趙曉萍,張士憲,黃偉青
(河北工業(yè)職業(yè)技術學院,河北 石家莊 050000)
低碳鋼,別名軟鋼,含碳量只有0.10%~0.30%,因此具有較好的可塑性和韌性,強度和硬度也都很低,因此易于接受各種加工,如鍛造、焊接、切削等[1]。但恰恰因為這些優(yōu)勢,使其在實際使用過程中受到諸限制,例如會在基體表面極易發(fā)生微孔腐蝕等現(xiàn)象,影響人們正常的生產(chǎn)活動。因此為解決這一問題,綜合國內(nèi)外相關研究資料,研究者們在低碳鋼表面進行電鍍鎳處理,因此在不影響其功能的基礎上,根據(jù)實際情況適當提高低碳鋼的強度。能產(chǎn)生這種效果的主要原因是其在電鍍后,低碳鋼中的碳元素和鎳元素能夠相互固態(tài)擴散,在低碳鋼的表面形成保護膜,防止出現(xiàn)微孔腐蝕現(xiàn)象[2]。本文通過一個固態(tài)擴散實驗,對低碳鋼基體上電鍍鎳元素固態(tài)擴散機理進行研究,以期對類似鋼鐵材料的鍍層處理提供一些借鑒。
先取0.5mm厚、1cm高和1cm寬的低碳鋼材一塊,然后在堿溶液中浸泡10分鐘進行去污處理,取出風干后,再在HCL+5%H2SO4溶液中浸泡5分鐘進行除銹處理,處理結(jié)束后,用蒸餾水進行沖洗,最后在烘箱中烘干。把烘干的低碳鋼塊進行30分鐘電鍍鎳處理。電鍍完成后,再次用蒸餾水進行沖洗,并在烤箱中烘干。以此作為低碳鋼基體上電鍍鎳元素固態(tài)擴散機理實驗的試樣。
在試樣準備工作完成后,開始進行固態(tài)擴散機理觀察實驗。
首先將樣本放到型號為KL-I13的真空退火爐內(nèi),然后對爐內(nèi)的燒結(jié)溫度進行三次調(diào)控,調(diào)控的燒結(jié)溫度分別為700K、750K以及800K,并保溫40h。在熱處理結(jié)束后,讓試樣自然降溫到與室溫相同的溫度。取出爐內(nèi)的試樣后還需要對其進行磨制和拋光處理,然后利用金相顯微鏡對試樣表面的變化情況進行觀察。最后借助TYA-7800掃描電鏡進行背散射觀察和電子探針分析,研究低碳鋼基體上電鍍鎳元素固態(tài)擴散機理,即研究其擴散層的形貌特征和元素分布。
試樣在經(jīng)過熱處理后,在低碳鋼的表面發(fā)生了固態(tài)擴散反應,如圖1所示。
圖1 低碳鋼表面固態(tài)擴散反應
從圖1中可知,經(jīng)過電鍍鎳處理的低碳鋼試樣表面出現(xiàn)了Kirkendall孔,同時金屬間化合物脆性大,再加上在冷卻處理時,溫度驟降,因此在低碳鋼基體試樣上明顯出現(xiàn)了裂紋。低碳鋼基體表面機理反應觀察結(jié)束后,利用TYA-7800掃描電鏡對反應區(qū)內(nèi)的成分進行分析,結(jié)果如表1所示。
表1 反應區(qū)成分分析結(jié)果
從圖1和表1可知,隨著燒結(jié)溫度的升高,低碳鋼基體表面的固態(tài)擴散層開始出現(xiàn)凹凸不平的狀態(tài),并且越加明顯,固態(tài)擴散層也由貝殼狀轉(zhuǎn)變?yōu)闃淙~狀。產(chǎn)生這種現(xiàn)象的主要原因是鎳原子沿著碳晶界發(fā)生了短路擴散現(xiàn)象。溫度升的越高,固態(tài)擴散界面擴散的越快,其厚度也就越厚。下圖2為借助TYA-7800掃描電鏡觀察到的背散射圖像。從圖中可以看出碳元素和鎳元素形成的擴散層可以與三相相交的區(qū)域內(nèi)匯合,使原交點消失。圖中的區(qū)域1和區(qū)域2之間形成了一層模糊界面。利用電子探針對其進行了分析,其分析結(jié)果如表2所示。
圖2 背散射圖像
表2 模糊界面的能譜分析數(shù)據(jù)
由表2可知,鎳元素易于與碳元素發(fā)生固態(tài)擴散反應。隨著實驗中鎳元素擴散程度的增加,其穩(wěn)定性也相應受到了一定的影響,其熱負值也在逐漸降低,這說明固態(tài)擴散機理變化過程雖然很慢,但是具有很明顯的效果,當達到一定程度時,就可以在低碳鋼表面形成一層保護膜,對低碳鋼形成保護。
綜上所述,隨著經(jīng)濟的發(fā)展,社會各領域不斷發(fā)展,建筑鋼材在社會主義社會建設中發(fā)揮了重要作用,低碳鋼是其中重要的建筑材料之一,因可塑性強被廣泛應用。但是在實際工作過程中,隨著社會的發(fā)展,逐漸受到限制。因此為解決這一問題,對低碳鋼基體進行電鍍鎳處理,使其雙方出現(xiàn)固態(tài)擴散反應。為加強低碳鋼的使用,文章通過實驗對其固態(tài)擴散機理進行了研究,研究結(jié)果表明固態(tài)擴散有利于對低碳鋼形成保護作用,對低碳鋼的廣泛使用具有重要意義。
[1]邱萬奇,熊成,賈磊,等.電鍍鎳及擴散預處理提高滲硼層韌性[J].中國表面工程,2017,30(2):79-84.
[2]宿世超,王濤,韓宇哲,等.熱絲CVD法沉積固態(tài)擴散源制備晶硅太陽電池p~+/n~+發(fā)射極研究[J].人工晶體學報,2016,45(11):2591-2595.