王永

事實(shí)上，隨著5G、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等智能終端技術(shù)的不斷成熟衍生了大量的數(shù)據(jù)，然而這些數(shù)據(jù)只有4%會(huì)真正被存儲(chǔ)到云端，而96%的都將繼續(xù)留在終端本身，此時(shí)終端存儲(chǔ)的重要性凸顯出來(lái)。

因?yàn)樽鳛榭焖贁?shù)據(jù)，需要很多感應(yīng)器以及實(shí)時(shí)處理，如果都在終端發(fā)生的話，那么對(duì)終端的存儲(chǔ)需求就會(huì)更為嚴(yán)苛，所以根據(jù)市場(chǎng)的需求，西部數(shù)據(jù)做出了自己的戰(zhàn)略布局。

終端市場(chǎng)的蓬勃，刺激存儲(chǔ)需求

2017年的終端市場(chǎng)尤其是手機(jī)為主，更多是屬于價(jià)格戰(zhàn)、渠道、品牌驅(qū)動(dòng)的時(shí)期，與此同時(shí)人們對(duì)于手機(jī)的需求也是急劇上升。

數(shù)據(jù)顯示，雖然亞太地區(qū)子智能手機(jī)用戶比例增長(zhǎng)不高，但是基于其龐大的互聯(lián)網(wǎng)用戶基礎(chǔ)，整體的規(guī)模還是非常大的。值得一提的是，中國(guó)市場(chǎng)占到將近1/3，對(duì)于各個(gè)廠商是非常重要的市場(chǎng)。

另一方面，隨著5G的到來(lái)以及移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的發(fā)展，手機(jī)廠商首先需要解決的問(wèn)題則是APP為用戶帶來(lái)的存儲(chǔ)壓力以及高質(zhì)量的數(shù)據(jù)處理性能。

以視頻來(lái)講，從2012年到2017年用手機(jī)看視頻的人從30%增長(zhǎng)到70%，而伴隨用戶增長(zhǎng)的還包括用戶體驗(yàn)需求的增加，比如說(shuō)畫(huà)質(zhì)、以及其它個(gè)性化需求。然而畫(huà)質(zhì)的提升就意味著視頻自身體量也在增大，這是存儲(chǔ)增長(zhǎng)的趨勢(shì)。

總體來(lái)講，隨著5G走向應(yīng)用、手機(jī)App體積的增大、AI的引入、手機(jī)系統(tǒng)的臃腫、對(duì)于高清視頻的下載需求等等，都在無(wú)形中對(duì)手機(jī)的儲(chǔ)存提出了更高的要求。

垂直整合，提升業(yè)務(wù)能力

從整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)反饋來(lái)看，NAND都保持著增長(zhǎng)的狀態(tài)。數(shù)據(jù)顯示，行業(yè)內(nèi)前20名廠商的增長(zhǎng)率達(dá)到42%，存儲(chǔ)需求量大，增長(zhǎng)速度快成為行業(yè)的常態(tài)。

為滿足市場(chǎng)存儲(chǔ)的需求，NAND將會(huì)從兩個(gè)方向進(jìn)行轉(zhuǎn)型：首先是從2D向3D NAND發(fā)展，因?yàn)?D NAND可以承載更多的容量存儲(chǔ)，在2018年3D NAND市場(chǎng)占全球市場(chǎng)比例將近一半；第二個(gè)就是TLC也會(huì)拓展到一些終端市場(chǎng)。

“從NAND的發(fā)展過(guò)程來(lái)看，層數(shù)越多越好，”西部數(shù)據(jù)嵌入式及集成解決方案（EIS）產(chǎn)品市場(chǎng)管理總監(jiān)包繼紅在接受筆者采訪時(shí)說(shuō)到，西部數(shù)據(jù)擁有足夠的技術(shù)水平用于支持其垂直整合以及專注產(chǎn)品的性能，所以借助西部數(shù)據(jù)的64層3D NAND技術(shù)和先進(jìn)的UFS與e.MMC接口技術(shù)，推出了全新先進(jìn)的iNAND嵌入式閃存盤，為用戶提供卓越的數(shù)據(jù)性能和高容量存儲(chǔ)。

iNAND 7550嵌入式閃存盤適用于靈敏的高容量主流智能手機(jī)，可以幫助移動(dòng)設(shè)備制造商打造存儲(chǔ)空間充足且具有高性價(jià)比的智能手機(jī)和計(jì)算設(shè)備，以滿足消費(fèi)者不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。更為重要的是它可提供高達(dá)260 MB/秒的順序?qū)懭胄阅芤约?0K IOPS和15K IOPS的隨機(jī)讀/寫(xiě)性能，有助于同時(shí)加快自身和應(yīng)用啟動(dòng)的速度，為用戶提供快速且具吸引力的應(yīng)用體驗(yàn)。

除此之外，西部數(shù)據(jù)還發(fā)布了一款iNAND 8521嵌入式閃存盤，專為需要使用大量數(shù)據(jù)的用戶設(shè)計(jì)，iNAND 8521采用了UFS 2.1接口和西部數(shù)據(jù)第五代SmartSLC技術(shù)，相比于上一代iNAND 7232嵌入式閃存盤，iNAND 8521的寫(xiě)入速度可達(dá)500MB/秒，并提供了高達(dá)10倍的隨機(jī)寫(xiě)入速度。

通過(guò)快速并智能響應(yīng)用戶的應(yīng)用性能需求，它使用戶能夠快速玩轉(zhuǎn)虛擬現(xiàn)實(shí)游戲，并且快速下載高清電影。此外，當(dāng)服務(wù)提供商向5G網(wǎng)絡(luò)演進(jìn)時(shí)，iNAND 8521嵌入式閃存盤卓越的數(shù)據(jù)傳輸速度還將允許移動(dòng)用戶利用更快的Wi-Fi和網(wǎng)絡(luò)增強(qiáng)功能。

寫(xiě)在最后

在此之前，人們對(duì)于西部數(shù)據(jù)的認(rèn)識(shí)更多的是硬盤公司，但是經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，西部數(shù)據(jù)也已成長(zhǎng)為擁有14000個(gè)專利，在PC端和移動(dòng)端都有自己的產(chǎn)品鋪設(shè)的高科技公司。

在包繼紅看來(lái)，西部數(shù)據(jù)的成功數(shù)離不開(kāi)據(jù)垂直整合的業(yè)務(wù)模式，使其一直在保持對(duì)于產(chǎn)品創(chuàng)新的專注度，畢竟作為科技公司，產(chǎn)品才是根本。

對(duì)于西部數(shù)據(jù)未來(lái)閃存的規(guī)劃，包繼紅認(rèn)為目前3D NAND剛起步，而且3D閃存的投資肯定是會(huì)繼續(xù)的，64層、96層會(huì)變得越來(lái)越高。而且可以肯定的是，3D NAND的層數(shù)會(huì)接著增長(zhǎng)，投資肯定會(huì)繼續(xù)的，其它廠商也是如此。