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偶聯(lián)劑A151對羰基鐵粉/甲基乙烯基硅橡膠吸波復(fù)合材料性能的影響

2015-07-31 05:35李淑環(huán)徐麗紅牟守勇
橡膠科技 2015年4期
關(guān)鍵詞:吸波物理性能偶聯(lián)劑

李淑環(huán),李 寧,徐麗紅,牟守勇,鄒 華

(1.北京橡膠工業(yè)研究設(shè)計院,北京 100143;2.北京化工大學(xué)北京市新型高分子材料制備與加工重點實驗室,北京 100029)

目前高分子基吸波材料的研究主要集中在吸波涂料和吸波樹脂2個方面,對以橡膠等彈性體為基體的吸波材料研究較少。而橡膠基吸波材料除了具有優(yōu)良的吸波性能外,同時具有柔軟、質(zhì)量小、彈性好、可以任意彎曲和剪裁、使用方便等優(yōu)點,近年來受到研究人員的關(guān)注[1-3]。硅橡膠分子鏈柔順,內(nèi)聚能密度小,硅氧鍵熱穩(wěn)定性好,耐高低溫(-100~250 ℃)性能和彈性好,粘度和硬度小,填充量大,是一種廣泛用于航天航空領(lǐng)域的橡膠材料。

磁性金屬粉末對電磁波具有吸收、透過和極化等多種功能,其吸收電磁波的基本要求是:金屬粉末粒徑應(yīng)小于工作頻帶高端頻率時的屈服深度,而復(fù)合材料厚度應(yīng)大于工作頻帶低端頻率時的屈服深度,這樣既能吸收電磁波,又能使電磁波不穿透復(fù)合材料。目前主要使用的磁性金屬粉為微米級鐵、鈷、鎳及其合金粉末[4]。磁性金屬(合金)粉末溫度穩(wěn)定性好、介電常數(shù)大,在吸波材料中應(yīng)用廣泛。其中羰基鐵粉(CI)對低頻(2~8 GHz)電磁波具有較好的吸收效果[5],是一種典型的吸波填料。

本工作制備了以甲基乙烯基硅橡膠(MVQ)為基體,以CI為吸波填料的高性能吸波復(fù)合材料。但是CI作為一種無機(jī)填料,與有機(jī)基體MVQ的相容性較差,所以吸波復(fù)合材料的加工性能和物理性能隨填料用量增大而降低[5]。本工作用MVQ常用的偶聯(lián)劑A151(乙烯基三乙氧基硅烷)[6]對CI進(jìn)行表面處理,以期改善吸波復(fù)合材料的加工性能、物理性能和吸波性能。

1 實驗

1.1 主要原材料

MVQ,中昊晨光化工研究院產(chǎn)品;CI,自制;硫化劑DBPMH(2,5-二甲基-2,5-二叔丁基過氧化己烷),江蘇強(qiáng)盛化工有限公司產(chǎn)品;偶聯(lián)劑A151,化學(xué)純,北京化學(xué)試劑公司產(chǎn)品。

1.2 試驗配方

試驗配方見表1。1#~5#配方中偶聯(lián)劑A151/CI用量比分別為0,2%,4%,6%,8%。

表1 試驗配方 份

1.3 主要設(shè)備與儀器

Φ160 mm×320 mm雙輥開煉機(jī),廣東湛江機(jī)械廠產(chǎn)品;平板硫化機(jī),上海第一橡膠機(jī)械廠產(chǎn)品;XL-30型場發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡(ESEM),美國FEI公司產(chǎn)品;D/Max 2500 VB2+/PC型X射線衍射儀(XRD),日本理學(xué)公司產(chǎn)品;MR-C3型無轉(zhuǎn)子硫化儀,北京環(huán)峰化工機(jī)械試驗廠產(chǎn)品;CMT4104型電子拉力機(jī),深圳新三思計量技術(shù)公司產(chǎn)品;基于N5230A矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的反射率測量系統(tǒng)和基于PNA E 868B矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的電磁參數(shù)測量系統(tǒng),美國Agileat公司產(chǎn)品。

