寧南山

即使最強大的華為，到2013年發(fā)布了P6，才算是第一部真正賣出影響力的智能手機，如今已經(jīng)四年了，全球智能手機銷售額也不到三星的30%，比蘋果差的更遠。所以，中國要在存儲領域追上世界最先進水平，不能指望短時間內(nèi)做到，要做好五年、十年的長期競爭準備。

存儲器不僅是我國進口集成電路的大頭，而且在全球半導體市場占有舉足輕重的地位。以2016年為例，全球半導體的銷售額之和為3389.31億美元，其中集成電路為2766.98億美元，占82%（注意集成電路是半導體的一部分）。單看存儲器的話，市場為780?800億美元左右，占全球半導體市場的23%，是僅次于邏輯電路的第二大產(chǎn)品。

在存儲器這個領域，韓國人是毫無疑問的全球霸主，在DRAM領域（即手機里的1G、2G、4G……內(nèi)存），韓國擁有壓倒性優(yōu)勢，三星+海力士占了全球份額80%；在NAND FLASH領域（即，手機里的32G、64G、128G……內(nèi)存），三星+海力士也占了全球份額50%?60%。韓國的三星和海力士，也憑借著在存儲器領域的出色表現(xiàn)，成功把韓國送進了世界半導體強國的行列。

巨頭盤踞，國產(chǎn)品牌生存維艱

以2016年全球半導體20強的營收為例，前20強中美國公司營收總和遙遙領先1197億美元，世界第一；2016年韓國三星+海力士兩家營業(yè)收入為587億美元，僅次于美國位居世界第二；世界第三是我國臺灣，臺積電+聯(lián)發(fā)科+聯(lián)電為423.89億美元；世界第四是歐洲，有三家NXP+英飛凌+ST為243.5億美元。整個歐洲還沒有韓國的一半，是韓國的41.5%。世界第五是日本，索尼+瑞薩+東芝三家加起來是213.74億美元，只有韓國的36.4%。

是否有種出人意料的感覺？單從營收來看，韓國竟然是世界第二半導體強國，比歐洲和日本加起來還要多。實際上，由于存儲器在2017年的瘋狂增長，韓國成為全球半導體領域增長最快的國家。根據(jù)ICinsight 2017年10月的預計，2017年NAND閃存市場強勢增長44%，DRAM市場更是逆天增長74%，兩相加持之下，帶動2017年IC市場將實現(xiàn)強勁增長22%。

也就是說，2017年存儲器占世界半導體的份額不是23%了，而是30%。這直接使得三星和海力士今年大賺特賺。

韓國芯片廠商SK海力士發(fā)布了第三季度財報。報告顯示，SK海力士Q3凈利潤同比增長411%至30560億韓元（約合27億美元）。這個季度凈利潤是華為一年凈利潤的50%，比索尼和松下一年的凈利潤都多。如果海力士繼續(xù)保持這樣的季度凈利潤，也將成為驚人的百億美元利潤公司。

三星2017年第三季度凈利潤更是高達98.7億美元，增長145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司，比全球所有銀行、保險、石油公司都要賺錢。

那么三星的凈利潤和業(yè)績?yōu)槭裁丛鲩L這么快呢？以2017年上半年為例，上半年三星半導體收入293億美元，增長49%；OLED屏幕收入132億美元，增長25%；手機收入453億美元，增長0.4%；家電收入187億美元，下降0.1%。

再看營業(yè)利潤率，半導體43.1%，手機21.5%，屏幕20.1%，家電僅為3.3%?？礌I業(yè)利潤的話，2017年上半年三星半導體營業(yè)利潤126.3億美元，而手機是52億美元，OLED屏幕為26.5億美元，家電為6.2億美元。

半導體已經(jīng)是三星第一大利潤來源，超過了三星電子其他三項主營業(yè)務手機+OLED屏幕+家電之和，三星今年的增長，主要就是靠存儲器，其次是屏幕。

實際上，三星已經(jīng)超過了英特爾，成為世界第一大半導體公司，2016年第一季度，三星半導體對英特爾的收入是93.4億美元和131億美元，到了2017年第二季度，已經(jīng)變成了149億美元對144億美元。三星半導體超越了英特爾。

