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激光直接打孔技術(shù)定位方法的探討

2016-08-09 07:23:32潘文萍
中國新通信 2016年11期

潘文萍

【摘要】 隨著HDI印制板設(shè)計精度的日益提升及成本降低的需求,激光直接打孔技術(shù)得到日益廣泛的應(yīng)用。本文針對激光直接打孔技術(shù)定位方法進行探討,通過對比傳統(tǒng)的掃靶孔定位和直接燒靶定位的優(yōu)缺點,提出了一種新的定位方法-開窗燒靶定位,并對該方法的加工工藝、激光孔與內(nèi)層圖形的對位精度進行實驗確認,得到了較好的效果。

【關(guān)鍵詞】 激光直接打孔 掃靶孔定位 直接燒靶定位 開窗燒靶定位

一、前言

普通的HDI板基本上是1次積層,高階HDI采用2次或以上的積層技術(shù),同時采用疊孔、電鍍填孔、激光直接打孔等先進PCB技術(shù)。

二、激光直接打孔技術(shù)

2.1 激光直接打孔

激光直接打孔使用連續(xù)多槍脈沖,每一槍能量不同,首先使用高能量脈沖熔銅,形成盲孔的雛形,起到開銅窗的作用,減少熔銅飛濺,保證一定的孔圓度,然后用較低能量的脈沖加工介質(zhì),對孔壁進行有效修理。傳統(tǒng)的激光直接打孔技術(shù)的定位方式一般有兩種:掃靶孔定位和直接燒靶定位。

1、掃靶孔定位。此種方法是在激光直接打孔時,直接使用由X-Ray掃靶機識別內(nèi)層靶環(huán)鉆孔而成的掃靶孔作為定位基準。由于引進了掃靶孔自身的位置精度誤差,定位精度不高,最大偏差會達到60um。而且,當(dāng)掃靶孔存在銅屑毛刺、孔型不圓等問題時,激光鉆床對掃靶孔的識別精度會大受影響,不但影響生產(chǎn)效率,重要的是激光孔的對位精度會直接變差。然而,雖然存在這些問題,作為一種最方便的定位模式,掃靶孔定位仍然是目前印制板廠商在激光直接打孔工藝上的首選。

2、直接燒靶定位。此種方法是采用黑化或棕化對銅箔進行表面預(yù)處理,然后采用激光直接燒靶定位:天窗層銅箔通過半固化片和芯材壓合在一起,在激光束的作用下,天窗層銅箔被燒蝕出蝕銅靶區(qū),此時,半固化片已經(jīng)被局部燒蝕,且殘留厚度不均勻;在激光束的繼續(xù)作用下,蝕銅靶區(qū)下部的半固化片被完全燒蝕,并透過次外層承接盤的對位靶孔向芯材內(nèi)部燒蝕,形成深淺不一的孔洞,嚴重時會造成芯材燒蝕擊穿。由此可見,由于預(yù)處理的不均勻,定位靶標(biāo)的燒蝕狀態(tài)不一致,生產(chǎn)過程不穩(wěn)定,嚴重影響生產(chǎn)效率。雖然這種方法的定位精度能達到30um以內(nèi),但很難予以批量使用。

三、開窗燒靶定位

下面僅就開窗燒靶定位和業(yè)界普遍采用的掃靶孔定位做一比較。

3.1 工藝流程設(shè)計

印制板芯材制作→點焊→天窗層銅箔開窗口→疊板層壓→棕化/黑化→燒靶定位→激光鉆孔

A、層壓方法

a.在天窗層銅箔的四角銑開窗口,形成開窗靶區(qū);

b.層壓疊板時,首先在下鏡板上平鋪一張?zhí)齑皩鱼~箔,并使其粗糙面朝上;然后使用疊板臺紅外線發(fā)生器產(chǎn)生紅外線形成四個交叉光點,并移動光點位置使其與四個開窗靶區(qū)中心對正;取點焊好的印制板芯材按正確的方向平放到天窗層銅箔上,并使其四角的次外層承接盤中心對準四個紅外線交叉光點;最后,在芯材上平鋪一張?zhí)齑皩鱼~箔,其粗糙面朝下,并且四角的開窗靶區(qū)中心對準四個紅外線交叉光點,蓋上鏡板,層壓加工,再對層壓后的印制板進行黑化加工。其中,所述天窗層銅箔在數(shù)控銑床上使用預(yù)設(shè)的銑程序加工,在銅箔的四角開窗口,形成開窗靶區(qū),所述開窗靶區(qū)為正方形(邊長6-10mm)或圓形(直徑6-10mm),四個開窗靶區(qū)的間距與印制板芯材上四個次外層承接盤的間距相同。

c.對層壓后的印制板進行棕化或黑化加工。

B、激光直接打孔方法

a.采用預(yù)設(shè)程序?qū)μ齑皩鱼~箔的四個開窗靶區(qū)露出的半固化片進行燒蝕,露出次外層承接盤和對位靶孔;

b.以對位靶孔為定位基準,進行激光直接鉆孔。

3.2 對位精度實驗比較

A、實驗數(shù)據(jù)

開窗燒靶定位工藝的激光孔與內(nèi)層圖形的對位精度在30um以下,遠遠好于掃靶孔定位工藝的60um。

四、總結(jié)

使用直接在天窗層銅箔上定位靶標(biāo)位置開窗口的開窗燒靶定位方式,取代直接燒靶定位的加工方法,徹底杜絕了由于預(yù)處理的不均勻而產(chǎn)生的定位靶標(biāo)的燒蝕狀態(tài)不一致問題,生產(chǎn)過程穩(wěn)定,生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)顯著提高。

參 考 文 獻

[1] 陳永生『任意層互連印制板工藝發(fā)展路線』,印制電路信息,2013年4月

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