龐貝+楊進(jìn)平

何金江：1979年7月出生，教授級(jí)高級(jí)工程師、碩士生導(dǎo)師。何金江博士從事電子信息用金屬電子材料研究與產(chǎn)業(yè)化技術(shù)工作近十年，作為主要帶頭人，在高純金屬制備、高性能濺射靶材開(kāi)發(fā)等方面具備扎實(shí)的理論基礎(chǔ)和突出的技術(shù)創(chuàng)新能力，主持和參與國(guó)家科技重大專項(xiàng)、863、國(guó)家科技支撐計(jì)劃、國(guó)防軍工和北京市重大科技項(xiàng)目等研究課題20多項(xiàng)，率領(lǐng)公司科研團(tuán)隊(duì)先后突破了多項(xiàng)高超/超高純金屬靶材研制與產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)。

他在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊和會(huì)議上發(fā)表論文30余篇，申請(qǐng)專利61項(xiàng)（含1項(xiàng)國(guó)際PCT專利），已授權(quán)專利28項(xiàng)（其中發(fā)明專利15項(xiàng)）；主導(dǎo)和參與制定國(guó)家/行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)12項(xiàng)，已頒布標(biāo)準(zhǔn)6項(xiàng)，3項(xiàng)獲技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)秀獎(jiǎng)；獲得省部級(jí)一、二、三等獎(jiǎng)各1項(xiàng)；2015年入選北京市科技新星計(jì)劃。個(gè)人先后榮獲2013年全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)“標(biāo)準(zhǔn)化先進(jìn)工作者”、第二十二屆北京市“優(yōu)秀青年工程師”、第七批北京市“優(yōu)秀青年人才”等稱號(hào)，2015年榮獲第十八屆中國(guó)科協(xié)杰出青年成果轉(zhuǎn)化獎(jiǎng)。

2013年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售收入2508億元，進(jìn)口額高達(dá)2313億美元，首次超過(guò)石油成為我國(guó)第一大進(jìn)口商品。2014年，集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入為2672億元，進(jìn)口額仍達(dá)到2176億美元。在產(chǎn)業(yè)可觀增長(zhǎng)的背后，卻是集成電路產(chǎn)品的巨大逆差和對(duì)進(jìn)口產(chǎn)品的嚴(yán)重依賴。

問(wèn)題如此明顯，又是如此嚴(yán)竣，呼喚著業(yè)內(nèi)人士的作為，考驗(yàn)著他們的智慧與勇氣。

而這些挑戰(zhàn)當(dāng)中，對(duì)于技術(shù)的挑戰(zhàn)又集中在哪里？材料，在集成電路的國(guó)際博弈中占有什么分量？要追趕的路程還有多遠(yuǎn)？北京有色金屬研究總院有研億金新材料有限公司副總工程師、北京市高純金屬濺射靶材工程技術(shù)研究中心副主任何金江為我們解疑釋惑。

何金江，2015年因在高性能濺射靶材開(kāi)發(fā)等方面突出的創(chuàng)新能力，榮獲第十八屆中國(guó)科協(xié)杰出青年成果轉(zhuǎn)化獎(jiǎng)。

材料，分量幾何？

集成電路產(chǎn)業(yè)作為電子信息產(chǎn)業(yè)的核心，是關(guān)系國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展全局的基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性和戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，一直都受到國(guó)家高度重視。

目前，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模列位居世界前列，已經(jīng)形成了芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試及支撐配套業(yè)共同發(fā)展的較為完善的產(chǎn)業(yè)鏈格局。自2008年以來(lái)相繼啟動(dòng)的“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”等國(guó)家科技重大專項(xiàng)的實(shí)施，奠定了集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)基礎(chǔ)，同時(shí)也使我國(guó)在關(guān)鍵裝備、材料產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。2014年是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有里程碑意義的一年，國(guó)務(wù)院發(fā)布了《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，并設(shè)立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，扶植力度空前。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，集成電路產(chǎn)業(yè)必將成為支撐信息產(chǎn)業(yè)的核心力量和推動(dòng)兩化深度融合的重要基礎(chǔ)。

