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90納米CMOS工藝的毫米波CPW模型

2017-09-07 05:07:50趙智超吳鐵峰
中國管理信息化 2017年15期

趙智超++吳鐵峰

[摘 要] 現(xiàn)階段,微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,對集成電路的設(shè)計提出了更加嚴(yán)格的要求。在毫米波集成電路設(shè)計中,硅基共面波導(dǎo)(CPW)是一種關(guān)鍵性的基礎(chǔ)元件,文章對CPW的機制以及等效電路模型的設(shè)計進行了簡要分析,提出了基于90 nm CMOS工藝的毫米波CPW模型及參數(shù)提取算法,經(jīng)對比分析,該模型在0~66 GHz內(nèi)有效。

[關(guān)鍵詞] COMS工藝;毫米波;CPW模型

doi : 10 . 3969 / j . issn . 1673 - 0194 . 2017. 15. 087

[中圖分類號] TP311 [文獻(xiàn)標(biāo)識碼] A [文章編號] 1673 - 0194(2017)15- 0194- 02

0 前 言

最近幾年,通信行業(yè)的飛速發(fā)展,對于通信的速率和帶寬提出了許多新的要求,毫米波段的單片微波集成電路因此應(yīng)運而生,硅基納米工藝的進步也使得毫米波CMOS集成電路在硅基上的設(shè)計成為了可能。在毫米波傳輸中,CPW是基礎(chǔ)性器件,對于單片微波集成電路的性能影響巨大,也因此受到了廣泛的關(guān)注。

1 傳輸線模型

以常規(guī)RLGC模型為例進行分析,模型以準(zhǔn)TEM模式假設(shè)為基礎(chǔ),將100 GHz以內(nèi)判斷為合理,而在這個范圍內(nèi),利用RLGC模型能夠非常準(zhǔn)確的對共面波導(dǎo)的特征進行描述?;诖?,新建相應(yīng)的CPW等效電路模型,如圖1所示。

模型包括了n個級聯(lián)模塊,每一個模塊的等效電路都包含有一個串聯(lián)分支和一個并聯(lián)分支,前者可以細(xì)分為R/L梯形網(wǎng)絡(luò)和電感Lhf,能夠?qū)裁娌▽?dǎo)在高頻下的趨膚效應(yīng)進行表示,后者包括了用以描述接地線與信號線之間電容效應(yīng)的Csg以及用以描述高頻信號耦合到硅襯底損耗的C-R-C網(wǎng)絡(luò)[1]。

2 參數(shù)提取

2.1 串聯(lián)分支

CPW模型中,直流電阻Rdc包括了兩側(cè)地線導(dǎo)體電阻和信號線導(dǎo)體電阻兩部分,計算公式為

Rdc= +

在公式中,l表示CPW的長度,σ表示金屬電導(dǎo)率,ωs表示信號線導(dǎo)體寬度,ωg表示兩側(cè)地線導(dǎo)體寬度,t為金屬導(dǎo)體厚度。

直流電感Ldc的計算公式為

Ldc=Ls+ -2Msg1+

其中,Ls和Lg1表示信號線與地線的自感,Msg1表示信號線與地線互感,Mg1g2表示兩側(cè)地線互感。信號線和地線的自感與互感同樣可以利用公式計算得到

L=2l(ln +0.500 49+ )

M=2l[ln( - + ]

公式中,ω為金屬導(dǎo)體寬度,dGMD為相鄰導(dǎo)體之間的幾何平均距離,為了方便計算,取近似值,即導(dǎo)體中心距離。

結(jié)合對測試數(shù)據(jù)的分析和提取,可以得到RLGC模型中的R、L、G和C。根據(jù)串聯(lián)分支阻抗的計算公式Zmeasure=R+jwL,對相應(yīng)的公式進行整理,在高頻工況下,可以得到如下公式:

Rdc=

Rhf=R1

Ldc=L1+

Lhf=L1

結(jié)合上述公式,經(jīng)整合計算,就可以得到R1、R2以及L1和L2的具體值。

2.2 并聯(lián)分支

在并聯(lián)分支中,無論是對于Csg還是對于C-R-C網(wǎng)絡(luò),都能夠直接運用相應(yīng)的提取方法進行參數(shù)的提取[2],經(jīng)處理后的結(jié)果為:

= ω2+

ω2= ω2+

其中,有CCRC=imag(Y-jωCsg)

3 模型驗證

在模型構(gòu)建完成后,需要模型的準(zhǔn)確性以及參數(shù)提取算法的可靠性進行檢驗。本文采用了TSMC 90 nm CMOS混合射頻工藝來對進行CPW建模,選擇安捷倫公司生產(chǎn)的網(wǎng)絡(luò)分析儀(E8363,工作頻率在0.1~67 GHz)進行測量作業(yè),結(jié)合Mangan雙線去嵌法做好去嵌處理。在CPW模型中,兩條信號線的長度分別為100 μm和400 μm,寬度為5 μm,信號線與接地線之間的間隙同樣為5 μm。

結(jié)合第二部分提出的參數(shù)提取方法進行參數(shù)提取,得到的結(jié)果如表1所示。

將模型參數(shù)值與實際測量數(shù)據(jù)進行對比,可以得出結(jié)果是,受不穩(wěn)定的高頻測試環(huán)境的影響,當(dāng)頻率超過40GHz時,S11存在較大的擾動。不過從整體上分析,在0~60 GHz的頻率范圍內(nèi),模型仿真結(jié)果與實際測量數(shù)據(jù)基本一致,也表明了本文提出的模型和參數(shù)提取算法具備良好的可行性和可靠性[3]。

4 結(jié) 語

總而言之,在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的帶動下,毫米波電路得到了越來越廣泛的應(yīng)用,對于無源器件的性能需求也越來越高。傳輸線路是其中最為基本的無源器件,也是對其他無源器件進行研究的基礎(chǔ),應(yīng)該得到足夠的重視。本文將CPW作為研究對象,構(gòu)建了相應(yīng)的電路模型并且對其有效性進行了驗證,希望能夠為相關(guān)研究工作提供一些參考。

主要參考文獻(xiàn)

[1]吳國峰.孫玲玲,文進才,等.一種0.18 μm CMOS毫米波帶通濾波器的設(shè)計[J].微電子學(xué),2011,41(3):367-371.

[2]洪阿灌,王翔,劉軍.基于90 nm CMOS毫米波共面波導(dǎo)建模[J].杭州電子科技大學(xué)學(xué)報,2016,36(4):1-4.

[3]傅飛.毫米波共面波導(dǎo)建模技術(shù)研究[D].杭州:杭州電子科技大學(xué),2015.endprint

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