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高純立方形氧化鎳粉末制備技術(shù)研究

2018-09-03 07:11張燕燕許高晉徐金霞
安徽化工 2018年4期
關(guān)鍵詞:氨水活性劑速率

張燕燕,許高晉,徐金霞

(安徽省化工研究院,安徽合肥230041)

氧化鎳外觀呈綠色粉末狀,熔點(diǎn)較高(1980±20)℃,密度為6.67 g/cm3,是典型的堿性氧化物,不溶于水和堿液,溶于酸和氨水。氧化鎳內(nèi)部載流子受約束不能自由流動(dòng),因此呈絕緣體。氧化鎳的物理性質(zhì)隨制備條件的變化而不同,如制備溫度升高,會(huì)增加其密度和電阻,而降低溶解度和催化活性。晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系,NiO的晶體結(jié)構(gòu)與氯化鈉類似,即巖鹽結(jié)構(gòu),其中每個(gè)Ni周圍有六個(gè)最近距離的O,氧原子形成正八面體,鎳原子處于其中心[1]。近年來,有研究制備出氧化鎳球形[2]、片形[3]、針形[4-5]等,但對(duì)于立方形高純氧化鎳微粉的制備未見報(bào)道。

NiO制備方法包括碳酸鎳法、氨法、鎳鹽煅燒分解法等[6]。碳酸鎳法是將金屑鎳在硫酸或硝酸中溶解,加入純堿生成碳酸鎳,再經(jīng)洗滌、干燥、燃燒而得。氨法是將鎳廢料破溶,加入硫酸銨生成硫酸鎳銨,再經(jīng)脫水、煅燒、粉碎而得。鎳鹽煅燒分解法是將鎳合金下腳料(含鐵、銅、鉻等)經(jīng)用硫化氫、雙氧水、碳酸鈉、氨水除去銅、鐵、錳、鉻等雜質(zhì)后,與硫酸反應(yīng)制成硫酸鎳銨,再經(jīng)焙燒、粉碎,制得一氧化鎳成品。

NiO應(yīng)用廣泛,可作為搪瓷的密著劑和著色劑,陶瓷和玻璃的顏料。在磁性材料生產(chǎn)中用于生產(chǎn)鎳鋅鐵氧體等,以及用作制造鎳鹽原料、鎳催化劑并在冶金、顯像管中應(yīng)用。用作電子元件材料、催化劑、搪瓷涂料和蓄電池材料、電子工業(yè)用氧化鎳粉顯像管玻殼用氧化鎳粉末需要高純立方形氧化鎳[7]。本文旨對(duì)高純立方形氧化鎳粉末制備技術(shù)進(jìn)行研究。研究結(jié)果表明,采用該方法制備的NiO符合電子工業(yè)用氧化鎳粉顯像管玻殼用氧化鎳粉末的要求。

1實(shí)驗(yàn)部分

1.1 材料與試劑

實(shí)驗(yàn)中所用鎳粉、氨水、十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)、聚乙二醇 2000(PEG-2000)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等均為分析純,購自國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司。

1.2 實(shí)驗(yàn)方法

取一定量鎳粉和氨水,置于溶鎳釜中。在一定溫度下,邊通入空氣邊攪拌,并滴加氨水以控制體系pH使反應(yīng)得以進(jìn)行,直到鎳粉完全溶解后,得鎳氨液,將鎳氨液轉(zhuǎn)移至脫氨釜,升高溫度并增加通氣量,同時(shí)添加表面活性劑,直到上清液澄清,停止反應(yīng),過濾得氫氧化鎳粉末,氫氧化鎳置于馬弗爐400℃高溫煅燒2 h后得高純立方氧化鎳,工藝流程如圖1所示。

1.3 純度分析及表征方法

1.3.1 純度分析

氧化鎳分析參照ST/T 10677-1995“電子工業(yè)用氧化鎳粉”中純度測(cè)試方法。

1.3.2 表征方法

采用D/MAX2500V型X射線衍射儀表征產(chǎn)物的物相結(jié)構(gòu),Cu靶,掃描速度為10(°)/min,衍射角范圍為10°≤2θ≤70°。

2 結(jié)果與討論

2.1 溶鎳階段pH的確定

溶鎳階段所發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)包括鎳粉氧化和鎳離子與銨根離子絡(luò)合形成鎳氨溶液,溶鎳階段氨水用量決定反應(yīng)體系的pH。pH偏低,溶鎳反應(yīng)緩慢,甚至無法進(jìn)行;pH偏高,容易發(fā)生氨逸出現(xiàn)象,污染環(huán)境,浪費(fèi)資源,因此需要確定氨水最佳用量,氨水用量可用pH表示。

