張瑞珠,郭雯鵬,趙高磊
(1.華北水利水電大學(xué) 機械學(xué)院,河南 鄭州 450054;2.中國科學(xué)院 聲學(xué)研究所,北京 100190)
?
燒結(jié)溫度對鎂鉭鋰摻雜鈮酸鉀鈉性能的影響
張瑞珠1,郭雯鵬1,趙高磊2
(1.華北水利水電大學(xué) 機械學(xué)院,河南 鄭州 450054;2.中國科學(xué)院 聲學(xué)研究所,北京 100190)
采用傳統(tǒng)固相燒結(jié)法在960~1 060 ℃制備了Li0.058(Na0.535K0.480)0.942(Nb0.887Ta0.009Mg0.004)O3(LNKNTM)無鉛壓電陶瓷。研究了燒結(jié)溫度對LNKNTM陶瓷結(jié)構(gòu)和性能的影響。研究結(jié)果表明:在試驗溫度范圍內(nèi),LNKNTM陶瓷均為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。隨著燒結(jié)溫度的升高,LNKNTM陶瓷在室溫下出現(xiàn)了從四方相到正交相的轉(zhuǎn)變。在1 020 ℃燒結(jié)制備的LNKNTM陶瓷相對密度達到95.1%,并具有優(yōu)良的電學(xué)性能,壓電常數(shù)d33和機電耦合因數(shù)kp分別為231 pC/N和38.6%。
固相燒結(jié)法;無鉛壓電陶瓷;電學(xué)性能
壓電陶瓷是一種可以將機械能和電能互相轉(zhuǎn)換的功能材料,在電子信息技術(shù)、壓電換能器、超聲波傳感器和超聲無損檢測等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。目前,市場上大量使用的壓電材料主要是鋯鈦酸鉛Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基壓電陶瓷[1-2],PZT基壓電陶瓷的含鉛量可達到70%左右,而鉛是一種有毒的重金屬元素,因此,PZT基壓電陶瓷在制備、應(yīng)用和使用后的廢棄處理都會對人類的身體健康和生存環(huán)境造成危害。近年來,隨著人們環(huán)境保護意識的提高,許多國家已經(jīng)相繼制定了相關(guān)的法律法規(guī)來促進電子產(chǎn)品的無鉛化。在壓電陶瓷研發(fā)領(lǐng)域,研究新型的環(huán)境友好壓電陶瓷已經(jīng)成為必然趨勢。鈮酸鉀鈉(Na,K)NbO3(NKN)基無鉛壓電陶瓷具有壓電性能好和居里溫度高等優(yōu)點,被認為是最有可能替代PZT的無鉛壓電陶瓷[3-11]。
文獻[12]用織構(gòu)法制備的NKN基無鉛壓電陶瓷,壓電常數(shù)d33最高達到了416 pC/N,機電耦合因數(shù)kp為61%,顯示出可與鉛基壓電陶瓷相比的優(yōu)異性能。相較于文獻[12]的織構(gòu)法,生產(chǎn)中更多使用傳統(tǒng)的固相燒結(jié)法來制備NKN基無鉛壓電陶瓷,固相燒結(jié)法具有工藝簡便和易于控制的優(yōu)點,是生產(chǎn)壓電陶瓷的常用方法。文獻[13]通過在NKN中摻雜Li和Mg,提高了陶瓷的燒結(jié)性能。文獻[14]通過在NKN中摻雜Li和Ta,改善了NKN基無鉛壓電陶瓷的電學(xué)性能。文獻[15]的研究發(fā)現(xiàn):在固相燒結(jié)制備NKN基無鉛壓電陶瓷過程中,燒結(jié)溫度對陶瓷性能有一定的影響。Li和Ta摻雜的NKN基無鉛壓電陶瓷的燒結(jié)溫度相對較高,高溫下Na和K易揮發(fā),影響NKN基無鉛壓電陶瓷的性能。Li和Mg摻雜的NKN陶瓷燒結(jié)性能得到提高,但其燒結(jié)工藝對電學(xué)性能的影響研究相對較少。為了在較低溫度下制備高性能的壓電材料,本文選用Mg,Ta和Li共同摻雜的NKN基壓電陶瓷為研究對象,研究燒結(jié)溫度對其相結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響,期望找到合適的燒結(jié)溫度,得到電學(xué)性能優(yōu)異的Li0.058(Na0.535K0.480)0.942(Nb0.887Ta0.009Mg0.004)O3(LNKNTM)無鉛壓電陶瓷。
