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DC—DC芯片反向大電流檢測的設(shè)計

2017-03-23 20:52:29曼茂立
科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2017年6期

摘 要:提出了一種降壓型電流模DC-DC芯片的反向大電流檢測電路。該電路檢測開關(guān)管之間的電壓,與基準電壓比較后輸出邏輯信號控制開關(guān)管,將DC-DC芯片的反向電感電流門限設(shè)定為900mA,提高了芯片輕負載工作下的效率。

關(guān)鍵詞:DC-DC芯片;輕負載;反向大電流

引言

DC-DC變換器芯片具有效率高、穩(wěn)定性好、PCB板占用面積小等優(yōu)點,在現(xiàn)在電子設(shè)計中應(yīng)用特別廣泛。不斷提高DC-DC變換器的效率一直是此類芯片設(shè)計中的難點[1]。

為了提高工作效率,目前的市場上的DC-DC變化器芯片多采用峰值電流模PWM控制方式[2-3]。大多數(shù)情況下,芯片會工作在輕負載模式,因此尤其應(yīng)該提高輕負載模式下的效率[4]。本文基于降壓型DC-DC芯片,提出了一種新穎的片上反向大電流檢測保護電路,在輕負載的情況下,當(dāng)電感中的反向電流超過900mA時,輸出信號IR2_OUT將同步開關(guān)管關(guān)斷,防止了流過電感的反向電流過大而造成能量的浪費,提高了變換器輕負載工作下的效率。

1 反向大續(xù)流檢測電路的設(shè)計思想

DC-DC芯片主開關(guān)管和同步開關(guān)管連接處SW點的電壓可以反映電感電流的大小。在續(xù)流階段,對SW點的電壓進行采樣得到IR_SW信號,將該信號與基準電壓通過比較器進行比較。當(dāng)反向電感電流超過900mA時,IR_SW的電壓大于基準電壓,此時比較器的輸出IR2_OUT變?yōu)檫壿嫛?”將同步開關(guān)管關(guān)斷,使續(xù)流階段結(jié)束。

2 具體電路實現(xiàn)

圖1是反向大電流檢測模塊的實際電路圖,圖中BJH1是芯片內(nèi)部基準電流模塊為本模塊比較器正常工作提供的電流偏置;IR_GND是基準電壓信號,它由基準電流流入電阻R1產(chǎn)生;IR_SW是續(xù)流階段SW點電壓的采樣信號;SHUT和IR2CTL是本模塊的邏輯使能信號;IR2_OUT是本模塊的輸出,它可以控制同步開關(guān)管的關(guān)斷。

由圖1可知,本模塊中的比較器采用了的典型兩級結(jié)構(gòu)[5]。電路第一級使用二極管接法的MOS管作負載,第二級采用推挽式的輸出結(jié)構(gòu)。第二級中的M15和M18接成共源共柵的結(jié)構(gòu),提高了電路的電源抑制比。在設(shè)計當(dāng)中,M20N的寬長比遠大于M20P的寬長比,并且M21P的寬長比遠大于M21N的寬長比,這樣由M20N和M20P構(gòu)成的整形非門上升沿翻轉(zhuǎn)較快,由M21N和M21P構(gòu)成的整形非門下降沿翻轉(zhuǎn)較快,從而有利于輸出信號IR2_OUT在由邏輯“0”變?yōu)檫壿嫛?”過程中的快速翻轉(zhuǎn)。

為了保證變換器在絕大部分情況工作在連續(xù)導(dǎo)通模式下,電路的設(shè)計應(yīng)該保證電感中可以流過一定的反向電流。然而在反向續(xù)流階段,輸出電容上儲存的能量經(jīng)電感和同步開關(guān)管流到地端,造成了能量的浪費,因此為了提高變換器輕負載下的效率,反向電感電流又不宜過大。經(jīng)過折衷考慮,本設(shè)計中的反向續(xù)流門限設(shè)定為900mA。

在芯片正常工作的情況下,在任意工作周期當(dāng)中,當(dāng)主開關(guān)管關(guān)斷后,邏輯控制同步開關(guān)管打開,變換器進入續(xù)流階段,此時全局關(guān)斷信號SHUT為邏輯“0”,使能信號IR2CTL為邏輯“1”,反向續(xù)流檢測模塊可以正常工作。在續(xù)流階段,同步開關(guān)管、電感、負載和輸出電容構(gòu)成回路,電感中的儲能通過回路釋放。在這一過程中,IR_SW通過檢測SW點的電壓來檢測同步開關(guān)管中的電流。在續(xù)流的開始階段,電流由地流向電感,此時SW點的電壓小于零,IR_SW的電壓小于零。差分對管中的M2導(dǎo)通,M3截止,偏置電流全部流經(jīng)M5,M6上幾乎沒有電流流過,這導(dǎo)致了M18截止,M19導(dǎo)通并處于線性工作區(qū),M19的漏端電壓與源端電壓幾乎相等,接近于地電位,IR2_OUT為邏輯“0”。當(dāng)電感中的能量耗盡之后,由于電感電流不能突變,輸出電容通過電感和同步開關(guān)管對地放電,電感中開始流過反向電流,此時SW和IR_SW的電壓大于零且它們隨著電感電流的增大而增大。當(dāng)電感中的反向電流超過900mA時,IR_SW電壓將超過基準電壓IR_GND,IR2_OUT變?yōu)檫壿嫛?”,控制同步開關(guān)管關(guān)斷,結(jié)束變換器的續(xù)流過程。

3 仿真結(jié)果

本文提出的電路應(yīng)用于一款降壓型單片DC-DC變換器中,芯片已經(jīng)采用Hspice和Candence完成了電路前仿真設(shè)計。圖2是在溫度為25℃、電源電壓VI為5V、全典型模型的情況下,IR2_OUT隨反向電感電流變化的直流仿真曲線。由該圖可知,使IR2_OUT由邏輯“0”變?yōu)檫壿嫛?”的反向電感電流門限約為900mA,這一結(jié)果滿足設(shè)計要求。

參考文獻

[1]袁冰,來新泉,李演明,等.便攜應(yīng)用DC-DC輕負載高效率的實現(xiàn)[J].半導(dǎo)體學(xué)報,2008,06,Vol.29(6):1199-1202.

[2]陳東坡,何樂年,嚴曉浪.一種具有750mA輸出電流,雙模式PWM/

PFM控制的高效率直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器[J].半導(dǎo)體學(xué)報,2008,08,Vol.29(8):1614-1619.

[3]Yong Sun, Yizheng Ye, Fengchang Lai. Power efficient high speed switched current comparator[C]. The 7th International Conference on ASIC Proceeding. 2007, 10: 581-584.

[4]P.Midya, M.Greuel, P.T.Krein. Sensorless Current Mode Control-An Observer -Based Technique for DC-DC Converter[J]. IEEE Trans on Power Electronics. 2001, 07, Vol.16(4): 522-526.

[5]畢查德·拉扎維.模擬CMOS集成電路設(shè)計[M].陳貴燦,程軍,張瑞智譯.西安:西安交通大學(xué)出版社,2003.

作者簡介:曼茂立(1982-),男,碩士研究生,工程師,主要研究方向:模擬集成電路設(shè)計,汽車電子。

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