極紫外光刻（Extreme Ultr

aviolet Lithography），常稱作EUV光刻，它以波長(zhǎng)為10～14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長(zhǎng)為13.4nm的軟x射線。極紫外線就是指需要通過(guò)通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。

光刻技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)上一個(gè)最大的瓶頸?，F(xiàn)cpu使用的45nm、32nm工藝都是由193nm液浸式光刻系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，但是因受到波長(zhǎng)的影響還在這個(gè)技術(shù)上有所突破是十分困難的，但是如采用EUV光刻技術(shù)就會(huì)很好地解決此問(wèn)題，很可能會(huì)使該領(lǐng)域帶來(lái)一次飛躍。

但是涉及到生產(chǎn)成本問(wèn)題，由于193納米光刻是目前能力最強(qiáng)且最成熟的技術(shù)，能夠滿足精確度和成本要求，所以其工藝的延伸性非常強(qiáng)，很難被取代。因而在2011年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC2011）上也提到，在光刻技術(shù)方面，22/20nm節(jié)點(diǎn)主要幾家芯片廠商也將繼續(xù)使用基于193nm液浸式光刻系統(tǒng)的雙重成像（double patterning）

技術(shù)。endprint