闞志國，周衛(wèi)宏

（華越微電子有限公司，紹興312000）

1 引 言

在Bipolar IC中，由于發(fā)射區(qū)注入工藝具有結(jié)深易控、橫向擴(kuò)散小的特點(diǎn)，往往被應(yīng)用在特征尺寸小或淺結(jié)工藝的產(chǎn)品中。這類工藝熱氧化擴(kuò)散后生長的氧化膜厚度較薄，通常需要再淀積一層氧化膜作為金屬布線下方的隔離介質(zhì)。

華越生產(chǎn)線主要以中溫LPCVD SiO2（以下簡稱LP-SiO2）作為金屬布線下方的疊加介質(zhì)層，由于這種工藝的LPCVD爐管溫度梯度大，導(dǎo)致發(fā)射區(qū)結(jié)深波動(dòng)大，使得部分產(chǎn)品表現(xiàn)出片間放大倍數(shù)（β值）波動(dòng)大。經(jīng)分析論證，使用相比此工藝的爐管溫度低、梯度小的低壓熱解TEOS（正硅酸乙酯）工藝方法淀積SiO2(以下簡稱TEOS)，可以有效減小放大倍數(shù)（β值）的波動(dòng)性。此替代工藝實(shí)施后，產(chǎn)品放大倍數(shù)（β值）改善明顯。但是隨著后續(xù)產(chǎn)品種類增加，批量生產(chǎn)過程中陸續(xù)出現(xiàn)接觸電阻不穩(wěn)定的問題。問題嚴(yán)重的，表現(xiàn)出工藝監(jiān)測數(shù)據(jù)接觸特性open，直接影響產(chǎn)品及加工的穩(wěn)定性，增加上機(jī)失效的風(fēng)險(xiǎn)。

2 現(xiàn)象及原因分析

此種接觸電阻的不穩(wěn)定性問題，隨著應(yīng)用TEOS不同產(chǎn)品的上量，表現(xiàn)的越來越突出。同一工藝平臺(tái)生產(chǎn)的產(chǎn)品有好有壞，統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)特征尺寸越小的產(chǎn)品，接觸電阻異?，F(xiàn)象表現(xiàn)的越嚴(yán)重，嚴(yán)重異常出現(xiàn)時(shí)的工藝監(jiān)控測試接觸電阻曲線如圖1，即使將測試電壓加至300V左右仍顯示電阻值無窮大。

圖1 N型接觸電阻異常曲線

由測試數(shù)據(jù)和曲線看，極大可能是金屬與孔間的歐姆接觸[1]出了問題，而根據(jù)理論和實(shí)踐分析，影響此類問題主要涉及幾種情況：

1）在干法刻蝕時(shí)，反應(yīng)生成的有機(jī)聚合物難以去除，導(dǎo)致其殘存在孔內(nèi)形成高阻夾層；

2）有較厚的SiO2殘留在接觸孔內(nèi)，從而接觸電阻顯著增加；

3）刻蝕孔的臺(tái)階形貌不良[2]，使得濺射金屬層未與孔形成有效接觸。

3 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與結(jié)果

為了找到TEOS引起接觸電阻波動(dòng)的真正原因，進(jìn)而有針對(duì)性的解決問題。根據(jù)上述分析結(jié)果，將“孔內(nèi)存在難去除生成物”、“孔內(nèi)氧化層殘留”及“孔形貌影響金屬覆蓋性”三種影響因素作為重點(diǎn)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)比對(duì)分析。

3.1 孔內(nèi)難去除生成物分析

由于采用LP-SiO2介質(zhì)層時(shí)無此類問題，主要對(duì)TEOS與LP-SiO2的生長產(chǎn)物對(duì)比分析，此兩種膜質(zhì)的生長淀積標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)式[3]如下：

以上反應(yīng)生成物都屬于易刻蝕、易揮發(fā)的物質(zhì)，未生成難以去除的有機(jī)聚合物。再對(duì)兩種膜質(zhì)進(jìn)行模擬淀積，并在刻蝕后對(duì)接觸孔進(jìn)行染色觀察，孔內(nèi)顏色一致。因此，首先排除TEOS工藝孔內(nèi)存在難刻蝕生成物。

