喬亞飛 ，李華旺 ，常 亮 ，李 杰

（1.中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所上海200050；2.上海微小衛(wèi)星工程中心上海201203；3.中國科學(xué)院大學(xué)北京100049）

隨著空間科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，在軌衛(wèi)星運(yùn)行期間產(chǎn)生海量的數(shù)據(jù)[1]，對數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的容量要求也越來越高。由于NAND FLASH的容量大、讀寫速度快、易擦除、低功耗等特點(diǎn)[2]，越來越多的用作航空航天領(lǐng)域的存儲器件。雖然市面上有很多專用的FLASH控制器的芯片，但是這類芯片往往功能較多，導(dǎo)致功耗高，兼容性較差[3]?？紤]到星上CPU的資源比較寶貴，底層的控制器采用FPGA實現(xiàn)，F(xiàn)PGA作為可編程邏輯門陣列，具有高度的集成性，同時又有可編程器件的靈活性。本文采用VHDL語言，設(shè)計了通用型的NAND FLASH控制器，并在Microsemi公司Smartfution2 090 FPGA單板上得到驗證。

1 整體架構(gòu)設(shè)計

本次設(shè)計FPGA選用Microsemi公司的Smartfu?tion2 090，該芯片包含F(xiàn)PGA和ARM的Cortex-M3內(nèi)核[4]。Smartfution2系列FPGA基于FLASH架構(gòu)，而一般的FPGA基于SRAM架構(gòu)[5]。與SRAM架構(gòu)FPGA相比，Smartfution2系列FPGA具備高可靠性和單事件翻轉(zhuǎn)免疫能力[6]，更能適應(yīng)太空復(fù)雜環(huán)境，廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域。

總體架構(gòu)如圖1所示，單板上的Cortex-M3內(nèi)核通過AHB總線向底層的FPGA的AHB接口模塊發(fā)送相關(guān)FLASH控制命令和將要寫入FLASH的數(shù)據(jù)；FLASH控制器模塊從AHB接口模塊的相關(guān)寄存器讀取FLASH控制命令，數(shù)據(jù)等，解析相關(guān)命令，執(zhí)行對NAND FLASH的操作。

圖1 總體架構(gòu)圖

2 NAND FLASH控制模塊

本次NAND FLASH的片子選用Micron公司的MT29F32G08AFABA這一型號。這一FLASH容量較大，每片可以達(dá)到32G，組織也更加復(fù)雜。1片F(xiàn)LASH有2個（Logical Unit）LUN，每一個LUN包含2個plane，每個plane包含2 048個block，每個block包含128page，每個page為（4K+224bytes）。

NAND FLASH的數(shù)據(jù)、地址和指令采用復(fù)用I/O接口[7]。NAND FLASH 器件通過 CE（片選）、CLE（命令鎖存）、WE（寫使能）、RE（讀使能）、ALE（地址鎖存）使能信號的電平，來判斷寫入I/O總線的數(shù)據(jù)是地址還是數(shù)據(jù)、指令[8]。如果是通過I/O寫入命令，需要將CLE信號拉高，寫完之后將CLE拉低；同理，如果寫入的是多拍的地址，需要將ALE信號一直拉高，寫完之后拉低。

NAND FLASH控制模塊是本次設(shè)計的核心。該模塊主要功能有：

1）支持FLASH復(fù)位，讀數(shù)據(jù)，寫數(shù)據(jù)，塊擦除，讀狀態(tài)，讀ID操作。

2）支持超時檢測功能。

3）支持多片F(xiàn)LASH陣列。

4）NAND FLASH控制時序參數(shù)可設(shè)置。

NAND FLASH控制模塊主要由狀態(tài)機(jī)實現(xiàn)，狀態(tài)機(jī)的初始狀態(tài)為ST_IDLE，當(dāng)檢測到脈沖信號USER_CMD_EXE時，啟動狀態(tài)機(jī)，狀態(tài)機(jī)跳轉(zhuǎn)等待FLASH忙狀態(tài)；隨后根據(jù)命令信號USER_CMD跳轉(zhuǎn)到相應(yīng)的子狀態(tài)機(jī)去執(zhí)行，執(zhí)行完一種功能時，跳回ST_IDLE初始狀態(tài)。本設(shè)計主要有6種子狀態(tài)機(jī)：復(fù)位操作子狀態(tài)機(jī)，對NAND FLASH進(jìn)行復(fù)位；讀ID狀態(tài)機(jī)，讀出NAND FLASH的生產(chǎn)廠商、特性等[9]；塊擦除狀態(tài)機(jī)，寫操作之前必須對NAND FLASH進(jìn)行擦除[10]；讀操作狀態(tài)機(jī)，讀數(shù)據(jù)；編程操作狀態(tài)機(jī)，向NAND FLASH寫入數(shù)據(jù)；讀狀態(tài)操作狀態(tài)機(jī)，判斷塊擦除或者編程操作是否完成[11]。