以Li2CO3(質(zhì)量分數(shù)99.0%)、Na2CO3(質(zhì)量分數(shù)99.8%)、K2CO3(質(zhì)量分數(shù)99.0%)、Nb2O5(質(zhì)量分數(shù)99.9%)、Ta2O5(質(zhì)量分數(shù)99.0%)和MgO(質(zhì)量分數(shù)99.9%)為原料,按照化學(xué)式Li0.058(Na0.535K0.480)0.942(Nb0.887Ta0.009Mg0.004)O3進行稱量配料。稱量好的粉料放入球磨罐中,加入一定比例的無水乙醇和瑪瑙球,在球磨機上球磨4 h。球磨后的漿料放入鼓風(fēng)干燥箱中,在80 ℃下烘干,然后過孔徑為74 μm的篩網(wǎng),得到的粉末在750 ℃下預(yù)燒4 h。預(yù)燒后的粉料加入質(zhì)量分數(shù)為5%的聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)進行攪拌,粉料和PVA混合均勻后過孔徑為74 μm的篩網(wǎng)造粒,造粒后的粉料放入Φ10 mm的模具中,在100 MPa壓力下壓制成厚度為1.2 mm的圓片。把壓成的圓片放入燒結(jié)爐中,在650 ℃保溫1 h排除PVA,將排除PVA后的陶瓷坯體放入燒結(jié)爐中,在960~1 060 ℃下保溫2 h進行燒結(jié)。
用X射線衍射儀(X-ray diffraction,XRD,CuKα,Rigaku,日本)對陶瓷的相結(jié)構(gòu)進行分析;用阿基米德排水法檢測樣品的密度;用掃描電子顯微鏡(scanning electronic microscopy,SEM,Cambridge S-360型,英國)觀察陶瓷樣品的顯微形貌。燒結(jié)制得的陶瓷樣品上下表面涂覆銀漿后,在520 ℃焙燒被銀電極,被銀后的陶瓷樣品浸泡在120 ℃硅油中極化30~40 min,極化電場為3 kV/mm的直流電場。采用d33測量儀(ZJ-3A型,中國科學(xué)院聲學(xué)研究所)測試陶瓷樣品的壓電常數(shù)d33。用精密阻抗分析儀(4294A型,Agilent,美國)測試陶瓷樣品在室溫下頻率為1 kHz處的介電常數(shù)和介電損耗,并通過測試阻抗-頻率曲線計算陶瓷樣品的平面機電耦合因數(shù)kp。用阻抗分析儀(TH2828S型,同惠,中國常州)測量陶瓷的介電性能隨溫度的變化。
圖1是不同燒結(jié)溫度下LNKNTM陶瓷樣品的XRD圖譜及局部放大圖。從圖1中可以看出:不同燒結(jié)溫度下制備的LNKNTM陶瓷樣品都形成了單一的鈣鈦礦結(jié)構(gòu),表明在試驗溫度范圍內(nèi),所添加的Li,Ta和Mg等摻雜元素均分散到 (Na0.535K0.480)NbO3陶瓷晶格中并形成固溶體,沒有改變原來的相結(jié)構(gòu)。文獻[16]報道:可以通過觀察XRD圖譜中2θ為22° 和45°附近衍射峰的相對高低,從而判斷鈮酸鉀鈉基無鉛壓電陶瓷的相結(jié)構(gòu),當22° 和45°附近的衍射峰前峰高后峰低時,陶瓷為正交鈣鈦礦相,反之則為四方鈣鈦礦相。據(jù)此可以推斷:當燒結(jié)溫度低于1 020 ℃時,制備的陶瓷樣品呈現(xiàn)四方相結(jié)構(gòu);當燒結(jié)溫度高于1 020 ℃時,制備的陶瓷樣品呈現(xiàn)正交相結(jié)構(gòu);在1 020 ℃燒結(jié)的陶瓷樣品為正交相和四方相共存的準同型相界成分區(qū)域,這是因為樣品中的K、Na在高溫下會有一定的揮發(fā),從而造成燒結(jié)后的樣品在一定程度上偏離了原始成分。
圖1 不同燒結(jié)溫度下LNKNTM陶瓷樣品的XRD圖譜及局部放大圖
由于燒結(jié)溫度的不同,LNKNTM陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)有了顯著的變化,圖2為不同燒結(jié)溫度下LNKNTM陶瓷樣品的SEM顯微照片。從圖2中可以看出:樣品中的晶粒發(fā)育完全,晶粒均為比較規(guī)則的方形。當燒結(jié)溫度低于1 020 ℃時(見圖2a~圖2c),隨著燒結(jié)溫度的增加,陶瓷樣品中晶粒的尺寸逐漸長大并趨于均勻,陶瓷樣品的氣孔逐漸減少減??;燒結(jié)溫度為1 020 ℃時(見圖2d),制備的樣品中氣孔最少;當燒結(jié)溫度高于1 020 ℃時(見圖2e和圖2f),隨著燒結(jié)溫度增加,部分晶粒變大,氣孔增加。這是因為,在一定的溫度范圍內(nèi),隨著燒結(jié)溫度的升高,晶粒生長,氣孔減少,樣品致密度增加;隨著溫度的進一步升高,樣品中部分晶粒異常長大,部分晶粒尺寸達到5 μm;另外,溫度過高,樣品中的K,Na揮發(fā)嚴重,從而使樣品中氣孔增多,樣品致密度降低。