韓國的人口只占全球的0.7%，在半導體領域，不只是存儲器，如果再算上三星的手機處理器的話，他們拿下了全球半導體市場的20%左右，超過了日本、歐洲和中國，可以說半導體產(chǎn)業(yè)是韓國人20多年前賭對了國運。

不過從另外一個角度來講，如果當年韓國人半導體這條路走錯了，那么今天韓國的人均GDP就不是2.7萬美元了，而是更低，這也是小國家抗風險能力弱的結果。

存儲器主要分為DRAM和FLASH，在2016年，市場容量DARM為大約414億美元，NAND FLASH大約為346億美元，還有個市場份額比較小的NOR Flash（代碼型閃存芯片）市場，2016年市場空間大約33億美元左右。

2017年，DRAM市場將達到720億美元的規(guī)模，DRAM預計將成為2017年半導體行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類別，超出NAND閃存市場（498億美元）222億美元。

中國目前只有在NOR Flash這個小市場有存在感，NOR Flash即代碼型閃存芯片，主要用來存儲代碼及部分數(shù)據(jù)。廣泛應用于PC主板、安防監(jiān)控產(chǎn)品、智能家電產(chǎn)品、汽車等。

夾縫求生，聚焦小市場

根據(jù)Trend force 2017年6月的數(shù)據(jù)，2016年全球市場份額，美國Cypress第一，25%；臺灣旺宏第二，24%；美國美光第三，18%；臺灣華邦第四，17%。在四強之外，就是兆易創(chuàng)新了，市場份額7%，這可以說是國內(nèi)唯一一家自主的存儲器廠商。

當然這個7%只是2016年的平均值，實際上由于兆易創(chuàng)新增速很快，2016年第四季度的份額已經(jīng)超過7%了，而且2017年以來Cypress和美光在中低端領域的不斷退出，現(xiàn)在兆易創(chuàng)新的全球市場份額已經(jīng)超過10%。

兆易創(chuàng)新的技術水平如何呢？最高端NOR Flash產(chǎn)品多由美光、Cypress供應，供應容量為64Mb、128Mb，華邦、旺宏則以NOR Flash中端產(chǎn)品供應為主，多供應16Mb、32Mb、64Mb產(chǎn)品，而兆易創(chuàng)新提供的多為低端產(chǎn)品，32Mb或者16Mb以下居多。事實上，兆易創(chuàng)新已經(jīng)可以提供從512Kb至512Mb的系列產(chǎn)品，涵蓋了NOR Flash的大部分容量類型，但是這和量產(chǎn)到達高良率還是有差距。

目前兆易創(chuàng)新的NOR Flash工藝現(xiàn)已由0.13μm（微米）升級至65nm（納米）實現(xiàn)量產(chǎn)，更先進的45nm產(chǎn)品預計2019年才能實現(xiàn)量產(chǎn)。可以看出，NOR Flash并不需要先進的制程，中芯國際完全就可以搞定。事實上，兆易創(chuàng)新主要就是讓中芯國際提供代工制造服務，目前60%左右的產(chǎn)品都是在中芯國際生產(chǎn)的，另外還有些是在長江存儲旗下的武漢新芯公司生產(chǎn)。

很多人都知道，兆易創(chuàng)新2017年也大幅度的賺錢了，在NOR Flash產(chǎn)品上，為維持產(chǎn)品高毛利、開拓更廣闊的市場，賽普拉斯（Cypress）、美光科技、三星電子等全球閃存芯片巨頭已將產(chǎn)品重點轉入市場容量更大的NAND FLASH和DRAM芯片領域，尤其美光釋放信息希望出售NOR Flash業(yè)務。隨著全球閃存芯片巨頭逐步淡出NOR Flash芯片市場，給兆易創(chuàng)新帶來了非常大的機遇。

