張晶晶(海南大學(xué)應(yīng)用科技學(xué)院(儋州校區(qū)),海南 儋州 571737)
Cu電火花加工用電極溫度場仿真
張晶晶
(海南大學(xué)應(yīng)用科技學(xué)院(儋州校區(qū)),海南 儋州 571737)
摘 要:本文建立電火花加工溫度場物理模型和數(shù)學(xué)模型,并且利用Msc.Marc有限元軟件對Cu電火花加工用電極(EDM)溫度場仿真。仿真結(jié)果表明:在加工電流16A、電壓25V、脈寬0.4μs條件下,Cu電極中心點最高溫度為10140℃;在加工電流8A、電壓25V、脈寬0.4μs條件下, Cu電極去除深度與半徑之比最小值為0.6171。
關(guān)鍵詞:Cu電極;EDM;溫度場;仿真
電火花加工后的工件表面是由無數(shù)個電蝕小凹坑組成的。電蝕小凹坑的大小、深度及分布影響了加工工件的表面粗糙度以及表面應(yīng)力狀態(tài)。電蝕小凹坑的形成主要受到放電點周圍的溫度場的影響,因此分析放電加工過程中電極表面的溫度場對了解電火花加工機理、加工工件表面的粗糙度、預(yù)測材料去除率都有重要意義。
本文考慮因素包括材料相變潛熱、電極表面對流換熱、放電加工熱源時變半徑,并且建立電火花加工的熱傳導(dǎo)模型。通過有限元MSC.Marc對Cu工具電極電火花加工溫度模型進行仿真求解,分析仿真結(jié)果,得出電蝕小凹坑半徑和深度隨電流變化規(guī)律,對EDM熱損耗機理研究及實際電火花加工提供一定理論依據(jù)。
1.1 放電能量分配
電火花加工時的總能量方程為:
式中,U(t)—為放電通道壓降(V); I(t)—為峰值電流(A);Ton—為脈寬(μs)
許多學(xué)者對陰陽極的熱流密度分配系數(shù)進行研究[1,2]。本文綜合許多學(xué)者對熱流分配系數(shù)的研究成果,選用陰極熱流分配系數(shù)為30%。
1.2 熱源模型
表面熱源的熱流密度分布是不均勻的,放電通道中心熱密度最高,而邊緣熱密度最低,形成正態(tài)分布。其公式如下:
式中,R(t)—t時刻能量密度為0.01qm的半徑(m); U—電極間間隙電壓(V)I—峰值電流(A);η—能量分配系數(shù);r—任意一點到中心點的半徑(m)
1.3 放電通道半徑的分析
對熱傳導(dǎo)模型仿真,需要給出施加在材料表面熱源半徑的大小。高速攝像機研究表明,放電通道的形狀基本上為圓柱狀,且放電通道的半徑隨時間變化而變化。放電通道半徑的公式[3]:式中,I——峰值電流(A);t—脈寬(s)
2.1 數(shù)學(xué)模型的建立
電火花加工是一個復(fù)雜的動態(tài)過程,其溫度場是瞬時變化的,邊界條件也是不斷變化的,在固相中的熱傳導(dǎo)符合傅里葉定律,在液相區(qū)的對流換熱滿足牛頓冷卻公式。根據(jù)傅里葉定律和能量守恒,可以得圓柱坐標系導(dǎo)熱微分方程如下:
式中, T—為溫度(K);t—為時間(s);c—為材料比熱容J/(Kg. K);ρ—為材料密度(Kg/m3);r,Z—為點在圓柱坐標中的位置(m);λ—為熱傳導(dǎo)系數(shù)(w/m.k)
由于電火花放電加工中內(nèi)熱源QV(r,z,t)相對較小,可以忽略不計。熱擴散系數(shù),單位為m2/s,因此,導(dǎo)熱微分方程可以簡化為:
本文在傳熱模型中采用了正態(tài)分布的面熱源和等離子通道半徑隨時間的變化,同時考慮相變潛熱和對流換熱的影響。
2.2 模型求解的定解條件
2.2.1 初始條件
電火花開始加工時,正負電極的溫度一般和環(huán)境的溫度一致,本文取初始溫度為25℃,即
2.2.2 邊界條件
施加在電極表面上的熱流密度強度是隨半徑和時間的變化而改變的,是非穩(wěn)態(tài)過程,在等離子通道半徑范圍內(nèi)的熱流密度符合正態(tài)分布;電極表面和工作液體之間存在對流換熱,其公式可表達如下:
式中,h—對流換熱系數(shù);TL—工作液體溫度(K);TS—電極表面溫度(K)
3.1 幾何建模與網(wǎng)格劃分
因為溫度場和熱源分布為軸對稱,故本文只建立四分之一的網(wǎng)格模型,網(wǎng)格模型的長寬高為2mm×2mm×0.5mm。網(wǎng)格自動劃分,細分30格,偏置為0.5。