2.1 NAND FLASH讀操作設(shè)計

讀操作是NAND FLASH的一個基本操作，以頁為基本單位讀出數(shù)據(jù)[12]。對于本次FLASH的讀操作設(shè)計，根據(jù)需要，將一頁分為4 K大小的data區(qū)，和224字節(jié)的Spare區(qū)，data區(qū)主要存放有效數(shù)據(jù)，例如衛(wèi)星的載荷數(shù)據(jù)、電源數(shù)據(jù)等；spare區(qū)存放片子的信息，例如壞塊、ID等。

根據(jù)NAND FLASH的數(shù)據(jù)手冊時序圖設(shè)計讀操作的狀態(tài)機(jī)，讀操作分為9個狀態(tài)。檢測到US?ER_CMD_EXE脈沖信號，狀態(tài)機(jī)跳轉(zhuǎn)至ST_WA IT_BUSY，隨后，解析命令信號跳轉(zhuǎn)至讀操作；向NAND FLASH發(fā)送00h指令，則使NAND FLASH進(jìn)入READ模式，隨后寫入3個周期的PAGE地址和2個周期的列地址；寫入30h指令則將啟動數(shù)據(jù)讀操作，等待NAND FLASH反饋的R/B信號由‘0’變化為‘1’時[13]，狀態(tài)機(jī)進(jìn)入ST_READ_WAIT_TO_READ狀態(tài)，在R/B信號為低時，利用rbn_time_cnt計數(shù)器進(jìn)行超時檢測；等待tRR（大約為3個時鐘周期）時間即可開始數(shù)據(jù)讀序列，依次讀完data區(qū)數(shù)據(jù)和spare區(qū)數(shù)據(jù)，最終跳回ST_IDLE狀態(tài)。讀操作的狀態(tài)機(jī)如圖2所示。

圖2 讀操作狀態(tài)機(jī)轉(zhuǎn)移圖

2.2 塊擦除設(shè)計

對于NAND FLASH，在寫入數(shù)據(jù)之前必須進(jìn)行塊擦除，塊擦除是基于塊的[14]。與讀操作和編程操作相比，塊擦除操作相對簡單。首先，向NAND FLASH發(fā)送60 h指令，F(xiàn)LASH進(jìn)入塊擦除模式，寫入3拍的塊地址，發(fā)送D0h啟動塊擦除操作；等待R/B信號由‘0’變?yōu)椤?’，塊擦除結(jié)束，狀態(tài)機(jī)跳轉(zhuǎn)至ST_IDLE。圖3為塊擦除狀態(tài)機(jī)跳轉(zhuǎn)圖。

圖3 塊擦除狀態(tài)機(jī)跳轉(zhuǎn)圖

2.3 NAND FLASH編程操作設(shè)計

基于NAND Flash的結(jié)構(gòu)，大數(shù)據(jù)的編程一般采用順序?qū)懭氲姆椒╗15]，從當(dāng)前頁的0地址順序?qū)懲暾?。根?jù)NAND FLASH的數(shù)據(jù)手冊時序圖設(shè)計編程操作的狀態(tài)機(jī)，編程操作分為10個狀態(tài)。檢測到USER_CMD_EXE脈沖信號，狀態(tài)機(jī)跳轉(zhuǎn)至ST_WAIT_BUSY，隨后，解析編程命令信號跳轉(zhuǎn)至編程操作；控制器模塊向NAND FLASH發(fā)送命令80 h，片子進(jìn)入編程模式，和讀操作一樣，寫入3個周期的PAGE地址和2個周期的列地址；等待tADL（計數(shù)器計數(shù)3個CLK）時間，控制器模塊將1 PAGE數(shù)據(jù)順序送至I/O總線上，下一周期發(fā)送命令10 h至NAND FLASH；NAND FLASH檢測到10 h之后，開始進(jìn)行編程操作；NAND FLASH反饋的R/B信號由‘0’變?yōu)椤?’時（同讀操作，當(dāng)R/B信號為低時，進(jìn)行超時檢測），說明編程操作完成，狀態(tài)機(jī)跳轉(zhuǎn)至ST_IDLE狀態(tài)；編程操作的狀態(tài)機(jī)轉(zhuǎn)移圖如圖4所示。

