彭卓文，楊新民，王勝紅（.南京理工大學 江蘇 南京0094；.淮海工業(yè)集團 山西 長治046000）

基于FPGA控制的高速大容量NAND FLASH存儲模塊設計

彭卓文1，楊新民1，王勝紅2
（1.南京理工大學 江蘇 南京210094；2.淮海工業(yè)集團 山西 長治046000）

為了實現(xiàn)對于炮彈彈道測試系統(tǒng)采集數(shù)據(jù)實時存儲，本文設計了一種存儲模塊。該模塊由XILINX公司的XC3S1600E和意法半導體公司的NAND512W3A構成，通過對FPGA進行硬件編程實現(xiàn)對NANDFLASH的讀寫控制[1]。針對NANDFLASH存在壞塊的缺點，提出了相應的管理方法，保證了數(shù)據(jù)的可靠性。通過實時更新并存儲NAND FLASH操作地址來保證存儲模塊重新上電之后可以繼續(xù)存儲。

FPGA；NANDFLASH；大容量存儲；壞塊管理

目前最新型的彈載黑匣子在實時性、大容量、高可靠性、高速率等方面又有了新的要求，炮彈彈道實驗中姿態(tài)、軌跡、旋轉速率等參數(shù)在被采集后需要及時存入存儲模塊中。傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲模塊多用ARM作為其控制核心，但是由于ARM的時鐘頻率較低且需用軟件實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，這使得存儲的速度和效率較低，在整個存儲周期中大多為軟件的運行時間。而FPGA有ARM無法比擬的優(yōu)勢，F(xiàn)PGA時鐘頻率高、內部延時小，全部控制邏輯由硬件完成，速度快、效率高。在此技術基礎上，為了滿足數(shù)據(jù)存儲對速度的要求，本文將介紹一種基于FPGA，采用VerilogHDL硬件描述語言設計實現(xiàn)的高速數(shù)據(jù)存儲模塊[2]。存儲芯片采用意法半導體公司的NAND512W3A，利用FPGA構建讀寫FIFO緩存、硬件擦除和讀寫以及壞塊屏蔽NANDFLASH，從而加快了黑匣子數(shù)據(jù)存儲的速度和可靠性[3]。

1 存儲模塊硬件設計

本論文設計的存儲模塊由 XILINX公司的XC3S1600E[4]和意法半導體公司的NAND512W3A[5]構成。FPGA通過I/O引腳與NANDFLASH進行數(shù)據(jù)傳遞，通過片選信號和NANDFLASH返回的信號對NANDFLASH進行控制。地址存儲空間與數(shù)據(jù)存儲空間分別存放NANDFLASH操作地址和外圍設備采集的數(shù)據(jù)[6]。

NANDFLASH和FPGA相連接的部分包括：8個I/O口，鎖存信號線，狀態(tài)信號線。鎖存信號線包括：地址鎖存（ALE），指令鎖存（CLE），寫使能（WE）以及讀使能（RE）。狀態(tài)信號線包括：片選信號（CE）和狀態(tài)位信號 （R/B）。其中，狀態(tài)位信號高電平時表示NANDFLASH空閑，低電平時表示NANDFLASH忙碌。存儲模塊結構由框圖1所示。

圖1 存儲模塊結構框圖

2 存儲模塊的基本原理

ALE和CLE分別為地址鎖存和命令鎖存，因為FPGA與NANDFLASH之間的所有通信都是通過8 個I/O口進行的，通過ALE和CLE的狀態(tài)來區(qū)分通信的具體內容。當ALE高電平時表示傳輸?shù)膬热轂榈刂沸畔ⅲ擟LE高電平時表示傳輸?shù)膬热轂橹噶钚畔?，當兩個都為低電平時則表示通信內容為數(shù)據(jù)。RE和WE分別為讀寫使能端，低電平有效。其中，片選信號低電平有效，狀態(tài)位信號高電平就緒（Ready），低電平忙碌（Busy）。FPGA自帶的I/O引腳數(shù)量很多，通過對FPGA進行編程使其能向NANDFLASH發(fā)出片選和使能信號[7]。FPGA將采集到的數(shù)據(jù)分類進行存儲。NANDFLASH的操作主要包含擦除、編程和讀取，由NANDFLASH的內部硬件結構決定了其擦除操作是以塊（Block）為單位進行的，編程和讀取操作是以頁（Page）為單位進行的。實現(xiàn)整個存儲功能的基本要求是必須要保證編程操作的過程中數(shù)據(jù)的可靠性和完整性。由于在寫入過程中存在頁寄存器（Page register），這個頁是專門用來存放將要寫入的數(shù)據(jù)，其本質相當于頁緩存，當緩存的數(shù)據(jù)收集滿一頁后再傳輸給后續(xù)的物理存儲單元[8]。