圖3為不同燒結(jié)溫度下LNKNTM陶瓷樣品的壓電常數(shù)d33、機電耦合因數(shù)kp和相對密度ρr。從圖3a中可以看出:燒結(jié)溫度對LNKNTM陶瓷的d33和kp均有較大影響,較小的溫差都會引起d33和kp的變化,而且隨著燒結(jié)溫度的升高,陶瓷樣品的d33和kp先增大后減小。燒結(jié)溫度為1 020 ℃時,陶瓷樣品的壓電性能達到最大值,其壓電常數(shù)d33和機電耦合因數(shù)kp分別達到231 pC/N和38.6%。這主要是因為燒結(jié)溫度為1 020 ℃時,制備的樣品出現(xiàn)了正交相和四方相兩相共存,在兩相共存區(qū)域陶瓷的自發(fā)極化方向增多,在極化過程中鐵電疇的方向更容易轉(zhuǎn)變,可顯著提高其壓電性能[17]。準同型相界(morphotropic phase boundary,MPB)成分區(qū)域的出現(xiàn)可能是因為在燒結(jié)時樣品中K、Na揮發(fā),從而使樣品成分偏離了初始成分,產(chǎn)生兩相共存現(xiàn)象。從圖3b中可以看出:隨著燒結(jié)溫度的升高,陶瓷樣品的相對密度ρr先增加后降低。燒結(jié)溫度為1 020 ℃時,制備的樣品相對密度ρr最大,達到95.1%,與圖2中SEM顯微照片的結(jié)果一致。
圖2 不同燒結(jié)溫度下LNKNTM陶瓷樣品的SEM顯微照片
圖3不同燒結(jié)溫度下LNKNTM陶瓷樣品的壓電常數(shù)d33、機電耦合因數(shù)kp和相對密度ρr
圖4 不同燒結(jié)溫度下LNKNTM陶瓷樣品的介電常數(shù) εr和介電損耗tan δ
圖4為不同燒結(jié)溫度下LNKNTM陶瓷樣品的介電性能。從圖4中可以看出:燒結(jié)溫度對LNKNTM陶瓷樣品介電常數(shù)εr的影響很大,很小的溫度改變就會引起介電常數(shù)εr較大的變化。燒結(jié)溫度低于1 020 ℃時,隨著燒結(jié)溫度的升高,陶瓷的介電常數(shù)εr逐漸增加;當燒結(jié)溫度高于 1 020 ℃時,陶瓷樣品介電常數(shù)εr隨著燒結(jié)溫度的進一步升高逐漸降低;燒結(jié)溫度為 1 020 ℃時,陶瓷樣品介電常數(shù)εr達到最大值787。燒結(jié)溫度對介電損耗tanδ的影響相對較小,介電損耗tanδ隨著燒結(jié)溫度的升高先減小后增大但均小于 0.050。燒結(jié)溫度為1 020 ℃時,陶瓷樣品介電損耗tanδ達到最小值0.032。燒結(jié)溫度對陶瓷樣品介電性能有影響的一個原因是MPB的存在,在MPB附近陶瓷的介電性能較好;另外一個原因可能是陶瓷的致密度,燒結(jié)溫度為1 020 ℃時制備的陶瓷樣品致密度較高,提高了陶瓷的介電性能。
圖5為不同燒結(jié)溫度下LNKNTM陶瓷樣品的介電常數(shù)隨測試溫度的變化曲線。從圖5中可以看出:燒結(jié)溫度高于 1 020 ℃時,陶瓷樣品正交相向四方相轉(zhuǎn)變的溫度大約為40 ℃和50 ℃;燒結(jié)溫度低于1 020 ℃時,陶瓷樣品并沒有相應(yīng)轉(zhuǎn)變,這是因為燒結(jié)溫度高于1 020 ℃的陶瓷樣品在室溫下為四方相。
圖5不同燒結(jié)溫度下LNKNTM陶瓷樣品介電常數(shù) εr隨測試溫度的變化曲線
(1)用固相反應(yīng)法在燒結(jié)溫度為960~1 060 ℃時,成功制備了具有單一鈣鈦礦結(jié)構(gòu)LNKNTM無鉛壓電陶瓷且燒結(jié)溫度為1 020 ℃時,制備的陶瓷樣品存在正交相和四方相共存的準同型相界。
(2)燒結(jié)溫度為1 020 ℃時制備的LNKNTM無鉛壓電陶瓷具有較好的性能,相對密度ρr達到95.1%,壓電常數(shù)d33和機電耦合因數(shù)kp分別為231 pC/N和38.6%。
[1]JAFFE B,ROTH R S,MARZULLO S.Piezoelectric properties of lead zirconate-lead titanate solid-solution ceramics[J].Journal of applied physics,1954,25(6):809-810.