兆易創(chuàng)新是一家技術型公司，創(chuàng)始人朱一明是清華的碩士，硅谷海歸，國家千人計劃技術專家，他領導兆易創(chuàng)新開創(chuàng)了中國存儲器產(chǎn)業(yè)的商業(yè)化。

除了NOR Flash以外，兆易創(chuàng)新還做低容量尤其是SLC（single level cell）的NAND FLASH產(chǎn)品，SLC可以理解成一個存儲單元只能存儲一位數(shù)據(jù)，也就是0或者1，產(chǎn)品容量從1Gb至8Gb，這些小容量產(chǎn)品整體市場規(guī)模較小，并不能發(fā)揮國際主要大廠工藝節(jié)點先進的特長，適合兆易創(chuàng)新的發(fā)揮。換句話說就是別人看不上的小市場。

目前主要國際大廠三星，東芝，海力士等都是做MLC（Multilevel cell）和TLC（trinarylevel cell）比較多，分別是一個存儲單元可以存放兩位數(shù)據(jù)和三位數(shù)據(jù)，例如我們手機里面的32GB、64GB、128GB、256GB等等，基本是MLC或者TLC。這樣的好處是成本低，同樣一個存儲單元可以存放更多數(shù)據(jù)，體現(xiàn)就是更大的GB容量。

目前兆易創(chuàng)新NAND FLASH實現(xiàn)38nm工藝技術產(chǎn)品成功量產(chǎn)，24nm產(chǎn)品研發(fā)驗證進度穩(wěn)步進行，加快產(chǎn)品量產(chǎn)并推出更大到32Gb的產(chǎn)品。這個和國際主流的差距是巨大的，三星，海力士等早已進步到14nm。

除了隨著制程工藝的不斷推進，在平面上總會遭遇極限，由于閃存本身的物理特性，當工藝逐漸提高后，物理性能提升并非線性，因為每個存儲單元存儲的數(shù)據(jù)電荷會互相干擾。因此還要朝堆疊的方向發(fā)展，這樣對制程工藝的要求反而沒有那么高。

兆易創(chuàng)新也需要開發(fā)類似于三星的32層，64層堆棧3D NAND FLASH，才能滿足高容量和先進制程的要求，不過短期內(nèi)不要指望兆易創(chuàng)新能做出來，因為連2D NAND FLASH的24nm制程都還沒有量產(chǎn)。國際大廠都是因為2D的制程做到了16nm，14nm，甚至10nm，逐漸遭遇了極限，才轉向3D尋求更高性能和容量。

另外兆易創(chuàng)新還做MCU產(chǎn)品，目前海外大廠瑞薩、NXP、TI、ST等廠商占據(jù)主導地位，但公司在部分細分領域已經(jīng)取得不錯的進展，兆易創(chuàng)新的 MCU產(chǎn)品，主要應用是在物聯(lián)網(wǎng)和車聯(lián)網(wǎng)領域。

實際上，看2016年兆易創(chuàng)新上市時候的資金籌集，NOR Flash研發(fā)和產(chǎn)品改造1.6億元，NAND Flash研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化投入2億元，MCU產(chǎn)品研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化投入1.2億元，另外3280萬元建立研發(fā)中心。這家公司是典型的技術型公司。

2017年前三季度，兆易創(chuàng)新公司實現(xiàn)營業(yè)收入15.17億元，同比增長44.69%；歸屬于上市公司股東的凈利潤3.39億元，同比增長134.74%。預計2017年能夠首次突破20億人民幣，但是仍然是一家只有3億美元的小公司。

強強聯(lián)合，開展技術攻堅

由于兆易創(chuàng)新良好的發(fā)展態(tài)勢，也被合肥的自主化集成電路項目合肥長鑫看上了，合肥長鑫是安徽合肥政府控股的國有公司，成立于2016年6月。在2016年底投資494億元人民幣開始建設DRAM存儲器基地（實際消息在2017年5月才正式公布），預計2018年底開始量產(chǎn)，兩年時間量產(chǎn)，簡直是大躍進。