然而，我們必須認(rèn)清的現(xiàn)實(shí)是，到目前為止，與國(guó)際龍頭企業(yè)相比，我國(guó)集成電路制造業(yè)在先進(jìn)工藝方面的距離至少差1～2代，設(shè)備制造被美國(guó)、日本、荷蘭等幾家企業(yè)壟斷，材料供應(yīng)被美國(guó)、日本等掌握著控制權(quán)，這些集成電路巨頭紛紛加速資源整合、重組步伐，不斷擴(kuò)大產(chǎn)能，強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)控制力和上下游整合能力，急欲拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。

起步晚，資源和創(chuàng)新要素積累不足，國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。

何金江指出，目前普遍認(rèn)為，集成電路技術(shù)的發(fā)展無(wú)論是延續(xù)摩爾定律，還是超越摩爾定律，芯片集成度和性能的不斷提升將更多地依賴多種技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用，特別是新型器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和新材料技術(shù)的突破。

工藝、裝備和材料是集成電路制造的三大組成部分，我國(guó)的集成電路技術(shù)主要是引進(jìn)國(guó)外相對(duì)較落后的工藝，相關(guān)關(guān)鍵裝備和材料也最初都是全套引入?？陀^地說(shuō)，國(guó)內(nèi)公司開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品相對(duì)低端，在基礎(chǔ)器件的原理和工藝開(kāi)發(fā)等方面缺乏積累，較少原創(chuàng)性東西，目前集成電路制造中關(guān)鍵技術(shù)比如銅互連、高k金屬柵、FinFET等技術(shù)都是美國(guó)創(chuàng)新出來(lái)的，而這些技術(shù)都和新材料的應(yīng)用密不可分。

目前我國(guó)在集成電路材料的制約主要在體現(xiàn)在：第一，高端芯片/器件開(kāi)發(fā)的滯后：國(guó)外領(lǐng)先的集成電路企業(yè)有很強(qiáng)的新材料開(kāi)發(fā)、工藝原理開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，能夠整合相關(guān)資源，共同推進(jìn)，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。而國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)缺乏對(duì)于新材料的探索，無(wú)法深入進(jìn)行基礎(chǔ)性、革命性創(chuàng)新，目前主要做跟進(jìn)研發(fā)；再者國(guó)內(nèi)大部分科研院所和高校進(jìn)行的研發(fā)通常難以與實(shí)際工藝接軌，離日益復(fù)雜的工藝條件相差較遠(yuǎn)，整體力量相對(duì)薄弱，且難以持續(xù)進(jìn)行探索研究。因此，產(chǎn)業(yè)發(fā)展相對(duì)低端。第二，生產(chǎn)制造成本的增加：通過(guò)估算，材料成本在集成電路芯片成本中占30%～50%。進(jìn)口材料價(jià)格比較貴，對(duì)企業(yè)的成本壓力很大，同時(shí)由于采購(gòu)周期長(zhǎng)，增加原材料庫(kù)存成本，還可能造成產(chǎn)品的生產(chǎn)制造時(shí)間延后，供貨能力、規(guī)?；a(chǎn)能力不足。

創(chuàng)新，志在超越！

材料創(chuàng)新在集成電路博弈中占有基礎(chǔ)性地位，材料創(chuàng)新的關(guān)鍵點(diǎn)又在哪里？答案之一便是高純金屬濺射靶材。

高純金屬濺射靶材作為電子材料的重要組成部分，已滲透到電子信息科技的各個(gè)領(lǐng)域，是芯片制造和封裝中物理氣相沉積（PVD）工藝所需關(guān)鍵支撐材料，應(yīng)用于各種功能薄膜的制備。

提到高純金屬濺射靶材，則不得不提在這一領(lǐng)域擁有國(guó)內(nèi)主導(dǎo)權(quán)的有研億金新材料公司（以下簡(jiǎn)稱有研億金）。有研億金由北京有色金屬研究總院稀貴金屬材料研究所轉(zhuǎn)制成立，自2005年開(kāi)始進(jìn)行集成電路高純金屬靶材的研究，是國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、材料種類最齊全、綜合實(shí)力最強(qiáng)的高端電子信息用高純金屬材料研發(fā)制造基地，也是全球第三家、中國(guó)唯一一家具備從超高純?cè)牧系綖R射靶材、蒸發(fā)膜材垂直一體化研發(fā)、生產(chǎn)能力的產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)。