3 FPGA對NANDFLASH的燒寫

NAND512W3A芯片的各種操作必須寫入相應的命令才能順利執(zhí)行，由于命令、地址、數(shù)據(jù)共用I/O，所以要通過命令鎖存信號和地址鎖存信號共同控制而分時復用[9]。其中NANDFLASH的引腳命令很豐富，下面是NANDFLASH的主要操作簡介。

3.1 擦除操作

器件的擦除操作是以塊為單位的。加載塊地址時先輸入60h建立擦除命令，然后再輸入確認命令D0h，執(zhí)行內部擦除過程。先建立再擦除的兩步命令時序可以保證存儲數(shù)據(jù)不會被外部干擾所影響導致誤擦除。擦除操作流程圖如圖2所示。

圖2NANDFLASH擦除操作流程圖

3.2 寫入操作

在編寫NANDFLASH的控制程序時器件的編程以頁為單位，一個頁編程周期中可以對一個或者多個連續(xù)的字節(jié)進行編程。一個頁編程周期包括串行數(shù)據(jù)加載階段和編程階段組成。數(shù)據(jù)在加載階段被加載至數(shù)據(jù)寄存器中，在數(shù)據(jù)編程階段被寫入存儲單元。寫操作的過程為:1）發(fā)送寫開始指令80h；2）發(fā)送第1個cycle地址；3）發(fā)送第2個cycle地址；4）發(fā)送第3個cycle地址；5）發(fā)送第4個cycle地址；6）寫入數(shù)據(jù)至頁末；7）發(fā)送寫結束指令10h。具體仿真波形如圖3和圖4所示。

3.3 讀取操作

NANDFLASH的數(shù)據(jù)讀取操作包括NANDFLASH 的READ ID操作和讀取片內數(shù)據(jù)操作。其中READ ID操作是讀操作的基礎操作，NANDFLASH器件ID包括：Manufacture ID和Device ID，這些信息是判斷NANDFLASH的重要憑證。具體操作為：在CLE為高點平且WE_n的下降沿，在IO輸入90h命令讓NANDFLASH進入讀ID狀態(tài)，接著在ALE為高電平且WE_n的下降沿時，在IO輸入00h地址，等待tALLRL1的時間后RE_n由高置低，在之后RE_n的兩個下降沿將ID讀出。其結果Manufacture ID為20h，Device ID為76h，板級驗證圖5所示。

NAND512W3A每頁分為A，B，C 3個區(qū)，總共528字節(jié)。其中A區(qū)256字節(jié)，B區(qū)256字節(jié)，C區(qū)16字節(jié)，A區(qū)和B區(qū)的讀取時序一致，讀取時要分三步讀取。在A區(qū)讀取完畢后可以通過將片選信號暫時拉高來中斷讀操作，將片選信號再次拉低即可進行B區(qū)的讀取操作NAND512W3A的尋址分為4個cycle。分別是：A[0:7]、A[9:16]、A[17:24]、A[25: 26]。 讀操作的過程為:1）發(fā)送讀取指令；2）發(fā)送第1個cycle地址；3）發(fā)送第2個cycle地址；4）發(fā)送第3個cycle地址；5）發(fā)送第4個cycle地址；6）等待信號變回高電平；7）讀取數(shù)據(jù)至頁末。圖6和圖7為具體的讀取A區(qū)操作仿真波形圖。