1.4 試樣制備

CI是五羰基鐵用羰基法熱分解還原成的鐵粉,含有極少量的碳(質(zhì)量分?jǐn)?shù)1.090%)、氧(質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.074%)、硫(質(zhì)量分?jǐn)?shù)小于0.01%)等。

膠料混煉在開煉機(jī)上進(jìn)行,加入MVQ、經(jīng)偶聯(lián)劑A151處理的CI和硫化劑混煉均勻,薄通數(shù)次后出片?;鞜捘z在平板硫化機(jī)上硫化(165 ℃/10 MPa×15 min),除硫化強(qiáng)力試片外,還硫化外徑7 mm、內(nèi)徑3 mm、厚2 mm的測試電磁參數(shù)的環(huán)狀試樣;硫化長180 mm、寬180 mm、厚1.3 mm的測試反射率的條狀試樣。

1.5 性能測試

ESEM測試:用ESEM觀察CI的粒徑和形貌,以及復(fù)合材料拉伸斷裂面的微觀相態(tài)(試樣經(jīng)噴金處理后觀察)。

XRD測試:用XRD觀察CI的晶格結(jié)構(gòu),CuKα X射線源(波長0.154 nm),掃描角度(2θ)為3~90°。

反射率測試:通過基于矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的反射率測量系統(tǒng),采用弓形法測量反射率,以金屬鋁板為襯板,電磁波垂直入射,掃描頻率2~18 GHz。

電磁參數(shù)測試:通過基于矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的電磁參數(shù)測量系統(tǒng),采用同軸法測量電磁參數(shù),掃描頻率2~18 GHz。

2 結(jié)果與討論

2.1 CI的微觀結(jié)構(gòu)和相分析

CI的ESEM照片見圖1。從圖1可以看出,CI為球形顆粒,粒徑分布均一,主要粒徑范圍為2~3 μm,最大粒徑不超過5 μm。

圖1 CI的ESEM照片

CI的XRD譜見圖2。與數(shù)據(jù)庫中的標(biāo)準(zhǔn)譜對比得出,CI的晶格結(jié)構(gòu)為單一立方晶系結(jié)構(gòu)。

圖2 CI的XRD譜

2.2 不同用量偶聯(lián)劑的CI/MVQ吸波復(fù)合材料硫化特性

不同用量偶聯(lián)劑的CI/MVQ吸波復(fù)合材料硫化特性見表2。

表2 不同用量偶聯(lián)劑的CI/MVQ吸波復(fù)合材料硫化特性(165 ℃)

從表2可以看出:隨著偶聯(lián)劑A151用量增大,復(fù)合材料的ML減小,說明偶聯(lián)劑A151改善了CI與MVQ的相容性,復(fù)合材料的加工性能更好;與1#配方膠料相比,添加偶聯(lián)劑A151的2#~5#配方膠料的MH,MH-ML和t90-t10總體減小,這可能是偶聯(lián)劑A151含乙烯基,其與MVQ的結(jié)合及本身的自聚都會消耗硫化劑,從而消耗硫化劑的有效用量,影響復(fù)合材料的交聯(lián)和硫化速度。

2.3 不同用量偶聯(lián)劑的CI/MVQ吸波復(fù)合材料物理性能

不同用量偶聯(lián)劑的CI/MVQ吸波復(fù)合材料物理性能見表3。

從表3可以看出,與1#配方復(fù)合材料相比,添加偶聯(lián)劑A151的2#~5#配方復(fù)合材料硬度和拉伸強(qiáng)度增大。這是由于偶聯(lián)劑A151對CI表面處理后,提高了CI與MVQ的相容性和界面結(jié)合力。隨著偶聯(lián)劑A151用量增大,復(fù)合材料硬度先增大后減小,壓縮永久變形先減小后增大。原因是由于偶聯(lián)劑A151用量較小時,改善了CI與MVQ的界面結(jié)合,提高了膠料的交聯(lián)程度;當(dāng)偶聯(lián)劑A151用量增大時,其與MVQ的反應(yīng)以及本身的自聚都會消耗一部分硫化劑,從而影響復(fù)合材料的交聯(lián)程度。添加偶聯(lián)劑A151的4種膠料中,2#配方復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度和拉斷伸長率較大,壓縮永久變形最小,綜合物理性能較好。