2017年8月，合肥日報一篇文章寫道：“現(xiàn)在，在合肥經(jīng)開區(qū)，合肥長鑫高端通用存儲晶圓制造項目正在施工，該項目擬建成業(yè)界先輩工藝制程的12英寸存儲器晶圓研發(fā)項目，計劃2017年廠房建成，2018年上半年完成設備安裝和調(diào)試，預計下半年產(chǎn)品研發(fā)成功。”

其技術來源是哪里呢？合肥長鑫核心的經(jīng)營合作伙伴是合肥睿力集成公司，這家公司的法人是王寧國，是大名鼎鼎的全球第一大半導體生產(chǎn)設備公司美國應用材料公司的前全球執(zhí)行副總裁，應用材料公司還有一個中國人尹志堯，也曾經(jīng)做到副總裁的位子，他后來回國創(chuàng)建了現(xiàn)在國內(nèi)最好的半導體設備制造企業(yè)中微半導體。王寧國也是前中芯國際的CEO，在2011年的那場中芯國際控制權爭奪戰(zhàn)中，他離開了中芯。

所以合肥市政府是依靠王寧國的睿力集成公司來組建集成電路發(fā)展平臺，大舉挖角海力士，爾必達，華亞科等的員工組成研發(fā)隊伍，華亞科前資深副總劉大維也成為了合肥長鑫的員工。

除了以王寧國主導開展公司經(jīng)營和發(fā)展以外，合肥政府還找來了兆易創(chuàng)新作為合作伙伴，實際上在合肥長鑫剛剛成立的2016年，兆易創(chuàng)新在全國的高校，展開一連串招募活動的時候，在招募簡章上就揭示了兆易創(chuàng)新與合肥的共建項目，要打造集設計、制造、加工于一體的芯片公司，項目共三期計劃，第一期規(guī)劃興建一座12寸晶圓廠，落戶合肥空港經(jīng)濟示范區(qū)，估計2017年7月動工，而目前團隊逾50位員工，到2017年估計要達千人規(guī)模、2018年上看2千人，這個項目實際上就是合肥長鑫DRAM項目。

經(jīng)過一年多的籌備，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投（合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團）有限公，唯一股東及實際控制人為合肥市人民政府國有資產(chǎn)監(jiān)督管理委員會）于2017年10月26日簽署了《關于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》，約定雙方合作開展工藝制程19nm 12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發(fā)項目，預算約為180億元人民幣。項目目標在2018年12月31日前研發(fā)成功，實現(xiàn)產(chǎn)品良率不低于10%。

2018年12月31日離現(xiàn)在也就是一年多一點，如果順利完成的話，那么合肥長鑫將成為中國第一家自主化大規(guī)模DRAM工廠，領先長江存儲。雖然到時候良率只有10%，但是也將是突破性的進步。

為什么是突破性的呢，因為將是世界第四家突破20nm以下DRAM生產(chǎn)技術的公司，按照目前規(guī)劃的產(chǎn)能（月產(chǎn)12.5萬片晶圓）來看，如果全部順利實現(xiàn)，雖然到時候仍然比不上三星和海力士，但是可以和美光比較下，也在全球第四位。

但現(xiàn)在的疑問是，兆易創(chuàng)新這么多年雖然一直在搞自主研發(fā)，但是只有NOR Flash， SLC NAND FLASH和MCU的量產(chǎn)經(jīng)驗，缺乏DRAM領域的量產(chǎn)技術，另外王寧國雖然是產(chǎn)業(yè)大牛，但是他從多家廠家挖角技術人員過來，那么誰才是核心技術主導？這些都不得而知，但是合肥長鑫以兆易創(chuàng)新+睿力集成的形式開展DRAM試產(chǎn)技術攻關，讓人拭目以待結果。

