吳海清
摘要:文章主要介紹TFT-LCD open cell制程,TFT-LCD open cell制程一般分為前段、中段和后段制程,前段制程主要是進(jìn)行TFT玻璃的制作;中段制程主要指將TFT玻璃與彩色濾光片貼合;后段制程指驅(qū)動(dòng)IC、印刷電路板和液晶板的壓合。
關(guān)鍵詞:TFT-LCD;open cell;制程;驅(qū)動(dòng)IC;印刷電路板
中圖分類號(hào):TP391 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1009-3044(2016)27-0232-02
1 TFT-LCD open cell 制程簡(jiǎn)述
TFT-LCD open cell制程一般分為前段、中段和后段制程,前段制程主要是進(jìn)行TFT玻璃的制作,這與半導(dǎo)體制程非常相似;中段制程主要指將TFT玻璃與彩色濾光片貼合,并加上上下偏光板;后段制程指將驅(qū)動(dòng)IC和印刷電路板壓合至TFT玻璃,并完成我們所熟知的open cell。
2 TFT-LCD open cell前段制程
TFT-LCD open cell前段制程與半導(dǎo)體制程非常相似,主要分成四個(gè)步驟:
1)利用沉淀形成gate metal。首先在玻璃基板上涂布一層金屬,然后涂上光阻膠,最后通過暴光、顯影、蝕刻和除膠而形成gate metal。涂布的金屬材料主要成分為:鈦(TI)、鋁(AL)、鉬(MO)和鉻(CR)以及其混合物。
2)沉淀SI3N4(氮化硅)、a-SI(非晶硅)和N+a-si(N型硅)。首先利用PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 技術(shù)分別涂布一層SI3N4、N+a-si和a-si,然后在N+a-si和a-si上涂布光阻膠,通過暴光、顯影、蝕刻和除膠而形成所需形狀。PECVD指的是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法,原理是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉淀出所期望的薄膜,如圖2所示。 SI3N4、N+a-si和a-si三種材料充當(dāng)?shù)慕巧謩e為:gate端和液晶存儲(chǔ)電容的電解質(zhì)、N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。
3)形成source metal和drain metal。首先在a-si上涂布一層金屬材料來作為source metal和drain metal,然后在金屬材料上涂布光阻膠并通過暴光、顯影、蝕刻和除膠而形成所需形狀,如圖3所示。Source metal和drain metal主要成分為:鈦(TI)、鋁(AL)、鉬(MO)和鉻(CR),這與gate metal相同。
4)沉淀SI3N4和ITO(Indium Tin Oxides),ITO氧化銦錫是一種透明導(dǎo)電薄膜。首先利用PECVD技術(shù)沉淀一層SI3N4,然后再涂布一層ITO,至此整個(gè)TFT玻璃就完成了也就是說TFT-LCD open cell前段制程已經(jīng)完成,其架構(gòu)如圖4所示,其中g(shù)ate metal連接至gate IC,source metal連接至data IC。
3 TFT-LCD open cell 中段制程
TFT-LCD 架構(gòu)就如三明治,下層TFT玻璃與上層彩色濾光片中間夾著液晶。而TFT-LCD open cell中段制程也分為四個(gè)主要步驟:
1)層TFT玻璃壓合前處理。首先使用離子水洗凈前段的TFT 玻璃,然后在TFT玻璃表面上涂布一層有機(jī)高分子配向膜,再通過輾壓形成所謂的PI配向膜,其主要作用是為液晶分子制作一條專用的、有固定角度的通道來控制其在電壓作用下的旋轉(zhuǎn)方向和角度。然后在TFT玻璃上涂布長(zhǎng)方形的密封膠,以利于TFT玻璃與彩色濾光片的粘合以及防止液晶外漏,而這個(gè)長(zhǎng)方形將會(huì)是該open cell的可視區(qū),最后在膠框內(nèi)注入液晶。
2)上層彩色濾光片壓合前處理。首先,在彩色濾光片基板上涂布有機(jī)高分子材料,再通過輾壓形成配向膜。然后在彩色濾光片中噴灑spacer,以保證彩色濾光片與TFT基板的空隙。
3)將TFT玻璃基板和彩色濾光片進(jìn)行壓合,并在壓合處邊框部分涂上導(dǎo)電膠,以保證外部電子能進(jìn)入液晶層。壓合后由上向下的順序?yàn)椋翰噬珵V光片、配向膜、液晶、配向膜和TFT玻璃。
4)將壓合后的液晶板按照設(shè)定好的尺寸進(jìn)行切割,然后在切割好的液晶板上下分別貼上水平偏光板和垂直偏光板。至此,整個(gè)TFT-LCD OPEN CELL的中段制程已經(jīng)完成。
4 TFT-LCD open cell后段制程
TFT-LCD open cell后段制程主要指的是將驅(qū)動(dòng)IC和PCB壓合至液晶板上,這個(gè)制程主要由三個(gè)步驟組成:
1)ACF( Anisotropic Conductive Film)的涂布。在液晶板需要壓合驅(qū)動(dòng)IC的地方涂布ACF,如圖8(a)圖所示,ACF又稱異方性導(dǎo)電膠膜,特點(diǎn)是上下方向?qū)щ姡笥曳较虿粚?dǎo)電,主要作用是連通驅(qū)動(dòng)IC與液晶面板。
2)驅(qū)動(dòng)IC的壓合。將驅(qū)動(dòng)IC壓合至已經(jīng)涂布ACF的液晶板上,也就是液晶制程中經(jīng)常所說的bonding,如圖8(b)圖所示。驅(qū)動(dòng)IC一般為COF(Chip On FPC)材料,并分為gate IC和date IC,其中g(shù)ate IC連接到前文所說的TFT玻璃GATE端,控制TFT的開關(guān);date IC連接至TFT玻璃的source端,對(duì)液晶電容充電從而控制液晶兩端電壓。
3)PCB的壓合。將PCB壓合至液晶板的date IC端,那么PCB上的IC就可以直接控制date IC并且可以通過date IC將信號(hào)傳送至gate IC從而控制gate IC。至此整個(gè)TFT-LCD open cell制程已經(jīng)完成,并制作出我們所熟知的open cell,如圖9所示。
5 小結(jié)
整個(gè)TFT-LCD open cell制程步驟相當(dāng)復(fù)雜,而且技術(shù)層出不窮的今天,很多制程和材料使用等都在不斷進(jìn)步和創(chuàng)新,相信不久的將來,新的液晶時(shí)代將會(huì)使大家眼前一亮!
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