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電子器件散粒噪聲的測(cè)試方法

2017-06-02 13:12王予峰
電子技術(shù)與軟件工程 2017年10期
關(guān)鍵詞:電子器件測(cè)試方法

隨著社會(huì)的進(jìn)步和科技的發(fā)展,電子器件在生活中越發(fā)普及,第二次工業(yè)革命使人類社會(huì)正式進(jìn)入了電氣時(shí)代,第三次工業(yè)革命使人類社會(huì)進(jìn)入了信息時(shí)代,現(xiàn)代社會(huì)生活中所用到的各類電子器件,幾乎都是兩個(gè)時(shí)代共同作用下的產(chǎn)物,雖然科技在持續(xù)進(jìn)步,但電子器件依然存在各種問(wèn)題,散粒噪聲是其中相對(duì)較為普遍的一個(gè),本文從散粒噪聲的相關(guān)知識(shí)出發(fā),淺析散粒噪聲的測(cè)試方法。

【關(guān)鍵詞】電子器件 散粒噪聲 相關(guān)知識(shí) 測(cè)試方法

目前社會(huì)生活中所使用的電子器件多種多樣,從基本的日常生活到高新技術(shù)領(lǐng)域幾乎都可以覓得電子器件的身影,基于電子器件應(yīng)用的廣泛性和普遍性,對(duì)其相關(guān)技術(shù)也提出了更高的要求,散粒噪聲是目前多種電子器件使用時(shí)存在的問(wèn)題,一般會(huì)隨著電流的強(qiáng)度變化,對(duì)通信質(zhì)量等造成不良影響,為了使電子器件更好的服務(wù)于生活,對(duì)散粒噪聲的測(cè)試是十分必要的。

1 散粒噪聲的相關(guān)知識(shí)簡(jiǎn)介

1.1 什么是散粒噪聲

散粒噪聲也被稱為散彈噪聲,是一種由于電子發(fā)射的不均勻性引起的噪聲,通常出現(xiàn)在一些通信設(shè)備的有源器件中。根據(jù)相關(guān)文獻(xiàn)記載,散粒噪聲最早在1918年已經(jīng)被發(fā)現(xiàn),技術(shù)人員進(jìn)行了各種分析,得出了一些有利于改進(jìn)的經(jīng)驗(yàn),不過(guò)就目前的科技條件而言,散粒噪聲依然是很難完全避免的。

1.2 散粒噪聲產(chǎn)生的原理

簡(jiǎn)單的說(shuō),散粒噪聲是由形成電流的載流子的分散性造成的,目前來(lái)看,社會(huì)生活中所使用的大多數(shù)半導(dǎo)體器件,包括計(jì)算機(jī)、電話、手機(jī)以及前些年廣泛流行的收音機(jī)等,噪聲的主要來(lái)源都是散粒噪聲。在高頻情況下,散粒噪聲譜變得與頻率有關(guān)。而在低頻和中頻下,頻率不會(huì)影響到散粒噪聲。

1.3 散粒噪聲的不良影響

鑒于散粒噪聲存在的普遍性,它直接影響著日常生活,包括通信質(zhì)量等,存在于電話中的散粒噪聲會(huì)影響通話質(zhì)量,存在于計(jì)算機(jī)中的散粒噪聲也會(huì)對(duì)計(jì)算機(jī)的正常工作造成不良影響,盡管這種影響一般情況下并不會(huì)特別大,但對(duì)于一些較為重要的領(lǐng)域或者追求高質(zhì)量生活的人群來(lái)說(shuō),就是不可接受的了。不過(guò),在電化學(xué)的相關(guān)研究中,當(dāng)電流流過(guò)被測(cè)體系時(shí),如果被測(cè)體系的局部平衡仍沒(méi)有被破壞,此時(shí)散粒噪聲是可以忽略不計(jì)的。

2 電子器件散粒噪聲的測(cè)試方法

2.1 利用頻譜分析儀進(jìn)行噪聲分析

頻譜分析儀一種多用途的電子測(cè)量?jī)x器,主要是研究電信號(hào)頻譜結(jié)構(gòu),用于信號(hào)調(diào)制度、譜純度、失真度、頻率穩(wěn)定度和交調(diào)失真等相關(guān)測(cè)量,可以用于測(cè)量放大器和濾波器等電路系統(tǒng)的某些參數(shù)。

頻譜記錄儀使用方便、科學(xué)性較好,但是價(jià)格較為昂貴,而且操作比較復(fù)雜。

2.2 使用超導(dǎo)量子干涉磁強(qiáng)計(jì)和偏置橋電路進(jìn)行測(cè)試

在測(cè)試中,將超導(dǎo)量子干涉磁強(qiáng)計(jì)和偏置橋電路放置在溫度較低的環(huán)境中,在用于測(cè)量電子器件的散粒噪聲時(shí),偏置橋電路可以將被測(cè)電阻產(chǎn)生的電流噪聲轉(zhuǎn)換為電磁信號(hào),同時(shí)為被測(cè)電阻提供測(cè)試所需的偏置電流,通過(guò)以上設(shè)置可以消除超導(dǎo)量子干涉磁強(qiáng)計(jì)輸入電流產(chǎn)生的直流電流的分量。具體操作時(shí),通過(guò)偏置橋電路,將電阻產(chǎn)生的電流波動(dòng)轉(zhuǎn)化為電磁信號(hào),之后再利用超導(dǎo)量子干涉磁強(qiáng)計(jì)的接收設(shè)備對(duì)電磁信號(hào)進(jìn)行接收合放大,從而獲得測(cè)試結(jié)果。