3.2 孔內(nèi)氧化層殘留分析

如果孔內(nèi)有氧化層殘留，那么可能的原因有兩個(gè)：其一，刻蝕時(shí)間不充分，即過刻量不足；其二，殘留光刻膠底膜，阻擋有效刻蝕。

TEOS工藝孔刻蝕的標(biāo)準(zhǔn)過刻蝕時(shí)間為30%，針對(duì)第一點(diǎn)可能性，進(jìn)行工藝?yán)?yàn)證，設(shè)計(jì)過刻蝕時(shí)間以10%為梯度，逐級(jí)增加至100%，后續(xù)工藝按標(biāo)準(zhǔn)工藝進(jìn)行流水完成，然后進(jìn)行參數(shù)評(píng)測，結(jié)果所有結(jié)果均NG。針對(duì)第二點(diǎn)可能性，首先進(jìn)行帶膠圖形產(chǎn)品顯微鏡鏡檢，在鏡檢無異常發(fā)現(xiàn)的情況下，進(jìn)行光刻膠底膜預(yù)灰拉偏驗(yàn)證[4]。生產(chǎn)線常規(guī)的光刻膠預(yù)灰時(shí)間為2分鐘，設(shè)計(jì)預(yù)灰時(shí)間以1分鐘為梯度，逐級(jí)增加至10分鐘，后續(xù)仍按標(biāo)準(zhǔn)工藝進(jìn)行流水完成并進(jìn)行參數(shù)評(píng)測，結(jié)果仍是均NG。以上實(shí)驗(yàn)說明孔內(nèi)不可能有氧化層殘留。

3.3 孔形貌影響金屬覆蓋性分析

以上兩項(xiàng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明接觸電阻不穩(wěn)定的主要原因可能是孔形貌影響了金屬的覆蓋性。首先，需要明確孔的介質(zhì)層結(jié)構(gòu)和介質(zhì)層的刻蝕特性。接觸孔的介質(zhì)層結(jié)構(gòu)見圖2。

圖2 接觸孔的介質(zhì)層結(jié)構(gòu)示意圖

由圖2可知，表層是一薄層Si3N4（此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)用Si3N4做電容，而且不需要Si3N4反刻），中間是最厚的TEOS，最下層是極薄的SiO2。由于出現(xiàn)接觸電阻的穩(wěn)定性問題是由TEOS替代LP-SiO2所引起，因此，重點(diǎn)對(duì)TEOS與LP-SiO2的干刻和濕刻特性進(jìn)行比對(duì)分析。制備樣片，進(jìn)行相同條件實(shí)驗(yàn),記錄兩者干刻和濕刻的速率，對(duì)比結(jié)果見圖3。

圖3數(shù)據(jù)顯示TEOS和LP-SiO2的干法刻蝕速率很接近。但是TEOS的濕法腐蝕速率特別快，同一腐蝕液中速率是LP-SiO2的2.8倍[5]，這就意味著其橫向腐蝕量較大。

按照傳統(tǒng)工藝，對(duì)于用Si3N4做電容的產(chǎn)品，孔刻蝕的工藝為干法主刻+濕法后處理。這里的濕法，通常為在BOE(緩沖氧化硅腐蝕液)中腐蝕30秒。由于在干法中介質(zhì)層已刻蝕干凈，濕法屬于一個(gè)過刻的后處理過程。

圖3 TEOS和LP-SiO2的干法和濕法刻蝕速率

而BOE對(duì)Si3N4是無腐蝕性的，這樣一來很可能使得Si3N4下面橫向被切入，影響孔的臺(tái)階形貌，導(dǎo)致金屬的覆蓋性差。但是，濕法后處理畢竟時(shí)間很短，實(shí)際會(huì)有多大的影響呢？

于是，按標(biāo)準(zhǔn)工藝設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行仿真模擬加工，同時(shí)針對(duì)較小的2μm×2μm的接觸孔做掃描電鏡（SEM）來分析斷面的形貌，如圖4和圖5。

圖4 2μm×2μm的接觸孔縱向剖面

圖5 2μm×2μm的接觸孔局部放大剖面

由圖5放大剖面觀察，孔內(nèi)無異物而且硅也存在一定的過刻量，證明了經(jīng)分析后得出的接觸電阻不穩(wěn)定并不是孔內(nèi)有難刻蝕的生成物，也不是孔內(nèi)有氧化層殘留的結(jié)論是正確的。