前景不明，自主研發(fā)多磨難

在存儲器領域，除了已經(jīng)有了多年自主化經(jīng)驗兆易創(chuàng)新以外，就是國家隊長江存儲公司了。說長江存儲，還得從武漢新芯說起。武漢新芯是武漢的集成電路制造企業(yè)，成立于2006年。

這家企業(yè)成立還是政府背景，是湖北省和武漢市下決心進軍集成電路制造領域的產(chǎn)物，但是湖北省和武漢市政府并沒有管理集成電路制造工廠的經(jīng)驗和技術，所以最開始采取的對策是交給中芯國際來管理，但是中芯國際在當時，本身也處在艱難發(fā)展之中，尤其是技術上被臺積電訴訟侵權，實際上無暇顧及武漢新芯的發(fā)展。

武漢新芯成立之初本來是想做DRAM，沒錯，中國早在11年前就開始試圖進軍DRAM領域了，但是成立之初就遇到了DRAM的價格低谷周期，不得不放棄DRAM的生產(chǎn)，民族工業(yè)的發(fā)展總是會遇到困難。

武漢新芯2008年9月開始為美國Spansion（飛索半導體）生產(chǎn)NAND FLASH閃存，那個時候武漢新芯的技術水平還在65nm這個階段。然而好景不長，飛索半導體遭遇經(jīng)濟危機之后業(yè)績一路下滑，到2010年武漢新芯訂單數(shù)量急劇下降。不得不尋求出售，臺灣臺積電，美國美光，豪威都成為潛在的合資對象，

但是由于國內(nèi)業(yè)界的呼吁，以及武漢市政府堅持自主的原則，最終放棄了合資計劃。這個時候武漢新芯已經(jīng)成立四年了，可見中國集成電路制造企業(yè)的艱難。

當然合資未果也帶來了一些機會，那就是美國豪威的圖像傳感器（豪威，索尼和三星是手機攝像頭的圖像傳感器芯片的高端三巨頭）開始找武漢新芯生產(chǎn)制造，但是新芯公司仍然處于艱難地步。

2011年，在武漢政府安排下，中芯國際最終作為武漢新芯的合資對象，中芯國際投資10億美元，把新芯變成中芯國際的控股子公司，但是中芯國際2011年的營收只有13.2億美元，比上一年大幅下滑15.14%，凈利潤為大幅虧損2.47億美元，比上一年大幅下滑19.8倍。

因此合理估計，中芯國際的10億美元注資計劃實際上最后沒有完成，2013年中芯國際退出了武漢新芯業(yè)務。武漢新芯2013年之后導入了兆易創(chuàng)新的NOR Flash業(yè)務，為兆易創(chuàng)新提供制造服務，兩家國產(chǎn)設計和制造公司終于聯(lián)合起來了。事實上，2017年以來兆易創(chuàng)新的業(yè)績飆升，也帶動了武漢新芯的收入上漲，遺憾的是由于2017年上游的12英寸硅片被日本公司卡脖子，導致武漢新芯拿不到硅片產(chǎn)能，所以找中芯國際簽協(xié)議買硅片，當然實際上中芯國際也是找日本人買，曲線救國而已。

武漢新芯的命運轉機還是來自于2014年11月成立的國家集成電路大基金，這個基金推動中國先進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2016年3月武漢新芯宣布，將投資240億美元在武漢打造一個世界級的半導體存儲企業(yè)，集中精力研究生產(chǎn)NAND FLASH和DRAM。

分三個階段部署，第一家工廠專注NAND閃存生產(chǎn)，第二家工廠專注DRAM芯片生產(chǎn)，第三個階段的設施將專為供應商服務。

注意，第一家工廠是做NAND FLASH的，也就是長江存儲是優(yōu)先量產(chǎn)NAND FLASH產(chǎn)品。由于一直和飛索半導體（Spansion）合作制造NAND FLASH產(chǎn)品，所以武漢新芯還是選擇和Spansion合作研發(fā)新一代的32層3D NAND FLASH。

