100m。電化學(xué)特性在電化學(xué)工作站進行。腐蝕溶液為3.5wt.%的NaCl溶液,標(biāo)準(zhǔn)電極為AgCl,參比電極為鉑電極。實驗測試結(jié)束后,用光學(xué)顯微鏡對樣品腐蝕表面進行了觀察。
臺階表面輪廓儀測量結(jié)果表明,制備的DLC膜和Cr-DLC膜厚度約為610nm。EDS結(jié)果則顯示制備的Cr-DLC膜中Cr摻雜含量為2.34at.%。利用Raman對所制備的薄膜碳結(jié)構(gòu)進行了分析并對其進行Gaussian分解。結(jié)果發(fā)現(xiàn),相比純DLC膜, Cr-DLC膜的G-peak位置基本不變,仍保持為1560 cm-1,ID/IG值變化也很小(<0.1),這一結(jié)果表明兩種薄膜的碳結(jié)構(gòu)基本類似,少量Cr摻雜下薄膜仍以DLC膜的鍵態(tài)結(jié)構(gòu)特性為主。
圖1所示為薄膜的殘余應(yīng)力和在AZ31合金基體上的臨界載荷。從圖中可以看出,DLC膜中有較高的殘余應(yīng)力,約1GPa左右。而Cr-DLC則表現(xiàn)出很小的殘余應(yīng)力,僅為0.2GPa左右。相應(yīng)的,在AZ31表面上,DLC膜表現(xiàn)出較小的附著力,臨界載荷僅為0.7 N;而Cr-DLC膜在AZ31上具有更好的附著力,其臨界載荷達(dá)7.7 N??梢奀r摻雜可顯著提高DLC在AZ31表面附著力。這主要有兩方面原因:一是金屬Cr摻雜有效降低了DLC膜的殘余應(yīng)力,提高了膜/基結(jié)合力;其次,由于碳與鎂之間的物理化學(xué)性質(zhì)差異性,導(dǎo)致DLC膜與鎂合金的界面結(jié)合較弱。而金屬Cr原子的摻入,能改善薄膜與鎂合金之間的界面結(jié)合,提高薄膜附著力。圖3是DLC膜和Cr-DLC膜沉積在AZ31鎂合金上的表面形貌。通常,DLC薄膜作為非晶態(tài)薄膜沉積在Si基體上時表面光滑,但圖3表明,DLC膜沉積在軟質(zhì)AZ31合金上時,表面呈現(xiàn)出很多“褶皺”;而Cr-DLC膜表面則呈現(xiàn)出均勻的“粒狀”顆粒,沒有明顯裂紋。不難看出,高殘余壓應(yīng)力是導(dǎo)致DLC薄膜表面出現(xiàn)皺褶的主要原因,而Cr-DLC薄膜因應(yīng)力減小,表面相對光滑、致密。
圖1 (a)DLC膜和(b)Cr-DLC膜在鎂合金表面上的形貌
圖2 摩擦后的磨痕形貌和成分分析:(a)DLC/AZ31 和(b)Cr-DLC/AZ31
利用球-盤摩擦磨損儀對DLC/AZ31和Cr-DLC/AZ31樣品摩擦磨損性能進行測試。發(fā)現(xiàn)DLC/AZ31呈現(xiàn)出振蕩的摩擦動力學(xué)曲線,平均摩擦系數(shù)約為0.4。Cr-DLC/AZ31摩擦動力學(xué)曲線則平滑、穩(wěn)定的多,平均摩擦系數(shù)約為0.3。進一步對摩擦后的磨痕分析,如圖2所示,DLC/AZ31樣品呈現(xiàn)出很寬的磨痕。且插入圖顯示DLC膜已經(jīng)從AZ31表面脫落失效。對磨痕的EDS分析發(fā)現(xiàn),磨屑中基本沒有C元素的存在, DLC膜已經(jīng)完全剝離了AZ31表面。對Cr-DLC膜而言,經(jīng)100m摩擦后,薄膜依然很好的附著在AZ31表面,沒有發(fā)現(xiàn)剝落現(xiàn)象,如圖2(b)所示。磨痕EDS分析表明有C和Cr元素,說明薄膜依然存在。從前面的結(jié)果得到,DLC膜作為高硬度的脆性碳材料,在軟基體的AZ31表面附著力很小,且在膜內(nèi)積聚有高殘余應(yīng)力,導(dǎo)致在摩擦力及對偶球的接觸壓力雙作用下,很容易破碎、脫落,從而對AZ31起不到保護的作用。但是,對于Cr-DLC薄膜而言,微量Cr摻雜不僅大幅降低DLC薄膜殘余應(yīng)力,顯著提高了薄膜在AZ31上的附著性,而且因微量摻雜對DLC碳膜結(jié)構(gòu)的sp2、sp3影響甚微,薄膜仍保持了DLC膜原有的優(yōu)異摩擦學(xué)特性,因此可有效的提高AZ31的抗磨損性能。
圖3為DLC/AZ31和Cr-DLC/AZ31樣品在3.5 wt.% 的NaCl溶液中的極化曲線。利用Tafel擬合分析后,腐蝕電位和腐蝕電流密度如圖3中的插入表所示。通常,腐蝕電流密度主要表征腐蝕快慢,腐蝕電流密度越小,腐蝕速率越慢,表示材料抗腐蝕性能越高。從圖3我們發(fā)現(xiàn),與未鍍膜的AZ31腐蝕性能相比,在AZ31上沉積DLC膜和Cr-DLC保護膜后,AZ31的腐蝕電流密度并未有明顯降低。這表明DLC膜和Cr-DLC雖可大幅提高AZ31鎂合金的抗磨損性,但對AZ31合金的抗腐蝕性能改善甚小。
圖4 DLC/AZ31和Cr-DLC/AZ31樣品的極化曲線
利用光學(xué)顯微鏡對腐蝕后的樣品表面形貌進行了觀察。發(fā)現(xiàn)對于DLC/AZ31體系而言,DLC膜經(jīng)過腐蝕實驗后已完全破碎、失效;對于Cr-DLC/AZ31體系,腐蝕后的表面上有很多較大尺寸的圓形腐蝕坑。采用離子束復(fù)合磁控濺射的PVD方法來制備DLC和Cr-DLC薄膜,即使在相對優(yōu)化的條件下制備了高質(zhì)量的薄膜,但也不可避免的在薄膜中存在針孔缺陷[14]。在腐蝕實驗中,這些針孔缺陷首先導(dǎo)致了小孔腐蝕,并隨腐蝕時間延長進一步形成大的腐蝕坑,所以也是限制DLC薄膜和Cr-DLC不能提高AZ31抗腐蝕性能的主要原因。
利用離子束混合磁控濺射PVD技術(shù)在AZ31鎂合金表面制備了DLC膜和Cr-DLC膜,并研究了所沉積的薄膜對AZ31抗摩擦磨損性能和抗腐蝕性能的影響。結(jié)果表明:相比DLC膜,Cr-DLC膜具有較低的殘余應(yīng)力和較好的界面匹配性,在AZ31鎂合金表面有較好附著性,能顯著提高其抗摩擦磨損性能。但由于缺陷的存在,DLC和Cr-DLC并不能提高AZ31的抗腐蝕性能。
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