圖4 編程操作狀態(tài)機(jī)跳轉(zhuǎn)圖

3 AHB總線接口模塊設(shè)計

因為星載計算機(jī)是CPU+FPGA架構(gòu)，所以本次設(shè)計需要將底層的FPGA掛接到AHB總線上，用來接收CPU（Cortex-M3內(nèi)核）發(fā)送過來的指令和數(shù)據(jù)。AHB總線是ARM公司提出的一種開放性片上總線標(biāo)準(zhǔn)[16]，采用AHB-Lite協(xié)議，AHB-Lite是AHB協(xié)議的子集，只支持一個總線主設(shè)備，不需要總線仲裁器，不支持Retry及Splite響應(yīng)。本次設(shè)計開發(fā)環(huán)境選用美高森美公司的Libero SOC和Softconsole IDE，將包含Cortex-M3的MSS（微控制器子系統(tǒng)）做Master，整個的FPGA代碼頂層模塊做Slave，調(diào)用Libero IP庫中的AHB-Lite Core進(jìn)行Master和Slave的互連。設(shè)計接口模塊用于FPGA和AHB-Lite Core進(jìn)行數(shù)據(jù)的交換，在該模塊中，主要設(shè)置7組寄存器用于寄存數(shù)據(jù)：0x00寄存將要讀或者寫FLASH片子地址；0x04寄存操作FLASH命令；0x08寄存片選信號；0x0C寄存USER_CMD_EXE信號；0x20寄存CPU發(fā)送過來的將要寫入FLASH的數(shù)據(jù)；0x24寄存從FLASH讀出的將要送入CPU的數(shù)據(jù)；0x28寄存FLASH片子是否在寫狀態(tài)；0x2C寄存FLASH片子是否在讀狀態(tài)。

4 仿真驗證

控制器的仿真平臺選用ModelSim 10.4。仿真時采用Micron公司編寫的NAND FLASH仿真模型，這一仿真模型參數(shù)可配，可以模擬NAND FLASH的如各種接口，操作。仿真時對NAND FLASH仿真模型分別進(jìn)行復(fù)位、擦除塊、寫入、讀出1 page數(shù)據(jù)，進(jìn)行比對，觀察控制器功能是否正常。經(jīng)仿真測試，該控制器的預(yù)期功能正常。圖5為控制器編程、讀頁操作仿真圖（上為編程操作，下為讀操作）。

5 上板驗證

上板測試時，采用專用的復(fù)位模塊，時鐘頻率采用50MHz。Cortex-M3內(nèi)核向底層FPGA發(fā)送數(shù)據(jù)、指令，對NAND FLASH進(jìn)行復(fù)位、擦除、寫、讀等操作，圖6為上板測試的工程頂層模塊。其中FLASH_AHB_TOP_MSS為上層CPU模塊，編寫C代碼發(fā)送相關(guān)操作命令、讀取相關(guān)數(shù)據(jù)。FLASH_AHB_ONBOARD為底層控制器的FPGA部分，實現(xiàn)對NAND FLASH的具體操作。底層FPGA和上層Cortex-M3通過CoreAHBLite橋接。

圖5 控制器編程、讀頁操作仿真圖

圖6 工程頂層模塊

在上板之前先進(jìn)行可靠性測試，例如反復(fù)插拔單板，上電下電，復(fù)位等?？煽啃詼y試工作完成之后，進(jìn)行功能測試，寫1 page數(shù)據(jù)最長耗時為760μs，讀1 page數(shù)據(jù)最長耗時為280μs，擦除整個Block為3.5 ms；滿足星上毫秒級速率存儲要求。

6 結(jié)論

本文的創(chuàng)新點(diǎn)在于設(shè)計了CPU+FPGA架構(gòu)的星上NAND FLASH控制器，與專用的星上NAND FLASH控制器芯片相比，基于FPGA的設(shè)計接口更多，更加靈活，參數(shù)可調(diào)可配，提高了控制器的兼容性，功耗降低。通過仿真和上板調(diào)試，NAND FLASH的讀寫等功能都能實現(xiàn)。同時，控制器底層硬件采用FPGA，節(jié)約了星載計算機(jī)的資源，滿足在軌衛(wèi)星的數(shù)據(jù)高效存儲的要求。