有研億金在靶材領(lǐng)域擁有專業(yè)的研發(fā)技術(shù)人員50多名，其中博士9名，碩士23名，教授級(jí)高工8人。在高純金屬提純制備、微觀組織控制、異質(zhì)材料連接、精密成型加工以及分析檢測(cè)等技術(shù)領(lǐng)域申報(bào)專利100余件，授權(quán)51件；作為獨(dú)立或負(fù)責(zé)起草單位頒布標(biāo)準(zhǔn)21項(xiàng)，并新申請(qǐng)立項(xiàng)11項(xiàng)，幾乎涵蓋了我國(guó)電子薄膜領(lǐng)域所有的高純金屬材料國(guó)家或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，建立了高純材料性能評(píng)價(jià)方法和檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，其中5次榮獲優(yōu)秀技術(shù)獎(jiǎng)；通過(guò)自主創(chuàng)新研發(fā)的集成電路用高端靶材產(chǎn)品先后三次獲得“中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)”，獲國(guó)際新材料產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)金獎(jiǎng)1項(xiàng)，獲北京市自主創(chuàng)新產(chǎn)品及新產(chǎn)品、新技術(shù)認(rèn)定6項(xiàng)，并榮獲省部級(jí)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)3項(xiàng)，是我國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)。

有研億金產(chǎn)品涵蓋銅、鈦、鈷、鋁、鎳、金、銀、鉑、釕及合金等電子信息行業(yè)用全系列高純金屬材料，累計(jì)創(chuàng)造經(jīng)濟(jì)效益超過(guò)20億人民幣。其中蒸發(fā)材料全球市場(chǎng)占有率第一，4～6英寸靶材國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率第一，8英寸線以上規(guī)模日益擴(kuò)大，先進(jìn)封裝靶材市場(chǎng)國(guó)內(nèi)占有率第一。

2012年，有研億金被認(rèn)定為國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新示范企業(yè)；靶材部門榮獲“2013年度中央企業(yè)青年文明號(hào)”稱號(hào)；2014年“高純金屬濺射靶材工程技術(shù)研究中心”獲得北京市認(rèn)定；2014年公司同時(shí)榮獲國(guó)家火炬計(jì)劃重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)。

作為我國(guó)高端電子信息用金屬材料領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，有研億金先后承擔(dān)了北京市重大科技計(jì)劃項(xiàng)目、國(guó)家863重點(diǎn)項(xiàng)目、國(guó)家02科技重大專項(xiàng)、國(guó)家科技支撐計(jì)劃等重大項(xiàng)目，在材料物理化學(xué)冶金和加工制備領(lǐng)域具有非常堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)，是目前繼美日公司之后，第三家能夠?qū)崿F(xiàn)從超高純?cè)牧系礁咝阅馨胁拇怪币惑w化研制、生產(chǎn)的微電子光電子材料公司。

在有研億金，電子信息用有色金屬材料的高純化制備及規(guī)?；a(chǎn)成為可能；高性能濺射靶材的制備技術(shù)從無(wú)到有，成功開(kāi)發(fā)應(yīng)用。而這，離不開(kāi)何金江及他所在團(tuán)隊(duì)的擔(dān)當(dāng)和作為。

據(jù)何金江介紹，集成電路所用有色金屬材料包括鋁、銅、鈦、鉭、鎳及貴金屬等。這些金屬及其合金因在電學(xué)、磁學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)、化學(xué)等方面的特性，被廣泛應(yīng)用于高性能功能薄膜的制備?；瘜W(xué)純度是影響薄膜材料性能的關(guān)鍵，隨著單位面積集成器件數(shù)的急劇增長(zhǎng)，薄膜材料的純度因素影響越來(lái)越大，如納米互連工藝中銅及其合金純度要求最高，達(dá)到6N以上。而能否制備高純金屬原材料成為靶材生產(chǎn)制造的基礎(chǔ)。同時(shí)，高純金屬產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對(duì)于高純金屬規(guī)模化制備工藝的成熟度、經(jīng)濟(jì)性和可靠性等方面提出了非常高的要求。

美國(guó)和日本公司在高純材料的純化方面居于世界領(lǐng)先地位，能夠提純制備出各種高純金屬材料。我國(guó)在上世紀(jì)較早時(shí)期就能夠在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)部分金屬試劑級(jí)別的純化制備，但是極少能夠?qū)崿F(xiàn)批量生產(chǎn)。有研億金是世界第三家能夠掌握多種高純金屬提純并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的公司。