3.2 邊界條件和熱流密度加載
在單脈沖放電加工溫度場模擬中,本文取25℃作為初始條件。
電火花加工過程中工件電極表面與工作液體存在對流換熱。當(dāng)工作介質(zhì)是空氣時對流換熱系數(shù)范圍一般取6~22;當(dāng)工作介質(zhì)是煤油時對流換熱系數(shù)范圍一般取500~1000 w/(m2.k)。本文取對流換熱系數(shù)為800 w/(m2.k)。
表面熱源熱流密度隨著時間的變化而變化,是動態(tài)過程,需要用子程序flux進行加載。
3.3 Cu材料熱物性
Cu材料比熱容C和導(dǎo)熱系數(shù)λ隨溫度T變化,如表1。
3.4 仿真結(jié)果與討論
從圖1可以看出,Cu電極中心點溫度隨放電時間增加而迅速增加到最高點,然后下降。這種現(xiàn)象產(chǎn)生原因可以由熱流密度變化特征來解釋:根據(jù)公式(3)可知,放電通道半徑隨著放電時間增加而增大;根據(jù)公式(2)看出,熱流密度隨著放電通道半徑增大先增大在減小,即符合高斯分布。隨著放電時間增加,Cu電極從放電通道獲得熱量先增加后減少。因此,Cu電極放電中心點溫度先增大后減少。在加工電流16A、電壓25V、脈寬4μS條件下,Cu電極中心點最高溫度為10140℃。
表1 Cu導(dǎo)熱率和比熱容[4]
為了研究方便,假設(shè)Cu電極溫度達到1084.3℃以上時,TiN/ Cu電極材料就完全去除。從圖2、圖3可以看出,在不同電流單脈沖放電條件下,Cu電極去除凹坑半徑都比深度數(shù)值大。主要原因是Cu導(dǎo)熱系數(shù)比較大。當(dāng)單脈沖放電時,Cu電極內(nèi)部散熱速率比電極表面與冷卻液較熱速率快。因此,Cu電極去除凹坑半徑大于去除凹坑深度。
為了獲得最快加工速率,需要電極具有最高溫度。因此,本文根據(jù)圖1,取脈寬4μs。一般來講,工具電極電蝕凹坑深徑比(深徑比=凹坑深度/凹坑半徑)越小,加工工件表面粗糙度越小。為了提高加工速率和獲得較小表面粗糙度,本文在固定脈寬為4μs、固定電壓為25V條件下,改變加工電流,仿真結(jié)果如圖3。從圖3可以看出,加工電流為8A時,深徑比最小,其值為0.6171。因此,可以認為在這幾組實驗中,最佳加工電參數(shù)組合為:脈寬4μS、電流為8、電壓25V。
本文對Cu電極EDM溫度場仿真,得出如下結(jié)論:(1)Cu電極中心點溫度隨放電時間增加而迅速增加到最高點,然后下降;(2)在加工電流16A、電壓25V、脈寬4μS條件下,Cu電極中心點最高溫度為10140℃;(3)在相同電參數(shù)條件下,Cu電極去除凹坑半徑大于去除凹坑深度;(4)最佳加工電參數(shù)組合為:脈寬4μS、電流為8、電壓25V。在此電參數(shù)條件下,得出最小深徑比為0.6171。
參考文獻:
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[3]Ikai T, Hashgushi K, Heat input for crater formation in EDM [c]. procceedings of International Symposium for Electro Machining ISEMXI, EPFL, Laus conduction model for the calculation of the volume of molten metal in electric discharges machining anne, Switzerland. 1989,66(09):4104-4111. [4]于麗麗, 劉永紅, 徐玉龍, 紀仁杰, 吳成杰. 絕緣工程陶瓷電火花加工溫度場模擬[J]. 自然科學(xué)進展,2008,02(18).
科研項目:海南大學(xué)應(yīng)用科技學(xué)院(儋州校區(qū))基金(項目編號:Hyk-1520)
作者簡介:張晶晶(1984-),男,海南臨高人,碩士,助教,研究方向:數(shù)字化設(shè)計與制造。