240億美元，武漢新芯哪里來這么多錢呢？背后是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、國開發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團有限公司共同出資作為股東。

四個月之后的2016年7月，在國家大基金的推動下，紫光集團參與進來，共同在武漢新芯公司的基礎上成立了長江存儲公司，武漢新芯成為長江存儲的全資子公司，長江存儲由紫光集團控股子公司紫光國芯，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)和湖北省科技投資集團有限公司共同出資。其中紫光國芯出資197億元人民幣，占51.04%，從而對長江存儲形成控股。

湖北和武漢政府多年對武漢新芯的堅持，讓中國的存儲器制造有了發(fā)展的基礎，或者說是火種。

合作研發(fā)，邁出產(chǎn)業(yè)化關鍵步

2017年1月，紫光集團進一步宣布投資300億美元（約2000億人民幣），在江蘇南京投資建設半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產(chǎn)能10萬片，主要生產(chǎn)3D NAND FLASH（閃存）、DRAM存儲芯片。

武漢工廠 240億美元+南京工廠 300億美元，光是長江存儲項目，中國就砸了540億美元，那么長江存儲的前景如何？

首先武漢新芯公司之前一直在為美國飛索半導體生產(chǎn)NANDFLASH，同時目前也是兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品的供應商，因此是有制造經(jīng)驗的。

長江存儲面臨的是和中芯國際一樣的問題，就是先進技術決定著未來。

長江存儲自身的技術實力肯定是不足的，為了獲取技術，長江存儲的前身武漢新芯就是在和飛索半導體進行聯(lián)合研發(fā)NAND FLASH，要知道飛索半導體現(xiàn)在已經(jīng)被美國Cypress公司收購，這是全球NOR FLASH領域的領頭公司。

但是不管是飛索半導體，還是Cypress，都不是NAND FLASH領域的先進廠家，這個市場是被三星，海力士，美光，東芝四巨頭把持的。

所以飛索半導體自身的NAND FLASH技術實力，也是無法和國際四大廠相比的。

長江存儲也深知飛索半導體的技術實力也是不夠的，為了推動技術研發(fā)的進步，長江存儲除了和飛索半導體合作，主要是找來了國家隊的中科院微電子研究所搞共同研發(fā)，事實上，從中科院的網(wǎng)站上也可以看出，他們深度的和長江存儲一起研發(fā)新工藝。

2017年2月，中科院微電子所的網(wǎng)頁上發(fā)布了這樣一條消息，國產(chǎn)32層3D NAND FLASH芯片取得突破性進展，通過電學特性等各項測試。

新聞中明確的提到“該款存儲器芯片由長江存儲與微電子所三維存儲器研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)，在微電子所三維存儲器研發(fā)中心主任、長江存儲NAND技術研發(fā)部項目資深技術總監(jiān)霍宗亮的帶領下，成功實現(xiàn)了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出具有標志性意義的關鍵一步”。

很有意思，中科院微電子所的主任同時兼任長江存儲的技術總監(jiān)。

除了兩個外部力量，美國飛索半導體和中科院微電子所合作以外，長江存儲也在加強自己的研發(fā)力量，挖來了晨星創(chuàng)辦人和前總經(jīng)理，技術大牛楊偉毅出任長江存儲公司CTO，晨星當年在臺灣和聯(lián)發(fā)科是芯片領域的大小M（英文名字都以M開頭），只不過后來晨星被聯(lián)發(fā)科收購了。

同時紫光還延攬了臺灣第二大晶圓代工廠聯(lián)電前CEO孫世偉，擔任全球執(zhí)行副總裁一職。不過孫世偉主要負責紫光在成都的12寸晶圓廠業(yè)務，并非是負責存儲芯片。楊偉毅和孫世偉這兩位都是臺灣半導體業(yè)界鼎鼎有名的大佬級人物，