3 散粒噪聲測(cè)試的一些條件

3.1 溫度和偏置條件

電子器件的熱噪聲和散粒噪聲均會(huì)被以白噪聲的形式表現(xiàn)出來(lái),通常不通過(guò)專業(yè)設(shè)備難以有效分辨,本質(zhì)上講,熱噪聲是一種平衡噪聲,受溫度影響,溫度升高往往熱噪聲就會(huì)變大,同時(shí),熱噪聲不會(huì)受到偏置的影響,而散粒噪聲與溫度的關(guān)系并不是直接的,但卻會(huì)受到偏置的直接影響。新的研究表明,散粒噪聲相關(guān)研究不必再在非常低的溫度下進(jìn)行,一般而言,通過(guò)抑制熱噪聲,就可以捕捉到散粒噪聲。

3.2 設(shè)備的專業(yè)性

包括頻譜分析儀等在內(nèi),設(shè)備的好壞和精度會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生一定的影響,通常來(lái)說(shuō),溫度升高會(huì)使散粒噪聲變得不容易被捕捉,而在較低的溫度條件下散粒噪聲會(huì)清晰許多,但需要注意的是,很多儀器在溫度較低的環(huán)境里會(huì)產(chǎn)生一定程度的誤差,使測(cè)試結(jié)果變得不精確,因此,在溫度環(huán)境不能隨意變更的情況下,需要盡可能采用較為優(yōu)質(zhì)的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試和相關(guān)的記錄。

4 對(duì)電子器件散粒噪聲測(cè)試時(shí)需要注意的問(wèn)題

4.1 溫度相對(duì)要較低

鑒于熱噪聲的影響,測(cè)試時(shí)的溫度應(yīng)該處于較低的水平中,具體溫度可以結(jié)合實(shí)驗(yàn)室實(shí)際情況而定。熱噪聲和散粒噪聲都屬于白噪聲,分辨起來(lái)有一定難度,二者受到不同環(huán)境影響也會(huì)有不同的強(qiáng)弱變現(xiàn),通常來(lái)說(shuō),較低的溫度可以有效降低熱噪聲的影響,而熱噪聲的影響越低,往往散粒噪聲的捕捉和測(cè)試就會(huì)越簡(jiǎn)單和科學(xué)。

4.2 保障設(shè)備的專業(yè)性

設(shè)備不可避免會(huì)出現(xiàn)熱脹冷縮等一系列物理現(xiàn)象,或者本身出現(xiàn)故障,這都會(huì)對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果造成影響,為求盡量避免這種情況,對(duì)設(shè)備的要求必須嚴(yán)格,包括各種儀器在不同溫度條件下出現(xiàn)的誤差值、其本身測(cè)量精度等,盡可能保障測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和科學(xué)性。

4.3 盡量降低系統(tǒng)噪聲

系統(tǒng)噪聲來(lái)源于測(cè)試設(shè)備,包括放大器背景、偏置元件和偏置電源等,必須控制總噪聲低于散粒噪聲至少一個(gè)量級(jí),這又要求獨(dú)立的噪聲源要低于散粒噪聲至少2-3個(gè)量級(jí),否則對(duì)散粒噪聲的捕捉和測(cè)試都會(huì)造成很大困擾。

5 降低散粒噪聲的有效方法

5.1 使用低噪聲材料

一般來(lái)說(shuō),各種電子器件所需要的材料不止一種,比如銀和鋁在某些設(shè)備中可以通用,而銅、鎢的使用也十分廣泛,有鑒于此,可以通過(guò)不斷的實(shí)驗(yàn)尋求一種噪聲較低的材料用于電子器件的制造。

5.2 改良制造工藝

目前的電子器件制造工藝已經(jīng)趨于成熟,但不意味著沒(méi)有改進(jìn)的空間,技術(shù)人員可以在目前工藝的基礎(chǔ)上,盡可能的進(jìn)行改良,將散粒噪聲的影響降到最低。

5.3 將放大器放置在溫度較低的容器中

這一措施,在接收很微弱信號(hào)的衛(wèi)星通信中經(jīng)常采用,由于成本較高,同時(shí)應(yīng)用范圍并不很廣泛,一般來(lái)說(shuō)日常生活中不會(huì)用到,但可以盡量使電子器件的工作環(huán)境接近實(shí)驗(yàn)室水平,從而降低散粒噪聲的影響。

6 總結(jié)

散粒噪聲對(duì)通信等社會(huì)活動(dòng)的影響目前來(lái)看很難避免,但可以通過(guò)測(cè)試得出散粒噪聲在不同環(huán)境中對(duì)電子器件的影響程度,為降低散粒噪聲影響、改進(jìn)電子器件的工作效果提供一些有利的數(shù)據(jù)支持。

參考文獻(xiàn)

[1]李春梅,杜磊.散粒噪聲時(shí)間序列測(cè)試方案研究[J].電子科技,2009(03):75-77.

[2]鄭磊,杜磊,陳文豪.短溝道MOSFET散粒噪聲測(cè)試方法研究[J].電子科技,2009(11):101-103.

[3]鄭磊.PN結(jié)二極管散粒噪聲測(cè)試方法研究[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2011(22):162-164.

作者簡(jiǎn)介

王予峰(1977-),男,甘肅省天水市人。碩士學(xué)位?,F(xiàn)任中國(guó)空空導(dǎo)彈研究院部長(zhǎng),高工職稱。研究方向?yàn)榫C合保障。

作者單位

中國(guó)空空導(dǎo)彈研究院 河南省洛陽(yáng)市 471099

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