[2]PARK S E,SHROUT T R.Ultrahigh strain and piezoelectric behavior in relaxor based ferroelectric single crystals[J].Journal of applied physics,1997,82(4):1804-1811.
[3]RAMAJOA L,CASTRO M.Influence of B-site compositional homogeneity on properties of (K0.44Na0.52Li0.04)(Nb0.86Ta0.10Sb0.04)O3-based piezoelectric ceramics[J].Journal of the European ceramic society,2014,34(10):2249-2257.
[4]呂本順,李立本,臧國忠.Nb2O5摻雜對SnO2-Zn2SnO4系壓敏陶瓷電學(xué)性質(zhì)的影響[J].河南科技大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版),2014,35(3):90-94.
[5]WANG X P,WU J G,XIAO D Q.Giant piezoelectricity in potassium-sodium niobate lead-free ceramics[J].Journal of the American chemical society,2014,136(7):2905-2910.
[6]WANG H,ZHAI X,XU J W.Effects of CuO doping on the structure and properties lead-free KNN-LS piezoelectric ceramics[J].Journal of materials science(materials in electronics),2013,24(7):2469-2472.
[7]CHENG H L,ZHOU W C,DU H L.Effect of sintering temperature on phase structure,microstructure,and electrical properties of (K0.5Na0.5)NbO3-(Ba0.6Sr0.4)0.7Bi0.2TiO3lead-free ceramics[J].Journal of materials science,2014,49(4):1824-1831.
[8]ZHANG B P,LI J F,WANG K,et al.Compositional dependence of piezoelectric properties in NaxK1-xNbO3lead-free ceramics prepared by spark plasma sintering[J].Journal of the American ceramic society,2006,89(5):1605-1609.
[9]ZUO R Z.Sintering and electrical properties of lead-free Na0.5K0.5NbO3piezoelectric ceramics[J].Journal of the American ceramic society,2006,89(6):2010-2015.
[10]CHANG Y F,YANG Z P,CHAO X L,et al.Dielectric and piezoeletric properties of alkaline-earth titanate doped (K0.5Na0.5)NbO3ceramics[J].Materials letters,2007,61(3):785-789.
[11]LI H T,ZHANG B P,CUI M.Microstructure,crystalline phase,and electrical properties of ZnO-added Li0.06(Na0.535K0.48)0.94NbO3ceramics[J].Current applied physics,2011,11(3):184-188.
[12]SAITO Y,TAKKAO H,TANI I,et al.Lead-free piezoceramics[J].Nature,2004,432(4):84-87.
[13]李海濤,張波萍,張倩,等.MgO摻雜LKNN無鉛壓電陶瓷的致密化燒結(jié)[J].人工晶體學(xué)報,2009,38(增刊):56-60.
[14]GUO Y P,KAKIMOTO K,OHSATO H.(Na0.5K0.5)NbO3-LiTaO3lead-free piezoelectric ceramics[J].Materials letters,2005,59(2/3):241-244.
[15]ZHEN Y H,LI J F.Normal sintering of (K,Na)NbO3-based ceramics:influence of sintering temperature on densification,microstructure,and electrical properties[J].Journal of the American ceramic society,2006,89(12):3669-3675.
[16]明保全,王矜奉,臧國忠,等.鈮酸鉀鈉基無鉛壓電陶瓷的X射線衍射與相變分析[J].物理學(xué)報,2008,57(9):5962-5967.
[17]ZHAO P,ZHANG B P,LI J F.High piezoelectricd33coefficient in Li-modified lead-free (Na,K)NbO3ceramics sintered at optimal temperature[J].Applied physics letters,2007,90:242909.
國家自然科學(xué)基金項目(11104315)
張瑞珠(1963-),女,河北邯鄲人,教授,博士,碩士生導(dǎo)師,主要研究方向為新材料與先進制造技術(shù).
2016-03-06
1672-6871(2016)06-0005-04
10.15926/j.cnki.issn1672-6871.2016.06.002
TM282
A