紫光集團還有另一位全球執(zhí)行副總裁高啟全，他是紫光集團董事長趙偉國2015年10月親自從臺灣挖過來的重量級人物，高啟全是臺灣NOR Flash公司旺宏的創(chuàng)始人，同時也是臺灣第一，世界第四大DRAM公司南亞科的總經(jīng)理。同時還是南亞科和英飛凌的合資公司華亞科的董事長（華亞科目前已經(jīng)被美國美光并購），是臺灣半導體產(chǎn)業(yè)的重量級人物。目前高啟全在長江存儲擔任的是執(zhí)行董事長的角色，同時也從臺灣帶來了一些有經(jīng)驗的工程師。

市場多變，抗韓之路漫漫

高啟全在2017年接受記者采訪時表示，3D NAND和DRAM技術絕對在大陸自主開發(fā)，技術不成熟時不會冒然投產(chǎn)，另外除了3D NAND閃存之外，還組建了500人的研發(fā)團隊，其中大約50人來自臺灣，攻關DRAM內(nèi)存制造技術。

目前長江存儲的重心放在3D NAND FLASH的開發(fā)上面，同時也在推進20/18nm的DRAM開發(fā)。NAND Flash肯定是長江存儲最先量產(chǎn)的產(chǎn)品，因為傳統(tǒng)2D轉3D NAND技術后，半導體機臺設備幾乎都要換新，所以這時候投入是對的，每一個存儲器陣營都站在同一個出發(fā)點。

而DRAM技術，每轉進新一代制程技術僅增加20%的半導體機臺設備，意思是，既存的半導體大廠的多數(shù)機臺設備都已經(jīng)折舊光了，新加入DRAM技術的人去買新設備來生產(chǎn)，成本非常貴，競爭力會很差。

20/18nm工藝的DRAM—如果是真的，那么這個技術水平確實很先進了，雖然三星2015年前就量產(chǎn)20nm工藝了，不過美光、SK Hynix公司都在2017年才會完成制程轉換到20nm，而18nm目前就只有三星一家大規(guī)模量產(chǎn)，其他兩家還在準備中。

而合肥長鑫的19nm，最快也要到2018年底才能達到10%的良率，按照長江存儲的說法，DRAM進度慢于NAND FLASH，那么DRAM量產(chǎn)最快也就是在2020年，差距還是有三年。

長江存儲現(xiàn)在的進度，根據(jù)長江存儲CEO楊士寧介紹，2017年底將提供32層樣片，繼續(xù)向64層3D NAND發(fā)展，樂觀估計2019年量產(chǎn)64層技術。

目前韓國三星已經(jīng)在2017年量產(chǎn)64層 NAND，可以看出中國和韓國的技術差距在2年，2年看似很短，其實在競爭激烈瞬息萬變的市場，已經(jīng)是極大的差距了?？鬼n將是長期的進程。

總結一下，2016年是中國存儲器產(chǎn)業(yè)大發(fā)展的元年，長江存儲和合肥長鑫公司都是在這一年成立，按照計劃，合肥長鑫是2018年底開始DRAM試產(chǎn)，2019年規(guī)模量產(chǎn)；長江存儲是在2019年開始64層 3D NAND FLASH 規(guī)模量產(chǎn)，DRAM的進度慢于NAND FLASH，那么就是2020年。

也就是說，大約2年后的2019年就是最關鍵的年份，中國存儲器量產(chǎn)與否就看那個時候了，事實上就算一切順利，到時候的量產(chǎn)的良率也還達不到國際水平，在技術上也落后主流兩三年，所以在市場上不可能用于高端的旗艦機型。

2019年會解決有無的問題，也就是在2019年才開始上場比賽，要想真正的實現(xiàn)超越，還早的很，即使最強大的華為，到2013年發(fā)布了P6，才算是第一部真正賣出影響力的華為品牌智能手機，到今天已經(jīng)四年了，全球智能手機銷售額也不到三星的30%，比蘋果差的更遠。

所以，中國要在這個領域追上世界最先進水平，不能指望短時間內(nèi)做到，要做好五年、十年的長期競爭準備。