自2005年以來(lái)，有研億金何金江所在團(tuán)隊(duì)通過(guò)開(kāi)展?jié)穹叭埯}電解精煉、溶劑萃取、離子交換等除雜過(guò)程中雜質(zhì)元素遷移規(guī)律的研究，采取控制雜質(zhì)元素含量、提高工藝穩(wěn)定性及產(chǎn)品質(zhì)量的措施，實(shí)現(xiàn)高純金屬材料的國(guó)產(chǎn)化，保證材料的電子級(jí)純度。其中超高純銅純度>6N，鈦純度>4N5，鎳純度>4N5，鈷純度>5N，銀、金、鉑、釕等貴金屬純度達(dá)到5N的水平；同時(shí)，他們開(kāi)展了大尺寸高純金屬鑄錠成型技術(shù)研究，采用真空感應(yīng)熔煉、電子束熔煉等技術(shù)制備出直徑φ≥200mm的低缺陷高純金屬原材料，用于高純金屬靶材的制備。

為了提高薄膜材料的綜合性能，他們致力于開(kāi)發(fā)微觀組織均勻可控、高強(qiáng)度、高穩(wěn)定性和長(zhǎng)壽命的高效能高純?yōu)R射靶材，材料的強(qiáng)塑性變形技術(shù)、高強(qiáng)度焊接和靶材結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)等成為重要的研發(fā)方向。何金江與他的團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出集大尺寸高純錠坯成型+微觀組織精細(xì)調(diào)控+高可靠性連接+精密成型加工+高純材料分析檢測(cè)等在內(nèi)的全套自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能靶材制備技術(shù)。

目前，有研億金公司研制的集成電路靶材涵蓋4英寸線以上主流濺射機(jī)臺(tái)所用產(chǎn)品，掌握不同晶體結(jié)構(gòu)高純金屬的變形加工及再結(jié)晶行為特征，制定高純金屬靶材微觀組織控制方法，采用多步可控的熱機(jī)械處理工藝，實(shí)現(xiàn)高純金屬靶材晶粒細(xì)化、取向可控；同時(shí)全面掌握各種復(fù)合連接技術(shù)，并設(shè)計(jì)制備出高利用率的長(zhǎng)壽命鋁、銅、銀等靶材，提高靶材的性價(jià)比。目前已建有高純鋁、鈦、銅、鈷、鎳釩、鎢鈦和貴金屬等多條靶材生產(chǎn)線，產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)外同類水平，在國(guó)內(nèi)所有半導(dǎo)體企業(yè)均有應(yīng)用，多項(xiàng)產(chǎn)品完全替代進(jìn)口，特別是封裝靶材領(lǐng)域，占領(lǐng)國(guó)內(nèi)80%市場(chǎng)份額。

何金江介紹，有研億金還積極與國(guó)內(nèi)外先進(jìn)的設(shè)備制造商和集成電路制造企業(yè)合作，進(jìn)行靶材新品開(kāi)發(fā)應(yīng)用方面的聯(lián)合研發(fā)，從靶材設(shè)計(jì)、制備到薄膜性能測(cè)試評(píng)價(jià)，通過(guò)不斷優(yōu)化，研制出高性能的靶材，真正實(shí)現(xiàn)從濺射設(shè)備到配套靶材的全面國(guó)產(chǎn)化，同時(shí)為我國(guó)PVD領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步作出貢獻(xiàn)。

有研億金擁有一支具有開(kāi)拓精神的優(yōu)秀管理團(tuán)隊(duì)，在公司總經(jīng)理王興權(quán)的帶領(lǐng)下，目前公司的超高純銅、鎳、鈷及各種貴金屬材料均實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，鋁、鈦、銅、鈷等十余種材料的靶材也均實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。

在多年研究基礎(chǔ)上，有研億金根據(jù)靶材產(chǎn)品的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和使用要求制定的多項(xiàng)國(guó)家/行業(yè)高純金屬及靶材系列標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范了該類產(chǎn)品的生產(chǎn)、流通和質(zhì)量，提升了行業(yè)發(fā)展水平，為我國(guó)高端金屬材料的發(fā)展作出了貢獻(xiàn)。公司建立的北京市高純金屬濺射靶材技術(shù)工程技術(shù)研究中心服務(wù)于集成電路行業(yè)，有效提升高純金屬提純及先進(jìn)制備、加工與成型新技術(shù)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)和集成創(chuàng)新能力，加快靶材產(chǎn)業(yè)新技術(shù)開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化步伐，實(shí)現(xiàn)電子核心基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)配套材料的批量穩(wěn)定供應(yīng)，保障電子信息產(chǎn)業(yè)鏈的安全發(fā)展。