圖2 不同pH值溶鎳速率

實(shí)驗(yàn)取等量鎳粉,通入等風(fēng)量空氣,保持溫度相同,加入不同量的氨水調(diào)節(jié)體系pH,并記錄溶鎳時(shí)間,溶鎳時(shí)間為加入鎳粉開始至鎳粉完全溶解。由圖2可知,pH小于9時(shí)反應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng),可知反應(yīng)緩慢,甚至不反應(yīng);隨著pH增加,反應(yīng)時(shí)間減少,可知反應(yīng)速率加快;pH增至12以后,反應(yīng)速率增加不明顯,且氨逸出現(xiàn)象嚴(yán)重,不適合繼續(xù)增加pH。因此確定pH等于12為溶鎳階段的最佳反應(yīng)pH,此時(shí)溶鎳時(shí)間為240 min。

2.2 溫度對(duì)溶鎳階段的影響

溫度對(duì)溶鎳影響較大,溫度低反應(yīng)緩慢,提高溫度有利于增加反應(yīng)速率,但溫度太高,氨逸出嚴(yán)重,造成體系氨濃度降低,不利于鎳粉的溶解。實(shí)驗(yàn)中固定體系pH為12,在不同溫度下反應(yīng),記錄反應(yīng)結(jié)束時(shí)間,結(jié)果如圖3所示。

由圖3可知,當(dāng)溫度為室溫,反應(yīng)結(jié)束時(shí)間較長(zhǎng),可知反應(yīng)緩慢,甚至不反應(yīng);隨著溫度增加,反應(yīng)時(shí)間減少,反應(yīng)速率加快;溫度增至60℃以后,反應(yīng)時(shí)間反而增加,可知反應(yīng)速率變慢,原因在于溫度提高造成氨逸現(xiàn)象嚴(yán)重,體系氨濃度降低,不利于鎳粉溶解。因此確定60℃為溶鎳階段的最佳反應(yīng)溫度。

2.3 脫氨階段反應(yīng)條件的確定

一方面溫度對(duì)脫氨影響較大,溫度低,脫氨緩慢,提高溫度有利于增加反應(yīng)速率;另一方面鼓入空氣也對(duì)脫氨影響較大,空氣攪動(dòng)可以明顯增加脫氨速率。實(shí)驗(yàn)在不鼓入空氣條件下,改變脫氨溫度,記錄反應(yīng)結(jié)束時(shí)間,找到最佳脫氨溫度,并且每組做鼓入空氣的對(duì)比實(shí)驗(yàn),確定了最佳脫氨條件,結(jié)果如圖4所示。

圖3 不同溫度對(duì)溶鎳速率的影響

由圖4可知,當(dāng)溫度為室溫,基本不會(huì)發(fā)生脫氨反應(yīng);隨著溫度增加,反應(yīng)時(shí)間減少,反應(yīng)速率加快;溫度增至100℃時(shí),達(dá)到體系沸點(diǎn),此時(shí)反應(yīng)速率最快。因此確定100℃為最佳脫氨反應(yīng)溫度。

由圖4還可知,鼓入空氣明顯降低了反應(yīng)時(shí)間,脫氨速率顯著提高,因此確定脫氨條件為100℃下鼓入空氣反應(yīng)。

圖4 不同溫度對(duì)脫氨速率的影響

2.4 表面活性劑對(duì)氧化鎳產(chǎn)品形貌的影響

為了制取高純立方形氧化鎳粉末,本實(shí)驗(yàn)在脫氨階段需要加入不同表面活性劑,不同表面活性劑對(duì)氧化鎳產(chǎn)品形貌的影響見圖5~圖8。

由圖5~圖8可知,在不添加表面活性劑時(shí),本實(shí)驗(yàn)制得的氧化鎳呈不規(guī)則多面體;CTAB使產(chǎn)品由不規(guī)則多面體的棱角變平緩,有出現(xiàn)球形的趨勢(shì);PEG-2000的使用效果與CTAB相似;PVP加入后,出現(xiàn)了明顯的立方形氧化鎳產(chǎn)品,因此本實(shí)驗(yàn)確定PVP為高純立方形氧化鎳制備所需表面活性劑。

2.5 XRD分析

圖5 不添加表現(xiàn)活性劑

圖6 添加CTAB

圖7 添加PEG-2000

圖8 添加PVP

圖9 氧化亞銅產(chǎn)品的XRD圖

圖9為在最佳工藝條件下所制得氧化鎳產(chǎn)品的XRD分析圖。由圖可知,制備的樣品在2θ為37.16°、42.24°、62.84°處出現(xiàn)了NiO的特征峰。經(jīng)與JCPDS標(biāo)準(zhǔn)卡片(JCPDS04-0835)比對(duì),確認(rèn)樣品為單一純相的NiO。

3 結(jié)論

以鎳粉、氨水為原料,制取氧化鎳的最佳工藝條件為:溶鎳階段:60℃,pH 維持在 12;脫氨階段:100℃,鼓入空氣;400℃煅燒2 h?;瘜W(xué)分析表明在此條件下制得氧化鎳產(chǎn)品鎳含量可達(dá)78.0%。SEM分析結(jié)果表明產(chǎn)品呈立方形,相關(guān)指標(biāo)符合電子工業(yè)用氧化鎳粉顯像管玻殼用氧化鎳粉末的要求。XRD分析結(jié)果表明,產(chǎn)品中只存在單一的NiO相。

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