中國科學(xué)院金屬研究所先進炭材料研究部孫東明團隊與劉暢團隊合作，提出了一種連續(xù)合成、沉積和轉(zhuǎn)移單壁碳納米管薄膜的技術(shù)，實現(xiàn)了米級尺寸高質(zhì)量單壁碳納米管薄膜的連續(xù)制備，并基于此構(gòu)建出高性能的全碳薄膜晶體管（TFT）和集成電路（IC）器件。研究人員采用浮動催化劑化學(xué)氣相沉積方法，在反應(yīng)爐的高溫區(qū)域連續(xù)生長單壁碳納米管，然后通過氣相過濾和轉(zhuǎn)移系統(tǒng)在室溫下收集所制備的碳納米管，并通過“卷到卷”轉(zhuǎn)移方式轉(zhuǎn)移至柔性PET基底上，從而獲得了長度超過2 m的單壁碳納米管薄膜。