回首來(lái)路，可以見(jiàn)證他們快速追趕的步伐：

2010年，4～8英寸集成電路制造用超高純鋁合金及鈦靶材獲“北京市自主創(chuàng)新產(chǎn)品”；“集成電路及分離器件用超高純貴金屬靶材”榮獲第五屆中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)；

2011年，“集成電路用超高純銅原材料及200mm銅濺射靶材”榮獲第六屆中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)，有研億金成為我國(guó)最大的集成電路制造企業(yè)中芯國(guó)際的合格供應(yīng)商；

2012年，“半導(dǎo)體用蒸發(fā)料及靶材系列標(biāo)準(zhǔn)” 項(xiàng)目獲中國(guó)有色金屬工業(yè)科學(xué)技術(shù)三等獎(jiǎng)；

2013年，“集成電路高密度封裝用超高純鋁合金濺射靶材” 榮獲第八屆中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)；“微電子用高純貴金屬靶材關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)”項(xiàng)目獲中國(guó)有色金屬工業(yè)科學(xué)技術(shù)二等獎(jiǎng)；同年成為全球最大、最先進(jìn)的集成電路制造服務(wù)企業(yè)臺(tái)積電（TSMC）的合格供應(yīng)商；并與國(guó)內(nèi)先進(jìn)的微電子設(shè)備制造商北方微電子建立了戰(zhàn)略合作關(guān)系，聯(lián)合開(kāi)發(fā)以實(shí)現(xiàn)我國(guó)高端濺射設(shè)備和材料完全國(guó)產(chǎn)化；同時(shí)成為高端手機(jī)指紋識(shí)別技術(shù)用鋁合金靶材唯一全球材料供應(yīng)商。

2014年，集成電路先進(jìn)封裝用高純金屬及合金濺射靶材產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目獲2014年北京市高新技術(shù)成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目認(rèn)定；北京市高純金屬濺射靶材工程技術(shù)研發(fā)中心獲得北京市認(rèn)定；“超高純銅靶材”獲第三屆中國(guó)國(guó)際新材料產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)金獎(jiǎng)；“極大規(guī)模集成電路300mm 硅片工藝用濺射靶材研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化” 獲得2014年度中國(guó)有色金屬工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)；超高純銅靶材獲中關(guān)村國(guó)家自主創(chuàng)新示范區(qū)新產(chǎn)品新技術(shù)認(rèn)定。

2015年，超高純鋁、鈦、鎢鈦等靶材獲北京市新產(chǎn)品、新技術(shù)認(rèn)定……

高純有色金屬材料因其優(yōu)良的理化性能，廣泛用于集成電路制造工藝中，成為保證集成電路器件性能和發(fā)展集成電路技術(shù)必不可少及不可替代的材料。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和升級(jí)，對(duì)金屬材料的需求量將越來(lái)越大。特別是近年來(lái)，以物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備等為代表的電子產(chǎn)品市場(chǎng)需求巨大，同時(shí)汽車電子、醫(yī)療電子、安防電子等行業(yè)應(yīng)用的持續(xù)深入，以及新材料、新技術(shù)等應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)突破，使我國(guó)成為全世界集成電路產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)速度最快、市場(chǎng)需求最為旺盛的國(guó)家。我國(guó)以及全球集成電路產(chǎn)業(yè)對(duì)高端材料和產(chǎn)品的持續(xù)、巨大需求為材料企業(yè)的自主創(chuàng)新和超越發(fā)展提供了寬廣的舞臺(tái)。

著眼于未來(lái)，何金江與他的團(tuán)隊(duì)正致力于在新一代器件用新材料開(kāi)發(fā)方面進(jìn)行前沿研發(fā)，利用有研億金的良好平臺(tái)，積極配合國(guó)內(nèi)外先進(jìn)企業(yè)的研發(fā)，開(kāi)發(fā)各種新材料產(chǎn)品，滿足新技術(shù)的應(yīng)用需求，推動(dòng)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的騰飛。