同時(shí)，圖片中發(fā)現(xiàn)窗口處金屬Al有明顯裂縫，嚴(yán)重影響接觸特性。原因就是：BOE對(duì)TEOS的濕法腐蝕速率甚大[6]，而對(duì)Si3N4基本無腐蝕性，使得TEOS橫向腐蝕較深，留下了一段明顯的Si3N4“翹板”[7]，正是這段氮化硅，造成了在金屬Al濺射時(shí)形成覆蓋死角，甚至留下斷裂縫隙。

綜合以上的實(shí)驗(yàn)分析，知道了TEOS替代LP-SiO2導(dǎo)致接觸電阻不穩(wěn)定的根本原因。同時(shí)由于BOE的速率是在一定的區(qū)間內(nèi)波動(dòng)的，所以“底切”[8]的量也會(huì)隨之相應(yīng)波動(dòng)，而且特征尺寸越小的產(chǎn)品越敏感，最終導(dǎo)致接觸電阻隨之波動(dòng)，表現(xiàn)出穩(wěn)定性差。

4 解決方案與驗(yàn)證結(jié)果

4.1 解決方案

為解決TEOS的應(yīng)用對(duì)接觸電阻的穩(wěn)定性造成影響的問題，主要需要對(duì)現(xiàn)有接觸孔刻蝕工藝細(xì)節(jié)進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)：

1）在有Si3N4電容工藝時(shí)，BOE對(duì)TEOS接觸孔形貌的影響是致命性的，所以接觸孔的刻蝕過程需要將原工藝的濕法30秒后處理取消。

2）為了保證過刻蝕充分，將干法Over etch 30%提升為Over etch 40%。

3）Al濺射有含HF的前處理工藝，這也相當(dāng)于一步濕法腐蝕的過程，同樣存在風(fēng)險(xiǎn)。原Al前處理時(shí)間為25秒，為了避免出現(xiàn)橫向“底切”現(xiàn)象，將前處理時(shí)間縮減為10秒。

4.2 產(chǎn)品驗(yàn)證及統(tǒng)計(jì)結(jié)果

按解決方案的流程仿真加工，并通過掃描電鏡分析接觸孔的實(shí)際形貌，見圖6。

圖6 改善后的接觸孔剖面

可見，經(jīng)過工藝細(xì)節(jié)優(yōu)化改進(jìn)，接觸孔形貌良好，未出現(xiàn)“底切”現(xiàn)象，Al覆蓋良好。

經(jīng)上述措施改善后，對(duì)應(yīng)用TEOS產(chǎn)品的50個(gè)LOT進(jìn)行接觸電阻測試統(tǒng)計(jì)，具體數(shù)據(jù)見圖7。

圖7 N型和P型接觸電阻數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

產(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)則要求N型接觸電阻1kΩ以下，P型接觸電阻12kΩ以下。圖7顯示，RPCON、RNCON接觸電阻參數(shù)完全在規(guī)格值內(nèi)，而且非常穩(wěn)定，滿足產(chǎn)品要求。同時(shí)實(shí)測的產(chǎn)品成品率亦很高。

5 結(jié)束語

對(duì)于TEOS的應(yīng)用對(duì)接觸電阻出現(xiàn)穩(wěn)定性問題，進(jìn)行了一系列工藝分析論證，結(jié)果表明：對(duì)于TEOS和Si3N4的介質(zhì)層組合（尤其是特征尺寸在2微米及以下的產(chǎn)品），在孔刻蝕工藝加工過程要采取相應(yīng)措施規(guī)避含氫氟酸溶液的濕法處理，同時(shí)要保證足夠的過刻量；在金屬濺射前處理工藝時(shí)，務(wù)必合理控制、縮短前處理時(shí)間，同時(shí)避免前處理返工操作。

以上工藝細(xì)節(jié)的優(yōu)化改進(jìn)與實(shí)施，有效地解決了TEOS應(yīng)用中接觸電阻大阻抗甚至open的不穩(wěn)定性問題。

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