表3 不同用量偶聯(lián)劑的CI/MVQ吸波復(fù)合材料物理性能

添加偶聯(lián)劑A151前后的CI/MVQ吸波復(fù)合材料斷面的ESEM照片見圖3。

從圖3可以看出:未添加偶聯(lián)劑A151的1#配方復(fù)合材料斷面有大量粉體拔出,說明CI與MVQ界面結(jié)合差,復(fù)合材料受力后,斷裂發(fā)生在結(jié)合薄弱的兩相結(jié)合界面處;經(jīng)偶聯(lián)劑A151處理后的2#配方復(fù)合材料的斷面整齊,斷裂發(fā)生在橡膠基體處,無粉體拔出,說明偶聯(lián)劑A151改善了CI與MVQ的界面結(jié)合,從而提高了復(fù)合材料的物理性能。

圖3 添加偶聯(lián)劑A151前后的CI/MVQ吸波復(fù)合材料斷面的ESEM照片

2.4 不同用量偶聯(lián)劑A151的CI/MVQ吸波復(fù)合材料電磁參數(shù)

不同用量偶聯(lián)劑A151的CI/MVQ吸波復(fù)合材料復(fù)介電常數(shù)(εr=ε′-jε″)、復(fù)磁導(dǎo)率(μr=μ′-jμ″)、介電損耗(tanδe=ε″/ε′)和磁損耗(tanδm=μ″/μ′)見圖4。

從圖4可以看出,隨著偶聯(lián)劑A151用量增大,復(fù)合材料的εr和tanδe先增大后減小,而μr和tanδm變化不大。其中,tanδe在測試頻率內(nèi)均小于0.18,而tanδm大得多,在0.5~0.9之間,說明復(fù)合材料的內(nèi)部損耗主要為磁損耗。

圖4 不同用量偶聯(lián)劑A151的CI/MVQ吸波復(fù)合材料電磁參數(shù)

2.5 不同用量偶聯(lián)劑A151的CI/MVQ吸波復(fù)合材料反射率

不同用量偶聯(lián)劑A151的CI/MVQ吸波復(fù)合材料的反射率見圖5。

圖5 不同用量偶聯(lián)劑A151的CI/MVQ吸波復(fù)合材料反射率

影響復(fù)合材料反射率的主要因素是tanδm,不

同用量偶聯(lián)劑A151的復(fù)合材料的μr和tanδm曲線在測試頻率內(nèi)幾乎重合,所以當(dāng)復(fù)合材料厚度固定時,其反射率曲線也應(yīng)基本重合,這從圖5得到了印證。從圖5可以看出,不同用量偶聯(lián)劑A151的復(fù)合材料的反射率曲線走勢相同,說明偶聯(lián)劑A151對CI/MVQ復(fù)合材料吸波性能的影響很小。

3 結(jié)論

(1)CI為球形顆粒,粒徑分布比較均一,主要粒徑范圍為2~3 μm,晶格結(jié)構(gòu)為單一立方晶系結(jié)構(gòu)。

(2)偶聯(lián)劑A151改善了CI與MVQ的相容性,提高了CI/MVQ吸波復(fù)合材料的加工性能,但對硫化速度有一定影響。

(3)添加偶聯(lián)劑A151的CI/MVQ吸波復(fù)合材料硬度和拉伸強(qiáng)度增大,偶聯(lián)劑A151/CI用量比為2%的復(fù)合材料拉伸強(qiáng)度和拉斷伸長率較大,壓縮永久變形最小,綜合物理性能較好。

(4)CI/MVQ吸波復(fù)合材料的內(nèi)部損耗主要為磁損耗。

(5)不同用量偶聯(lián)劑A151的CI/MVQ吸波復(fù)合材料的反射率曲線走勢基本一致,偶聯(lián)劑A151對復(fù)合材料吸波性能的影響很小。

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