遲慶國　張昌?！〈扪蟆?/p>

摘要：為了獲得優(yōu)異性能的熱釋電薄膜材料，詳細論述了熱釋電薄膜探測優(yōu)值的提高途徑和影響因素.研究重點在提高薄膜熱釋電系數(shù)（新材料體系的開發(fā)及原有材料的摻雜改性）以及降低薄膜的介電常數(shù)（多孔/多層薄膜結(jié)構(gòu)設計）.但單純熱釋電系數(shù)的提高對于提高探測優(yōu)值作用有限；而設計多孔/多層結(jié)構(gòu)會造成薄膜質(zhì)量劣化，增大漏電流密度.因此作者結(jié)合多孔薄膜和多層薄膜的各自優(yōu)點，利用界面優(yōu)化調(diào)諧的作用，在低結(jié)晶溫度下，設計和制備出雙層致密薄膜包夾多孔薄膜的復合結(jié)構(gòu)薄膜.由此給出一種提高熱釋電薄膜探測優(yōu)值的有效途徑，同時復合結(jié)構(gòu)薄膜體系的低溫結(jié)晶對熱釋電薄膜在硅基電路上實現(xiàn)單片集成化具有重要價值。

關鍵詞：熱釋電薄膜；探測優(yōu)值；復合結(jié)構(gòu)；界面優(yōu)化；低溫晶化

DoI：10.15938/j.jhust.2015.01.001

中圖分類號：TN216 文獻標志碼：A 文章編號：1007-2683（2015）01-0001-05