李幸和,蔣大偉,陳培倉
(中國電子科技集團公司第58研究所,江蘇 無錫 214035)
當兩個或兩個以上負載共用同一個電源時,不可避免地要產(chǎn)生交互干擾。在某些特定條件下,這種干擾可能不很明顯,但是當負載靈敏度較高時,這種干擾就可能使負載的工作產(chǎn)生很大誤差,甚至不能正常工作。
由于PCM(參數(shù)監(jiān)控)測試需要借助一整套完整的測試系統(tǒng)和測試代碼來保證工藝處于受控狀態(tài),而集成電路制造工藝越來越復(fù)雜,目前一般都需要幾百道的制作工序,必須要保證每道工序都處于受控狀態(tài),使之達到一定的參數(shù)指標,這是通過PCM測試來保證的。然而在測試過程中,由于各種原因,勢必會引入這樣或那樣的異常,導(dǎo)致測試結(jié)果的不真實性,給監(jiān)控工藝帶來困難,給產(chǎn)品的質(zhì)量帶來誤判。所以,在實際工作中,必須認真多分析測試報告,對有波動的參數(shù)進行適當?shù)拇_認,保證測試的準確性和結(jié)果的真實性。
由于PCM間凈化級別的需要,更換高效過濾芯,使測試間的環(huán)境達到1W級標準,保證裸片在進行PCM測試時不會受到環(huán)境顆粒的沾污,為客戶提供更潔凈的圓片加工服務(wù)。雖然提高了凈化級別,高效過濾芯卻降低了測試間的送風量,致使環(huán)境溫度不再受控,達到30 ℃,遠超控制規(guī)范的23±2 ℃。經(jīng)過權(quán)衡,決定在高效過濾芯前面再加裝一臺風機,專門用于增加送風量,以期降低測試間溫度。因為風機需要接工業(yè)380 V電壓并配備了一臺變頻控制開關(guān),必須對風機安裝的可行性進行必要的參數(shù)評估。
更換風機之前,選取一批測試完好的鐘表電路,借助S500&UF200自動參數(shù)測試系統(tǒng)進行了相關(guān)參數(shù)的收集,比如MOS管的開啟電壓、飽和電流、漏電流、襯底電流、擊穿電壓、跨導(dǎo)和場管開啟電壓等,未發(fā)現(xiàn)異常,截取NMOS擊穿電壓和金屬場開啟正常曲線如圖1所示。
安裝風機,將變頻控制開關(guān)安裝在PCM間內(nèi)部,電源接在測試間的變電箱上并正常運行,繼續(xù)對選取的電路進行相關(guān)參數(shù)對比驗證,突然發(fā)現(xiàn)監(jiān)測到NMOS管的擊穿電壓和金屬場開啟有不同程度的偏低現(xiàn)象,且穩(wěn)定性很好,其中擊穿電壓低1~2 V(見圖2),金屬場開啟低4 V左右(見圖3),其他參數(shù)都無明顯異常,一致性很好。為了判斷該現(xiàn)象是否正常,用HP4155B&CASCADE手動測試分析系統(tǒng)進行了驗證,發(fā)現(xiàn)個別測過點有損傷導(dǎo)致?lián)舸┳冘?,如圖4(a)所示。個別點擊穿值也確實偏低,但是檢查發(fā)現(xiàn)未測試過的點全部正常,如圖4(b)所示。
圖1 NMOS擊穿電壓和金屬場開啟正常曲線
考慮到安裝了風機和變頻控制開關(guān)的影響,所以使變頻控制開關(guān)關(guān)閉,再進行同樣條件的參數(shù)測試,發(fā)現(xiàn)一切正常。但是只要打開變頻控制開關(guān),參數(shù)馬上就進行了躍變,大部分參數(shù)變化不明顯,主要還是體現(xiàn)在N管擊穿和金屬場開啟,就會出現(xiàn)如圖2和圖3所示的相同異常。因此判斷是變頻開關(guān)導(dǎo)致的測試異常。
圖2 擊穿電壓變化情況
圖3 金屬場開啟變化情況
圖4 HP4155B&CASCADE手動測試分析系統(tǒng)驗證結(jié)果
為了進一步判斷變頻控制開關(guān)的影響機理,特設(shè)計如下實驗方案:(1)將變頻開關(guān)位置靠近和遠離測試系統(tǒng)測試比較以排除高頻脈沖干擾的影響;(2)電源接到PCM間外面的電源上以排除電源的影響。
變頻開關(guān)位置靠近測試系統(tǒng),測試結(jié)果見圖5。
圖5 變頻開關(guān)位置靠近測試系統(tǒng)測試結(jié)果
變頻開關(guān)位置遠離測試系統(tǒng),測試結(jié)果如圖6所示。結(jié)果顯示了異?,F(xiàn)象基本一致,大部分參數(shù)均勻性和一致性都很好,N管擊穿和N金屬場管開啟兩項依舊偏低。至此排除了變頻開關(guān)位置的影響,測試異常并不是由于變頻控制開關(guān)放置在PCM間內(nèi)產(chǎn)生高頻無線信號干擾所致。
電源接到PCM間外面的電源上,遠離PCM測試設(shè)備電源,測試結(jié)果如圖7所示。
圖6 變頻開關(guān)位置遠離測試系統(tǒng)測試結(jié)果
圖7 電源接到PCM間外面電源的測試結(jié)果
結(jié)果顯示N管擊穿和N金屬場管仍存在異常降低的臺階,但是異常程度明顯減輕,由此看來共電源的影響可能性比較大,但是結(jié)果仍異常,經(jīng)過分析,可能是由于外面的電源雖然遠離PCM測試間電源,但是兩處電源仍是并聯(lián)共通的,即PCM間電源是外面電源的支線。因此增加實驗3,單獨拉一根動力線給變頻開關(guān)供電,測試結(jié)果如圖8所示。
圖8 單獨拉線給變頻開關(guān)供電后的測試結(jié)果
結(jié)果顯示參數(shù)完全恢復(fù)正常,因此判定最終影響因素是變頻控制開關(guān)的共電串擾。
為了提高PCM測試間凈化級別,增加高效過濾裝置,但是影響了送風量,致使測試間溫濕度超標,不利于設(shè)備運作和圓片保存。經(jīng)考慮增加風機以提高送風量,接踵而來的是PCM測試參數(shù)發(fā)生不同程度的躍變。經(jīng)過不斷的實驗探索,最終確定為高頻的風機控制器與測試間設(shè)備共用電源,從而引入的共電串擾導(dǎo)致的,此異常比較隱蔽而且可參閱性較少。目前我們采取了單獨設(shè)立變頻開關(guān)供電電源的方法,很好地解決了測試異?,F(xiàn)象,從而實現(xiàn)了對測試間溫濕度和凈化環(huán)境的有效控制,保證了測試工作的正常運作。
[1] 孫以材. 半導(dǎo)體測試技術(shù)[M]. 北京:冶金工業(yè)出版社,1984.