圖3NANDFLASH寫操作ModelSim仿真波形圖

圖4 NANDFLASH寫操作ChipScope仿真波形圖

圖5 READ ID ChipScope仿真圖

4 創(chuàng)建初始化壞塊表

壞塊問題一直是NANDFLASH存儲過程中的基本問題，壞塊的種類分為出廠壞塊和使用過程中的新增壞塊，一般生產(chǎn)NANDFLASH的廠家會有標記出出廠壞塊的個數(shù)和存在的位置，燒寫時應當避開這些出廠壞塊進行燒寫。而在存儲過程中出現(xiàn)的新增壞塊則需要進行ECC校驗。創(chuàng)建壞塊信息表的存儲方式是在系統(tǒng)接收到了NANDFLASH的擦除命令后，先讀取NANDFLASH中的固有壞塊信息并且對有效塊進行兩次擦除操作，同時建立邏輯塊地址和有效塊標識表[10]。擦除操作完畢后，將該表同時寫入到NANDFLASH前3塊有效塊中，這樣可以防止因某一塊的損壞而使壞塊信息丟失，不能正確判斷出有效塊，從而導致存儲數(shù)據(jù)出現(xiàn)偏差商確保每個壞塊的第一或者第二頁的列地址 2048處[11]。這樣在每次上電過程中將3塊中的好壞塊標識信息都讀出并對比，如有某一塊存儲壞塊信息不正確，則立即將信息表轉存到有效塊中，做好備份工作。具體實現(xiàn)操作首先是NANDFLASH出廠時廠是非FFh數(shù)據(jù)。由于初始壞塊信息在某些情況下是可擦除的，因此在使用之前應該依據(jù)初始壞塊信息建立初始化壞塊表，本設計中初始化壞塊表是在記錄NANDFLASH里創(chuàng)建的，創(chuàng)建初始化壞塊表[12]。具體操作如圖8所示。

圖6 NANDFLASH A區(qū)讀操作仿真波形圖

圖7 NANDFLASH A區(qū)讀操作結果放大圖

圖8 創(chuàng)建初始化壞塊表流程圖

5 NANDFLASH的斷電保護問題

為了使NANDFLASH在斷電再上電后仍能繼續(xù)之前的操作，地址緩存在每次NANDFLASH讀寫操作后都會更新當前地址，更新的地址將被存入NANDFLASH的地址存儲空間。在下一次NAND FLASH操作開始之前，再把之前存入的地址讀出并當作這次工作的操作地址[13-14]。這樣就可以保證NANDFLASH在重新上電之后，操作地址可以再從NANDFLASH的地址存儲空間讀出，從而繼續(xù)工作。在燒寫過程中，當一個片選的容量存滿之后，需要自動切換到下一個片選信號，進而繼續(xù)工作。對NANDFLASH的每次操作都涉及到對應的操作地址，即頁地址、塊地址和片選號（從頁首開始操作，不考慮頁內地址）。一次操作完成后，應該更新操作地址并進行相應的判斷[15]。地址更新時，依次更新頁地址、塊地址和片選信號，當一個地址達到最大值時，該地址歸零同時高階地址加一。

6 結束語

文中針對炮彈彈道測試系統(tǒng)存儲模塊進行了設計，具體使用方案為FPGA搭載大容量NANDFLASH。主要完成的工作有：1）對FPGA擦除、讀取和寫入NANDFLASH的步驟做了簡單的介紹。2）針對NANDFLASH出現(xiàn)壞塊的情況給出了相應的解決方案。3）對NANDFLASH操作地址實時更新，并將操作地址進行存儲，重新上電后讀出地址繼續(xù)操作。最終實現(xiàn)系統(tǒng)所需要求，性能穩(wěn)定。

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Design of nandflash memory module with high speed and large capacity based on FPGA

PENG Zhuo-wen1，YANG Xin-min1，WANG Sheng-hong2
（1.National Key Laboratory of Transient Physics，Nanjing University of Science and Technology，Nanjing 210094，China；2.Huaihai Industrial Group，Changzhi 046000，China）

In order to achieve the storage of Ballistic test system’s real-time data，this article designs a storage module.The module consists of XILINX XC3S1600E and STMicroelectronics NAND512W3A，which controls the read&white operation of NANDFLASH by programing the FPGA.Aiming at the problems that NANDFLASH contains bad block，this paper proposes for a corresponding management measure and secures its data’s reliability.As well，the memory module could continue work when it is reenergized though updating and saving the operation address in real time.

FPGA；NANDFLASH；large storage；bad block management

TN98

A

1674－6236（2017）07-0111-04

2016-04-22稿件編號：201604222

彭卓文（1992—），男，湖北十堰人，碩士。研究方向：FPGA的數(shù)據(jù)采集和記錄。